RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
SI3586DV-T1-E3	-	RFQ	8818	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3586	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	2.9a，2.1a		60mohm @ 3.4a，4.5V	1.1V @ 250µA	6NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4485DY-T1-GE3	0.6300	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4485	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	6A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 5.9A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	590 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），5W（（（（（（（（
SI4124DY-T1-E3	0.9497	RFQ	1384	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4124	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	20.5A（TC）	4.5V，10V	7.5mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	3540 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
SI1539CDL-T1-BE3	0.4300	RFQ	6787	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1539	MOSFET （金属 o化物）	290MW（TA），340MW（tc）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1539CDL-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		30V	700mA（700mA ta），700mA tc），400mA（ta（500mA to），TC）		388MOHM @ 600mA，10v，890MOHM @ 400mA，10V	2.5V @ 250µA	1.5nc @ 10v，3nc @ 10v		28pf @ 15V，34pf @ 15V	-
2N4339	-	RFQ	6713	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4339		300兆	TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200		n通道								7pf @ 15V			50 V	500 µA @ 15 V	600 mv @ 100 na
SI6544BDQ-T1-GE3	-	RFQ	9899	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6544	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		30V	3.7a，3.8a		43MOHM @ 3.8A，10V	3V @ 250µA	15nc @ 10V		-	逻辑级别门
SQS462EN-T1_GE3	1.0300	RFQ	2097	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS462	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	8A（TC）	4.5V，10V	63MOHM @ 4.3A，10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	33W（TC）
SI3473CDV-T1-E3	0.7100	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3473	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	22mohm @ 8.1a，4.5V	1V @ 250µA	65 NC @ 8 V	±8V	2010 PF @ 6 V	-	4.2W（TC）
SI5938DU-T1-E3	-	RFQ	5930	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5938	MOSFET （金属 o化物）	8.3W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	6a		39mohm @ 4.4A，4.5V	1V @ 250µA	16nc @ 8V		520pf @ 10V	逻辑级别门
SQS423EN-T1_GE3	-	RFQ	9803	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS423	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	1975 pf @ 15 V	-	62.5W（TC）
SQS423ENW-T1_GE3	-	RFQ	6729	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQS423	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQS423ENW-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	1975 pf @ 15 V	-	62.5W（TC）
SIDR610DP-T1-GE3	3.4200	RFQ	4634	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR610	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	8.9a（ta），39.6A（TC）	7.5V，10V	31.9mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 100 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SI7772DP-T1-GE3	0.8100	RFQ	2998	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7772	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35.6A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1084 pf @ 15 V	-	3.9W（TA），29.8W（TC）
SI4388DY-T1-E3	-	RFQ	6003	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4388	MOSFET （金属 o化物）	3.3W，3.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	10.7a，11.3a		16mohm @ 8a，10v	3V @ 250µA	27nc @ 10V		946pf @ 15V	-
SUM50020E-GE3	2.8900	RFQ	4159	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SUM50020	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	120A（TC）	7.5V，10V	2.2MOHM @ 30a，10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	11150 PF @ 30 V	-	375W（TC）
IRF634L	-	RFQ	6831	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF634	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF634L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	8.1A（TC）	10V	450MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 25 V	-	-
IRFIBC30GPBF	2.8900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBC30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIBC30GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	2.5A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRFR1N60ATRL	-	RFQ	5821	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	1.4A（TC）	10V	7ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	229 pf @ 25 V	-	36W（TC）
SI4936CDY-T1-GE3	0.6300	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4936	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5.8a		40mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	9NC @ 10V		325pf @ 15V	逻辑级别门
IRF9520pbf	1.2900	RFQ	14	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9520	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9520pbf	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	6.8A（TC）	10V	600MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IRF840SPBF	2.1000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF840SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
irfr9010pbf	1.0600	RFQ	12	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9010	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		P通道	50 V	5.3A（TC）	10V	500MOHM @ 2.8a，10V	4V @ 250µA	9.1 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRL510STRL	-	RFQ	3230	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL510	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	5.6A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 3.4A，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SI2318CDS-T1-GE3	0.4600	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2318	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	5.6A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 4.3A，10V	2.5V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	340 pf @ 20 V	-	1.25W（TA），2.1W（TC）
SI8800EDB-T2-E1	0.4700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8800	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2A（TA）	1.5V，4.5V	80MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	8.3 NC @ 8 V	±8V		-	500MW（TA）
SI2337DS-T1-E3	1.0100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2337	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	2.2A（TC）	6V，10V	270MOHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 40 V	-	（760MW）（TA），2.5W（tc）
IRFBG20	-	RFQ	3796	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBG20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBG20	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	1000 v	1.4A（TC）	10V	11ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IRF740pbf	2.0400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF740pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI2343DS-T1	-	RFQ	6118	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2343	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	3.1a（ta）	4.5V，10V	53MOHM @ 4A，10V	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 15 V	-	750MW（TA）
SST4416-T1-E3	-	RFQ	4154	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST4416		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道								2.2pf @ 15V			30 V	5 ma @ 15 V	3 V @ 1 na

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²