SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
V30365-T1-GE3 Vishay Siliconix V30365-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9647 0.00000000 Vishay Siliconix * 胶带和卷轴((tr) 过时的 V30365 - rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 3,000
IRL640S Vishay Siliconix IRL640S -
RFQ
ECAD 5588 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRL640 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRL640S Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 17a(TC) 4V,5V 180mohm @ 10a,5v 2V @ 250µA 66 NC @ 5 V ±10V 1800 pf @ 25 V - 3.1W(ta),125W(tc)
SI4100DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4100DY-T1-E3 1.3200
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4100 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 6.8A(TC) 6V,10V 63mohm @ 4.4A,10V 4.5V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 600 pf @ 50 V - 2.5W(ta),6W((ta)
SUP85N10-10P-GE3 Vishay Siliconix SUP85N10-10P-GE3 -
RFQ
ECAD 6079 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SUP85 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 85A(TC) 10V 10mohm @ 20a,10v 4.5V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 4660 pf @ 50 V - 3.75W(ta),227W(tc)
SIB456DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB456DK-T1-GE3 0.5100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®Sc-75-6 SIB456 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®Sc-75-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 6.3a(TC) 4.5V,10V 185MOHM @ 1.9A,10V 3V @ 250µA 5 NC @ 10 V ±20V 130 pf @ 50 V - 2.4W(TA),13W(tc)
SI4838DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4838DY-T1-E3 3.1200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4838 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 12 v 17A(TA) 2.5V,4.5V 3mohm @ 25a,4.5V 600mv @ 250µA(250µA)) 60 NC @ 4.5 V ±8V - 1.6W(TA)
IRFR420TRPBF Vishay Siliconix IRFR420TRPBF 1.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR420 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 500 v 2.4A(TC) 10V 3ohm @ 1.4A,10V 4V @ 250µA 19 nc @ 10 V ±20V 360 pf @ 25 V - 2.5W(TA),42W(TC)
SIHB28N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB28N60EF-GE3 6.2000
RFQ
ECAD 7757 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIHB28 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 28a(TC) 10V 123mohm @ 14a,10v 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±30V 2714 PF @ 100 V - 250W(TC)
SI7856ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7856ADP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6892 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7856 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 15A(TA) 4.5V,10V 3.7MOHM @ 25A,10V 3V @ 250µA 55 NC @ 4.5 V ±20V - 1.9W(TA)
SIHP17N60D-E3 Vishay Siliconix SIHP17N60D-E3 1.7493
RFQ
ECAD 4844 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SIHP17 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) SIHP17N60DE3 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 17a(TC) 10V 340MOHM @ 8A,10V 5V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±30V 1780 pf @ 100 V - 277.8W(TC)
SI6443DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6443DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4402 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) SI6443 MOSFET (金属 o化物) 8-tssop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 7.3a(ta) 4.5V,10V 12mohm @ 8.8a,10v 3V @ 250µA 60 NC @ 5 V ±20V - 1.05W(TA)
IRF820ASPBF Vishay Siliconix IRF820ASPBF 1.6800
RFQ
ECAD 993 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF820 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRF820ASPBF Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 2.5A(TC) 10V 3ohm @ 1.5A,10V 4.5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 340 pf @ 25 V - 50W(TC)
SUM52N20-39P-E3 Vishay Siliconix SUM52N20-39P-E3 -
RFQ
ECAD 9331 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB sum52 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 200 v 52A(TC) 10V,15V 38mohm @ 20a,15v 4.5V @ 250µA 185 NC @ 15 V ±25V 4220 PF @ 25 V - 3.12W(TA),250W(tc)
IRFIZ48G Vishay Siliconix IRFIZ48G -
RFQ
ECAD 5835 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 IRFIZ48 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 37A(TC) 10V 18mohm @ 22a,10v 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V 2400 PF @ 25 V - 50W(TC)
SQ2310ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_GE3 0.9000
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SQ2310 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 6A(TC) 1.5V,4.5V 30mohm @ 5A,4.5V 1V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 V ±8V 485 pf @ 10 V - 2W(TC)
SI4660DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4660DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7935 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4660 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 25 v 23.1a(TC) 4.5V,10V 5.8mohm @ 15a,10v 2.2V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±16V 2410 pf @ 15 V - 3.1W(ta),5.6W(TC)
2N6661JTVP02 Vishay Siliconix 2N6661JTVP02 -
RFQ
ECAD 3800 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 到205AD,TO-39-3 2N6661 MOSFET (金属 o化物) 到39 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 90 v 860mA(tc) 5V,10V 4ohm @ 1A,10V 2V @ 1mA ±20V 50 pf @ 25 V - (725MW)(6.25W)TC)
SI5432DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5432DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9623 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5432 MOSFET (金属 o化物) 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 6A(TC) 2.5V,4.5V 20mohm @ 8.3a,4.5V 1.5V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±12V 1200 pf @ 10 V - 2.5W(ta),6.3W(TC)
SUP70030E-GE3 Vishay Siliconix SUP70030E-GE3 3.3600
RFQ
ECAD 321 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SUP70030 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 150a(TC) 7.5V,10V 3.18mohm @ 30a,10v 4V @ 250µA 214 NC @ 10 V ±20V 10870 pf @ 50 V - 375W(TC)
IRFR9214PBF Vishay Siliconix IRFR9214PBF 1.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR9214 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *irfr9214pbf Ear99 8541.29.0095 75 P通道 250 v 2.7A(TC) 10V 3ohm @ 1.7a,10v 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 220 pf @ 25 V - 50W(TC)
SI1016X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1016X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6336 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 SI1016 MOSFET (金属 o化物) 250MW SC-89(SOT-563F) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 485mA,370mA 700MOHM @ 600mA,4.5V 1V @ 250µA 0.75nc @ 4.5V - 逻辑级别门
IRFR110PBF Vishay Siliconix irfr110pbf 1.0000
RFQ
ECAD 2439 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR110 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 75 n通道 100 v 4.3A(TC) 10V 540MOHM @ 2.6A,10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ±20V 180 pf @ 25 V - 2.5W(25W),25W(tc)
IRLR110TR Vishay Siliconix IRLR110TR -
RFQ
ECAD 5752 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRLR110 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 100 v 4.3A(TC) 4V,5V 540MOHM @ 2.6a,5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 V ±10V 250 pf @ 25 V - 2.5W(25W),25W(tc)
SI4143DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4143DY-T1-GE3 0.7800
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜150°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4143 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 25.3A(TC) 4.5V,10V 6.2MOHM @ 12A,10V 2.5V @ 250µA 167 NC @ 10 V ±25V 6630 PF @ 15 V - 6W(TC)
IRLR110TRL Vishay Siliconix irlr110trl -
RFQ
ECAD 5776 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRLR110 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 4.3A(TC) 4V,5V 540MOHM @ 2.6a,5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 V ±10V 250 pf @ 25 V - 2.5W(25W),25W(tc)
IRF644NSPBF Vishay Siliconix IRF644NSPBF -
RFQ
ECAD 5575 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF644 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 *IRF644NSPBF Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 14A(TC) 10V 240MOHM @ 8.4a,10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V 1060 pf @ 25 V - 150W(TC)
SIR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR626DP-T1-RE3 1.8800
RFQ
ECAD 5949 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir626 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 100A(TC) 6V,10V 1.7MOHM @ 20A,10V 3.4V @ 250µA 78 NC @ 7.5 V ±20V 5130 PF @ 30 V - 104W(TC)
SI7462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7462DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1505 0.00000000 Vishay Siliconix - (CT) 过时的 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7462 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 200 v 2.6a(ta) 130MOHM @ 4.1A,10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V -
IRFI740GPBF Vishay Siliconix IRFI740GPBF 2.9300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 IRFI740 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRFI740GPBF Ear99 8541.29.0095 50 n通道 400 v 5.4A(TC) 10V 550MOHM @ 3.2A,10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 V ±20V 1370 pf @ 25 V - 40W(TC)
SI2303CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2303CDS-T1-GE3 0.4500
RFQ
ECAD 115 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SI2303 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 2.7A(TC) 4.5V,10V 190mohm @ 1.9a,10v 3V @ 250µA 8 nc @ 10 V ±20V 155 pf @ 15 V - 1W(TA),2.3W(2.3W)(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库