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![]() | SI4100DY-T1-E3 | 1.3200 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4100 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 6.8A(TC) | 6V,10V | 63mohm @ 4.4A,10V | 4.5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 600 pf @ 50 V | - | 2.5W(ta),6W((ta) | |||||
SUP85N10-10P-GE3 | - | ![]() | 6079 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SUP85 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 100 v | 85A(TC) | 10V | 10mohm @ 20a,10v | 4.5V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 4660 pf @ 50 V | - | 3.75W(ta),227W(tc) | |||||
![]() | SIB456DK-T1-GE3 | 0.5100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Sc-75-6 | SIB456 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®Sc-75-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 6.3a(TC) | 4.5V,10V | 185MOHM @ 1.9A,10V | 3V @ 250µA | 5 NC @ 10 V | ±20V | 130 pf @ 50 V | - | 2.4W(TA),13W(tc) | |||||
![]() | SI4838DY-T1-E3 | 3.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4838 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 12 v | 17A(TA) | 2.5V,4.5V | 3mohm @ 25a,4.5V | 600mv @ 250µA(250µA)) | 60 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.6W(TA) | ||||||
![]() | IRFR420TRPBF | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR420 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 500 v | 2.4A(TC) | 10V | 3ohm @ 1.4A,10V | 4V @ 250µA | 19 nc @ 10 V | ±20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | |||||
![]() | SIHB28N60EF-GE3 | 6.2000 | ![]() | 7757 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIHB28 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 28a(TC) | 10V | 123mohm @ 14a,10v | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±30V | 2714 PF @ 100 V | - | 250W(TC) | |||||
![]() | SI7856ADP-T1-E3 | - | ![]() | 6892 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7856 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 15A(TA) | 4.5V,10V | 3.7MOHM @ 25A,10V | 3V @ 250µA | 55 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.9W(TA) | |||||
SIHP17N60D-E3 | 1.7493 | ![]() | 4844 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SIHP17 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | SIHP17N60DE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 17a(TC) | 10V | 340MOHM @ 8A,10V | 5V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ±30V | 1780 pf @ 100 V | - | 277.8W(TC) | |||||
![]() | SI6443DQ-T1-E3 | - | ![]() | 4402 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | SI6443 | MOSFET (金属 o化物) | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 7.3a(ta) | 4.5V,10V | 12mohm @ 8.8a,10v | 3V @ 250µA | 60 NC @ 5 V | ±20V | - | 1.05W(TA) | |||||
![]() | IRF820ASPBF | 1.6800 | ![]() | 993 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF820 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRF820ASPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 2.5A(TC) | 10V | 3ohm @ 1.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±30V | 340 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||
![]() | SUM52N20-39P-E3 | - | ![]() | 9331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | sum52 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 200 v | 52A(TC) | 10V,15V | 38mohm @ 20a,15v | 4.5V @ 250µA | 185 NC @ 15 V | ±25V | 4220 PF @ 25 V | - | 3.12W(TA),250W(tc) | |||||
![]() | IRFIZ48G | - | ![]() | 5835 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | IRFIZ48 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 60 V | 37A(TC) | 10V | 18mohm @ 22a,10v | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 2400 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||
![]() | SQ2310ES-T1_GE3 | 0.9000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SQ2310 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6A(TC) | 1.5V,4.5V | 30mohm @ 5A,4.5V | 1V @ 250µA | 8.5 NC @ 4.5 V | ±8V | 485 pf @ 10 V | - | 2W(TC) | |||||
![]() | SI4660DY-T1-GE3 | - | ![]() | 7935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4660 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 25 v | 23.1a(TC) | 4.5V,10V | 5.8mohm @ 15a,10v | 2.2V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±16V | 2410 pf @ 15 V | - | 3.1W(ta),5.6W(TC) | ||||
![]() | 2N6661JTVP02 | - | ![]() | 3800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 2N6661 | MOSFET (金属 o化物) | 到39 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | n通道 | 90 v | 860mA(tc) | 5V,10V | 4ohm @ 1A,10V | 2V @ 1mA | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | (725MW)(6.25W)TC) | |||||
![]() | SI5432DC-T1-GE3 | - | ![]() | 9623 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5432 | MOSFET (金属 o化物) | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6A(TC) | 2.5V,4.5V | 20mohm @ 8.3a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±12V | 1200 pf @ 10 V | - | 2.5W(ta),6.3W(TC) | ||||
![]() | SUP70030E-GE3 | 3.3600 | ![]() | 321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SUP70030 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 150a(TC) | 7.5V,10V | 3.18mohm @ 30a,10v | 4V @ 250µA | 214 NC @ 10 V | ±20V | 10870 pf @ 50 V | - | 375W(TC) | |||||
![]() | IRFR9214PBF | 1.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR9214 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *irfr9214pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P通道 | 250 v | 2.7A(TC) | 10V | 3ohm @ 1.7a,10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 220 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||
![]() | SI1016X-T1-E3 | - | ![]() | 6336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | SI1016 | MOSFET (金属 o化物) | 250MW | SC-89(SOT-563F) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 485mA,370mA | 700MOHM @ 600mA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.75nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | irfr110pbf | 1.0000 | ![]() | 2439 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR110 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 100 v | 4.3A(TC) | 10V | 540MOHM @ 2.6A,10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ±20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | |||||
![]() | IRLR110TR | - | ![]() | 5752 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRLR110 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 100 v | 4.3A(TC) | 4V,5V | 540MOHM @ 2.6a,5V | 2V @ 250µA | 6.1 NC @ 5 V | ±10V | 250 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | |||||
![]() | SI4143DY-T1-GE3 | 0.7800 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4143 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 25.3A(TC) | 4.5V,10V | 6.2MOHM @ 12A,10V | 2.5V @ 250µA | 167 NC @ 10 V | ±25V | 6630 PF @ 15 V | - | 6W(TC) | |||||
![]() | irlr110trl | - | ![]() | 5776 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRLR110 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 4.3A(TC) | 4V,5V | 540MOHM @ 2.6a,5V | 2V @ 250µA | 6.1 NC @ 5 V | ±10V | 250 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | |||||
![]() | IRF644NSPBF | - | ![]() | 5575 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF644 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRF644NSPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 250 v | 14A(TC) | 10V | 240MOHM @ 8.4a,10V | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ±20V | 1060 pf @ 25 V | - | 150W(TC) | |||
![]() | SIR626DP-T1-RE3 | 1.8800 | ![]() | 5949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir626 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 100A(TC) | 6V,10V | 1.7MOHM @ 20A,10V | 3.4V @ 250µA | 78 NC @ 7.5 V | ±20V | 5130 PF @ 30 V | - | 104W(TC) | |||||
![]() | SI7462DP-T1-GE3 | - | ![]() | 1505 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | (CT) | 过时的 | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7462 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 200 v | 2.6a(ta) | 130MOHM @ 4.1A,10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | - | |||||||||
![]() | IRFI740GPBF | 2.9300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | IRFI740 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRFI740GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 400 v | 5.4A(TC) | 10V | 550MOHM @ 3.2A,10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ±20V | 1370 pf @ 25 V | - | 40W(TC) | ||||
![]() | SI2303CDS-T1-GE3 | 0.4500 | ![]() | 115 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 2.7A(TC) | 4.5V,10V | 190mohm @ 1.9a,10v | 3V @ 250µA | 8 nc @ 10 V | ±20V | 155 pf @ 15 V | - | 1W(TA),2.3W(2.3W)(TC) |
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