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晶体管（（5716）

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SQ2310ES-T1_GE3	0.9000	RFQ	13	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2310	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6A（TC）	1.5V，4.5V	30mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	485 pf @ 10 V	-	2W（TC）
SI4100DY-T1-E3	1.3200	RFQ	39	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4100	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	6.8A（TC）	6V，10V	63mohm @ 4.4A，10V	4.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	600 pf @ 50 V	-	2.5W（ta），6W（（ta）
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SI7476DP-T1-GE3	-	RFQ	6317	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7476	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	15A（TA）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 25A，10V	3V @ 250µA	177 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
IRF9Z34STRL	-	RFQ	5321	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	18A（TC）	10V	140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
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SI2365EDS-T1-BE3	0.4000	RFQ	3627	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2365EDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（ta），5.9a tc）	1.8V，4.5V	32MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	36 NC @ 8 V	±8V		-	1W（1W），1.7W（TC）
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SI4909DY-T1-GE3	1.0400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4909	MOSFET （金属 o化物）	3.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		40V	8a		27mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	63nc @ 10V		2000pf @ 20V	逻辑级别门
SI3460DV-T1-GE3	-	RFQ	7113	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3460	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	5.1a（ta）	1.8V，4.5V	27MOHM @ 5.1A，4.5V	450mv @ 1ma （最小）	20 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.1W（TA）
SI3474DV-T1-GE3	0.4400	RFQ	5694	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3474	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3.8A（TC）	4.5V，10V	126mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	196 pf @ 50 V	-	3.6W（TC）
IRF730STRL	-	RFQ	1415	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
IRFD310	-	RFQ	7524	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD310	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD310	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	400 v	350mA（ta）	10V	3.6ohm @ 210mA，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRF614SPBF	1.7300	RFQ	193	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF614	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	250 v	2.7A（TC）	10V	2ohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
SI6983DQ-T1-GE3	-	RFQ	3757	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6983	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.6a		24mohm @ 5.4a，4.5V	1V @ 400µA	30nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF9Z24SPBF	2.0000	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9Z24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	11A（TC）	10V	280MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SI2319DS-T1-GE3	0.7500	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2319	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	40 V	2.3a（ta）	10V	82MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 20 V	-	750MW（TA）
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SI8483DB-T2-E1	0.5600	RFQ	3193	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6- UFBGA	SI8483	MOSFET （金属 o化物）		6-micro脚™（1.5x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	16A（TC）	1.5V，4.5V	26mohm @ 1.5A，4.5V	800MV @ 250µA	65 NC @ 10 V	±10V	1840 pf @ 6 V	-	2.77W（TA），13W（tc）
IRLR120TRR	-	RFQ	4968	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	7.7A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 4.6A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²