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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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SI2303CDS-T1-GE3	0.4500	RFQ	115	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2303	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.7A（TC）	4.5V，10V	190mohm @ 1.9a，10v	3V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	155 pf @ 15 V	-	1W（TA），2.3W（2.3W）（TC）
IRF840ASTRR	-	RFQ	5202	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1018 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SUM110N08-07P-E3	-	RFQ	6504	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	75 v	110A（TC）	10V	7mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	4250 pf @ 30 V	-	3.75W（TA），208.3W（tc）
IRL530pbf	1.6900	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRL530pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	15A（TC）	4V，5V	160MOHM @ 9A，5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±10V	930 PF @ 25 V	-	88W（TC）
IRF644NSPBF	-	RFQ	5575	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF644NSPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	14A（TC）	10V	240MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	1060 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SUM52N20-39P-E3	-	RFQ	9331	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum52	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	52A（TC）	10V，15V	38mohm @ 20a，15v	4.5V @ 250µA	185 NC @ 15 V	±25V	4220 PF @ 25 V	-	3.12W（TA），250W（tc）
irfbg20pbf	1.8300	RFQ	3338	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBG20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfbg20pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1000 v	1.4A（TC）	10V	11ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	54W（TC）
SI1016X-T1-E3	-	RFQ	6336	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1016	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	485mA，370mA		700MOHM @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.75nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
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irfr110pbf	1.0000	RFQ	2439	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRF840LCSPBF	1.5567	RFQ	8924	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
IRLR110TR	-	RFQ	5752	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI4143DY-T1-GE3	0.7800	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4143	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	25.3A（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 12A，10V	2.5V @ 250µA	167 NC @ 10 V	±25V	6630 PF @ 15 V	-	6W（TC）
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IRFIZ48GPBF	3.0500	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIZ48	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIZ48GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	37A（TC）	10V	18mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	50W（TC）
irlr110trl	-	RFQ	5776	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRL520	-	RFQ	8266	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL520	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL520	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	9.2A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 5.5A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	60W（TC）
SIR426DP-T1-GE3	1.0400	RFQ	26	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir426	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1160 pf @ 20 V	-	4.8W（TA），41.7W（tc）
SIHP17N60D-E3	1.7493	RFQ	4844	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP17	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP17N60DE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	17a（TC）	10V	340MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	1780 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
SUP85N10-10P-GE3	-	RFQ	6079	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP85	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	85A（TC）	10V	10mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	4660 pf @ 50 V	-	3.75W（ta），227W（tc）
SI6443DQ-T1-E3	-	RFQ	4402	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6443	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	7.3a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 8.8a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±20V		-	1.05W（TA）
IRF820ASPBF	1.6800	RFQ	993	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF820ASPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SIB456DK-T1-GE3	0.5100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	6.3a（TC）	4.5V，10V	185MOHM @ 1.9A，10V	3V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	130 pf @ 50 V	-	2.4W（TA），13W（tc）
SIS892DN-T1-GE3	1.5900	RFQ	8714	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS892	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	30A（TC）	4.5V，10V	29mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	±20V	611 pf @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI9926BDY-T1-E3	-	RFQ	7743	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9926	MOSFET （金属 o化物）	1.14W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		20V	6.2a		20mohm @ 8.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIRA52DP-T1-GE3	1.3900	RFQ	9699	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira52	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 15A，10V	2.4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	+20V，-16V	7150 pf @ 20 V	-	48W（TC）
IRFR010TRPBF	0.6218	RFQ	4260	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR010	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	50 V	8.2A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SQM200N04-1M1L_GE3	4.2600	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	SQM200	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	200a（TC）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	413 NC @ 10 V	±20V	20655 PF @ 25 V	-	375W（TC）
V30365-T1-GE3	-	RFQ	9647	Vishay Siliconix	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				V30365				-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²