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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHK075N60EF-T1GE3	7.3900	RFQ	26	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn	SIHK075	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	33A（TC）	10V	71MOHM @ 15A，10V	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	2954 PF @ 100 V	-	192W（TC）
SIR4608LDP-T1-GE3	1.2300	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIR4608	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	13.3A（TA），43.4a （TC）	4.5V，10V	11.5mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	905 pf @ 30 V	-	3.6W（39W），39w（tc）
SIR4604DP-T1-GE3	1.3800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir4604	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	15.1A（TA），49.3a （TC）	7.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	960 pf @ 30 V	-	3.9W（TA），41.6W（tc）
SISA18BDN-T1-GE3	0.7000	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SISA18	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8PT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	18A（18A），60a（tc）	4.5V，10V	6.83mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	+20V，-16V	680 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），36.8W （TC）
SQA413CEJW-T1_GE3	0.4300	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	PowerPak®Sc-70-6	SQA413	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70W-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	7.5A（TC）	2.5V，4.5V	38mohm @ 4.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±12V	1350 pf @ 10 V	-	13.6W（TC）
SIHH250N60EF-T1GE3	4.3200	RFQ	50	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	13A（TC）	10V	250MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	915 PF @ 100 V	-	89W（TC）
SIR5708DP-T1-RE3	1.5100	RFQ	3427	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	9.5A（TA），33.8a tc）	7.5V，10V	23mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	975 PF @ 75 V	-	5.2W（ta），65.7W（TC）
SIR5710DP-T1-RE3	1.4300	RFQ	1431	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	7.8a（ta），26.8a tc）	7.5V，10V	31.5mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 75 V	-	4.8W（TA），56.8W（tc）
SISS5808DN-T1-GE3	1.6600	RFQ	9195	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS5808	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	18.3a（ta），66.6a（tc）	7.5V，10V	119MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1210 PF @ 40 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SIR5808DP-T1-RE3	1.4100	RFQ	1063	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIR5808	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	18.8a（ta），66.8a tc）	7.5V，10V	157mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1210 PF @ 40 V	-	5.2W（ta），65.7W（TC）
SISS5110DN-T1-GE3	1.6600	RFQ	5692	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS5110	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	13.4A（TA），46.4a （TC）	7.5V，10V	8.9MOHM @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±25V	920 PF @ 50 V	-	4.8W（TA），56.8W（tc）
SI4848BDY-T1-GE3	0.7200	RFQ	50	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4848	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	3.7a（ta），5a（tc）	6V，10V	157mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±30V	400 pf @ 75 V	-	2.5W（ta），4.5W（TC）
SQJQ936E-T1_GE3	3.0100	RFQ	8828	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ936	MOSFET （金属 o化物）	75W（TC）	PowerPak®8x8二元	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）		40V	100A（TC）		2.3MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	113nc @ 10V		6600pf @ 25V	-
SQS182ELNW-T1_GE3	0.8500	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	45A（TC）	4.5V，10V	13.2MOHM @ 10A，10V	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	2024 PF @ 25 V	-	65W（TC）
SQ2309CES-T1_GE3	-	RFQ	5634	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	1.7A（TC）	4.5V，10V	370MOHM @ 1.25A，10V	2.5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±20V	265 pf @ 25 V	-	2W（TC）
SQS120ELNW-T1_GE3	1.0300	RFQ	9729	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	192a（TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	4590 pf @ 25 V	-	119W（TC）
SIZF4800LDT-T1-GE3	1.5500	RFQ	8706	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-PowerPair™		MOSFET （金属 o化物）	4.5W（TA），56.8W（tc）	PowerPair®3x3fs	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		80V	10a（10a），36a （TC）		19mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	23nc @ 10V		950pf @ 40V	标准
SIA471DJ-T1-GE3	0.5900	RFQ	8282	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA471	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	12.9a（ta），30.3a tc）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	27.8 NC @ 10 V	+16V，-20V	1170 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
SISF20DN-T1-GE3	1.5900	RFQ	6407	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8SCD双重	SISF20	MOSFET （金属 o化物）	5.2W（ta），69.4W（TC）	POWERPAK®1212-8SCD双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	（14A）（52A（ta）（TC）		13mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	33nc @ 10V		1290pf @ 30V	-
SQ7414CENW-T1_GE3	0.9600	RFQ	48	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W	SQ7414	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	18A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 8.7a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1590 pf @ 30 V	-	62W（TC）
SISS73DN-T1-GE3	1.5100	RFQ	5309	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS73	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	4.4A（TA），16.2a tc）	10V	125mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	719 PF @ 75 V	-	5.1W（TA），65.8W（tc）
SIR120DP-T1-RE3	1.7100	RFQ	579	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir120	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	24.7a（TA），106A （TC）	7.5V，10V	3.55MOHM @ 15A，10V	3.5V @ 250µA	94 NC @ 10 V	±20V	4150 PF @ 40 V	-	5.4W（TA），100W（TC）
sihll110tr-ge3	0.6500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	Sihll110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.5A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 900mA，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SIHB17N80E-GE3	5.1200	RFQ	8111	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB17	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2408 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SIHFR9310TR-GE3	1.5800	RFQ	8059	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHFR9310	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFZ34SPBF	1.5800	RFQ	6732	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ34	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SIHF640S-GE3	2.0800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
SIHB11N80E-GE3	3.8100	RFQ	3833	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB11	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	12A（TC）	10V	440MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	1670 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SIHD2N80AE-GE3	0.5174	RFQ	1677年	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD2	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2266-SIHD2N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	800 v	2.9a（TC）	10V	2.9ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	180 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
SIHG22N60EF-GE3	4.2500	RFQ	456	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG22	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	19a（tc）	10V	182Mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 100 V	-	179W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²