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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI6433BDQ-T1-E3	-	RFQ	5047	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6433	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	40MOHM @ 4.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.05W（TA）
SIB911DK-T1-E3	-	RFQ	8880	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-75-6L双重	SIB911	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	POWERPAK®SC-75-6L双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.6a		295MOHM @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	4NC @ 8V		115pf @ 10V	-
SQM40022EM_GE3	2.2300	RFQ	5202	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	SQM40022	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	150a（TC）	10V	1.63mohm @ 35a，10v	3.5V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SIHG17N80E-GE3	5.4100	RFQ	9174	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG17	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2408 PF @ 100 V	-	208W（TC）
irlz34pbf	1.9400	RFQ	12	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRLZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irlz34pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	30A（TC）	4V，5V	50mohm @ 18a，5v	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±10V	1600 pf @ 25 V	-	88W（TC）
SIHP180N60E-GE3	3.2500	RFQ	3536	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP180	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	19a（tc）	10V	180MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1085 pf @ 100 V	-	156W（TC）
IRFL214	-	RFQ	5602	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL214	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFL214	Ear99	8541.29.0095	80		n通道	250 v	790mA（tc）	10V	2ohm @ 470mA，10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRFD9010	-	RFQ	2341	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9010	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFD9010	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	50 V	1.1A（TC）	10V	500MOHM @ 580mA，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	1W（TC）
IRL640STRR	-	RFQ	9432	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	17a（TC）	4V，5V	180mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	1800 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SIZF300DT-T1-GE3	1.2000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF300	MOSFET （金属 o化物）	3.8W（TA），48w（tc），4.3W（ta（74W）（74W（tc）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	23A（23A），75A（tc（34a ta），141a （TC）		4.5MOHM @ 10A，10V，1.84MOHM @ 10A，10V	2.2V @ 250µA	22nc @ 10v，62nc @ 10V		1100pf @ 15V，3150pf @ 15V	-
SI1303EDL-T1-E3	-	RFQ	7121	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1303	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	670ma（ta）	2.5V，4.5V	430MOHM @ 1A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	2.5 NC @ 4.5 V	±12V		-	290MW（TA）
SI2305ADS-T1-E3	-	RFQ	8948	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2305	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5.4A（TC）	1.8V，4.5V	40mohm @ 4.1a，4.5V	800MV @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V	740 pf @ 4 V	-	960MW（TA），1.7W（TC）
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IRFIB7N50LPBF	-	RFQ	5820	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIB7	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIB7N50LPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	6.8A（TC）	10V	380MOHM @ 4.1A，10V	5V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	2220 PF @ 25 V	-	46W（TC）
IRFI744G	-	RFQ	3309	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI744	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI744G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	4.9A（TC）	10V	630mohm @ 2.9a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	40W（TC）
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SI2307CDS-T1-E3	0.5400	RFQ	32	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2307	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3.5A（TC）	4.5V，10V	88mohm @ 3.5A，10V	3V @ 250µA	6.2 NC @ 4.5 V	±20V	340 pf @ 15 V	-	1.1W（ta），1.8W（TC）
IRFZ24STRL	-	RFQ	2509	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	17a（TC）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
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irliz24g	-	RFQ	9071	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	irliz24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*irliz24g	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	14A（TC）	4V，5V	100mohm @ 8.4a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	37W（TC）
SI4660DY-T1-GE3	-	RFQ	7935	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4660	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	23.1a（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±16V	2410 pf @ 15 V	-	3.1W（ta），5.6W（TC）
SIR626DP-T1-RE3	1.8800	RFQ	5949	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir626	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	100A（TC）	6V，10V	1.7MOHM @ 20A，10V	3.4V @ 250µA	78 NC @ 7.5 V	±20V	5130 PF @ 30 V	-	104W（TC）
SI5432DC-T1-GE3	-	RFQ	9623	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5432	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6A（TC）	2.5V，4.5V	20mohm @ 8.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±12V	1200 pf @ 10 V	-	2.5W（ta），6.3W（TC）
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IRFR014TRPBF	1.0000	RFQ	424	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	7.7A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²