SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
SI1305DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1305DL-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3341 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 SI1305 MOSFET (金属 o化物) SC-70-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 8 V 860ma(ta) 1.8V,4.5V 280MOHM @ 1A,4.5V 450mv @ 250µA(250µA)) 4 NC @ 4.5 V ±8V - 290MW(TA)
SIE844DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE844DF-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7044 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 10-Polarpak®(U) SIE844 MOSFET (金属 o化物) 10-Polarpak®(U) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 44.5A(TC) 4.5V,10V 7mohm @ 12.1a,10v 3V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±20V 2150 pf @ 15 V - 5.2W(TA),25W(25W)TC)
SI7804DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7804DN-T1-GE3 0.5292
RFQ
ECAD 8957 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SI7804 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 6.5A(TA) 4.5V,10V 18.5mohm @ 10a,10v 1.8V @ 250µA 13 NC @ 5 V ±20V - 1.5W(TA)
SI4992EY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4992EY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7042 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4992 MOSFET (金属 o化物) 1.4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 75V 3.6a 48mohm @ 4.8A,10V 3V @ 250µA 21NC @ 10V - 逻辑级别门
IRLL1503TR Vishay Siliconix irll1503tr -
RFQ
ECAD 3031 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 TO-261-4,TO-261AA irll1503 MOSFET (金属 o化物) SOT-223 - Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V - - - - -
IRFP054PBF Vishay Siliconix IRFP054PBF 4.5800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFP054 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRFP054PBF Ear99 8541.29.0095 25 n通道 60 V 70A(TC) 10V 14mohm @ 54a,10v 4V @ 250µA 160 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 230W(TC)
SQJ443EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ443EP-T1_GE3 1.4100
RFQ
ECAD 3995 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TA) 表面安装 PowerPak®SO-8 SQJ443 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 40a(TC) 4.5V,10V 29mohm @ 18a,10v 2.5V @ 250µA 57 NC @ 10 V ±20V 2030 pf @ 20 V - 83W(TC)
IRFP044PBF Vishay Siliconix IRFP044PBF -
RFQ
ECAD 8169 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFP044 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFP044PBF Ear99 8541.29.0095 25 n通道 60 V 57A(TC) 10V 28mohm @ 34a,10v 4V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 25 V - 180W(TC)
SIR172DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR172DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4019 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir172 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 20A(TC) 4.5V,10V 8.9MOHM @ 16.1A,10V 2.5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 997 PF @ 15 V - 29.8W(TC)
IRLD014PBF Vishay Siliconix irld014pbf 1.5600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) IRLD014 MOSFET (金属 o化物) 4-HVMDIP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *irld014pbf Ear99 8541.29.0095 100 n通道 60 V 1.7A(TA) 4V,5V 200mohm @ 1A,5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 V ±10V 400 pf @ 25 V - 1.3W(TA)
SIE848DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE848DF-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3442 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 10-Polarpak®(l) SIE848 MOSFET (金属 o化物) 10-Polarpak®(l) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 60a(TC) 4.5V,10V 1.6mohm @ 25a,10v 2.5V @ 250µA 138 NC @ 10 V ±20V 6100 PF @ 15 V - 5.2W(ta),125W(tc)
SQ3419EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3419EV-T1_GE3 0.6900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SQ3419 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 6.9a(TC) 4.5V,10V 58MOHM @ 2.5A,10V 2.5V @ 250µA 11.3 NC @ 4.5 V ±20V 990 pf @ 20 V - 5W(TC)
SI4162DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4162DY-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4162 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 19.3a(TC) 4.5V,10V 7.9Mohm @ 20a,10v 3V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 1155 pf @ 15 V - 2.5W(ta),5W((((((()
SQJ912BEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ912BEP-T1_GE3 1.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ912 MOSFET (金属 o化物) 48W(TC) POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 40V 30A(TC) 11mohm @ 9a,10v 2V @ 250µA 60nc @ 10V 3000pf @ 25V -
SQ9407EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ9407EY-T1_GE3 1.1800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SQ9407 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 4.6A(TC) 4.5V,10V 85MOHM @ 3.5A,10V 2.5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 1140 pf @ 30 V - 3.75W(TC)
IRFPF50PBF Vishay Siliconix IRFPF50pbf 6.9100
RFQ
ECAD 485 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFPF50 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRFPF50pbf Ear99 8541.29.0095 25 n通道 900 v 6.7A(TC) 10V 1.6OHM @ 4A,10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 25 V - 190w(TC)
SUM90N03-2M2P-E3 Vishay Siliconix SUM90N03-2M2P-E3 3.7700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB sum90 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 30 V 90A(TC) 4.5V,10V 2.2MOHM @ 32A,10V 2.5V @ 250µA 257 NC @ 10 V ±20V 12065 pf @ 15 V - 3.75W(TA),250W(tc)
SI1013R-T1-E3 Vishay Siliconix SI1013R-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6433 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 SI1013 MOSFET (金属 o化物) SC-75A 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 350mA(ta) 1.8V,4.5V 1.2OHM @ 350mA,4.5V 450mv @ 250µA(250µA)) 1.5 NC @ 4.5 V ±6V - 150MW(TA)
IRFR014TRL Vishay Siliconix irfr014trl -
RFQ
ECAD 6170 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR014 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 7.7A(TC) 10V 200mohm @ 4.6A,10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 300 pf @ 25 V - 2.5W(25W),25W(tc)
IRF730ASTRLPBF Vishay Siliconix IRF730ASTRLPBF 1.3579
RFQ
ECAD 1159 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF730 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 400 v 5.5A(TC) 10V 1欧姆 @ 3.3a,10V 4.5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±30V 600 pf @ 25 V - 74W(TC)
SIB900EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB900EDK-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2706 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SC-75-6L双重 SIB900 MOSFET (金属 o化物) 3.1W POWERPAK®SC-75-6L双重 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 20V 1.5a 225mohm @ 1.6A,4.5V 1V @ 250µA 1.7NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SQM120N04-1M4L_GE3 Vishay Siliconix SQM120N04-1M4L_GE3 -
RFQ
ECAD 6649 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 SQM120N - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 120A(TC)
SIRA02DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA02DP-T1-GE3 1.7700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sira02 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 50A(TC) 4.5V,10V 2mohm @ 15a,10v 2.2V @ 250µA 117 NC @ 10 V +20V,-16V 6150 pf @ 15 V - 5W(5W),71.4W(TC)
IRFR9110TRPBF Vishay Siliconix IRFR9110TRPBF 1.2300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR9110 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 100 v 3.1A(TC) 10V 1.2OHM @ 1.9a,10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 V ±20V 200 pf @ 25 V - 2.5W(25W),25W(tc)
SI7272DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7272DP-T1-GE3 1.4900
RFQ
ECAD 4163 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7272 MOSFET (金属 o化物) 22W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 25a 9.3mohm @ 15a,10v 2.5V @ 250µA 26NC @ 10V 1100pf @ 15V 逻辑级别门
IRFBE30STRR Vishay Siliconix irfbe30strr -
RFQ
ECAD 9364 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFBE30 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 800 v 4.1A(TC) 10V 3ohm @ 2.5A,10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 125W(TC)
SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2398ES-T1_GE3 0.6300
RFQ
ECAD 458 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SQ2398 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 1.6A(TC) 10V 300MOHM @ 1.5A,10V 3.5V @ 250µA 3.4 NC @ 10 V ±20V 152 PF @ 50 V - 2W(TC)
SI7882DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7882DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3629 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7882 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 12 v 13A(TA) 2.5V,4.5V 5.5MOHM @ 17A,4.5V 1.4V @ 250µA 30 NC @ 4.5 V ±8V - 1.9W(TA)
IRFP360 Vishay Siliconix IRFP360 -
RFQ
ECAD 8534 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFP360 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFP360 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 400 v 23A(TC) 10V 200mohm @ 14a,10v 4V @ 250µA 210 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 280W(TC)
SI4480DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4480DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5504 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4480 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 80 V 6a(6a) 6V,10V 35mohm @ 6a,10v 2V @ 250µA() 50 NC @ 10 V ±20V - 2.5W(TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库