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SQJ912BEP-T1_GE3 | 1.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ912 | MOSFET (金属 o化物) | 48W(TC) | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 40V | 30A(TC) | 11mohm @ 9a,10v | 2V @ 250µA | 60nc @ 10V | 3000pf @ 25V | - | ||||||||
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![]() | SUM90N03-2M2P-E3 | 3.7700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | sum90 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 30 V | 90A(TC) | 4.5V,10V | 2.2MOHM @ 32A,10V | 2.5V @ 250µA | 257 NC @ 10 V | ±20V | 12065 pf @ 15 V | - | 3.75W(TA),250W(tc) | |||||
![]() | SI1013R-T1-E3 | - | ![]() | 6433 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | SI1013 | MOSFET (金属 o化物) | SC-75A | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 350mA(ta) | 1.8V,4.5V | 1.2OHM @ 350mA,4.5V | 450mv @ 250µA(250µA)) | 1.5 NC @ 4.5 V | ±6V | - | 150MW(TA) | |||||
![]() | irfr014trl | - | ![]() | 6170 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR014 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 7.7A(TC) | 10V | 200mohm @ 4.6A,10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ±20V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | ||||
![]() | IRF730ASTRLPBF | 1.3579 | ![]() | 1159 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF730 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 400 v | 5.5A(TC) | 10V | 1欧姆 @ 3.3a,10V | 4.5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±30V | 600 pf @ 25 V | - | 74W(TC) | |||||
![]() | SIB900EDK-T1-GE3 | - | ![]() | 2706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SC-75-6L双重 | SIB900 | MOSFET (金属 o化物) | 3.1W | POWERPAK®SC-75-6L双重 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 1.5a | 225mohm @ 1.6A,4.5V | 1V @ 250µA | 1.7NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||||
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![]() | SIRA02DP-T1-GE3 | 1.7700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sira02 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 50A(TC) | 4.5V,10V | 2mohm @ 15a,10v | 2.2V @ 250µA | 117 NC @ 10 V | +20V,-16V | 6150 pf @ 15 V | - | 5W(5W),71.4W(TC) | ||||
![]() | IRFR9110TRPBF | 1.2300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P通道 | 100 v | 3.1A(TC) | 10V | 1.2OHM @ 1.9a,10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 V | ±20V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | |||||
![]() | SI7272DP-T1-GE3 | 1.4900 | ![]() | 4163 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7272 | MOSFET (金属 o化物) | 22W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 25a | 9.3mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 26NC @ 10V | 1100pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | irfbe30strr | - | ![]() | 9364 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRFBE30 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 800 v | 4.1A(TC) | 10V | 3ohm @ 2.5A,10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W(TC) | |||||
![]() | SQ2398ES-T1_GE3 | 0.6300 | ![]() | 458 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SQ2398 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 1.6A(TC) | 10V | 300MOHM @ 1.5A,10V | 3.5V @ 250µA | 3.4 NC @ 10 V | ±20V | 152 PF @ 50 V | - | 2W(TC) | ||||||
![]() | SI7882DP-T1-GE3 | - | ![]() | 3629 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7882 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 12 v | 13A(TA) | 2.5V,4.5V | 5.5MOHM @ 17A,4.5V | 1.4V @ 250µA | 30 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.9W(TA) | |||||
![]() | IRFP360 | - | ![]() | 8534 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFP360 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFP360 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 400 v | 23A(TC) | 10V | 200mohm @ 14a,10v | 4V @ 250µA | 210 NC @ 10 V | ±20V | 4500 PF @ 25 V | - | 280W(TC) | |||
![]() | SI4480DY-T1-E3 | - | ![]() | 5504 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4480 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 80 V | 6a(6a) | 6V,10V | 35mohm @ 6a,10v | 2V @ 250µA() | 50 NC @ 10 V | ±20V | - | 2.5W(TA) |
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