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晶体管（（5716）

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SIA911DJ-T1-E3	-	RFQ	2606	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA911	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		94mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	12.8nc @ 8V		355pf @ 10V	-
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IRFRC20TRLPBF	1.8000	RFQ	6134	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFRC20	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
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SI2319DS-T1-E3	0.7500	RFQ	9520	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2319	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	40 V	2.3a（ta）	4.5V，10V	82MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 20 V	-	750MW（TA）
SI1499DH-T1-GE3	0.6700	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1499	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	1.6A（TC）	1.2V，4.5V	78MOHM @ 2A，4.5V	800MV @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±5V	650 pf @ 4 V	-	2.5W（2.78W）（2.78W）TC）
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IRFSL11N50A	-	RFQ	8049	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL11	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFSL11N50A	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±30V	1426 PF @ 25 V	-	190w（TC）
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SI7116DN-T1-E3	2.2300	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7116	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	10.5a（ta）	4.5V，10V	7.8mohm @ 16.4a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SQM50P06-15L_GE3	2.6100	RFQ	8419	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM50	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	6120 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IRF624L	-	RFQ	7640	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF624	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF624L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	4.4A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	-
SI8435DB-T1-E1	-	RFQ	2179	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8435	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	10A（TC）	1.5V，4.5V	41MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±5V	1600 PF @ 10 V	-	2.78W（ta），6.25W（tc）
SI2335DS-T1-GE3	-	RFQ	6311	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2335	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	3.2A（ta）	1.8V，4.5V	51MOHM @ 4A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	15 NC @ 4.5 V	±8V	1225 pf @ 6 V	-	750MW（TA）
SIHB180N60E-GE3	1.7861	RFQ	2921	Vishay Siliconix	e	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB180	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	19a（tc）	10V	180MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1085 pf @ 100 V	-	156W（TC）
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IRF740STRR	-	RFQ	2707	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI7390DP-T1-E3	2.6600	RFQ	5413	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7390	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.8W（TA）
IRF737LCS	-	RFQ	5183	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF737	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF737LC	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	300 v	6.1A（TC）	10V	750MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	-
SI5463EDC-T1-GE3	-	RFQ	7492	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5463	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.8A（TA）	1.8V，4.5V	62MOHM @ 4A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	15 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.25W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²