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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHP12N60E-BE3	2.6900	RFQ	475	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP12	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-SIHP12N60E-BE3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	12A（TC）		380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	937 PF @ 100 V	-	147W（TC）
irfr010pbf-be3	1.4700	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR010	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-irfr010pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	50 V	8.2A（TC）		200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SI1317DL-T1-BE3	0.4600	RFQ	6467	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1317	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1317DL-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	1.4A（TA），1.4A（TC）		150MOHM @ 1.4A，4.5V	800MV @ 250µA	6.5 NC @ 4.5 V	±8V	272 PF @ 10 V	-	400MW（TA），500MW（（（（（（（（（（（
SI1416EDH-T1-BE3	0.4700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1416	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	3.9a（3.9a），3.9a tc）		58mohm @ 3.1a，10v	1.4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±12V		-	1.56W（TA），2.8W（tc）
IRLZ44PBF-BE3	2.8800	RFQ	647	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRLZ44	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irlz44pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	50A（TC）		28mohm @ 31a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	3300 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SI1308EDL-T1-BE3	0.4600	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1308	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	1.5A（TA），1.4a（tc）		132MOHM @ 1.4A，10V	1.5V @ 250µA	4.1 NC @ 10 V	±12V	105 pf @ 15 V	-	400MW（TA），500MW（（（（（（（（（（（
IRL620PBF-BE3	1.8000	RFQ	980	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL620	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irl620pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	5.2A（TC）		800MOHM @ 3.1a，5V	2V @ 250µA	16 NC @ 5 V	±10V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SIRA90ADP-T1-GE3	-	RFQ	1631年	Vishay Siliconix	Trechfet®	（CT）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira90	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	（71a）（334A）（TC）		0.78MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	195 NC @ 10 V	+20V，-16V	9120 PF @ 15 V	-	6.3W（ta），104W（tc）
irfr210pbf-be3	1.1700	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR210	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-irfr210pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	75	n通道	200 v	2.6A（TC）		1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI1443EDH-T1-BE3	0.5400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1443	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	（4A）（4A），4A （TC）		54MOHM @ 4.3A，10V	1.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±12V		-	1.6W（TA），2.8W（TC）
IRF720PBF-BE3	1.2900	RFQ	846	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF720	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irf720pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	3.3A（TC）		1.8Ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI1469DH-T1-BE3	0.6100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1469	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	3.2A（ta），2.7a tc）		80mohm @ 2a，10v	1.5V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±12V	470 pf @ 10 V	-	1.5W（TA），2.78W（tc）
IRFZ44RPBF-BE3	2.7800	RFQ	856	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFZ44RPBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	50A（TC）		28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SIJH112E-T1-GE3	4.6000	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIJH112	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®8X8	-		（1 （无限）		742-SIJH112E-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	100 v	23A（23A），225a（tc）		2.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	8050 pf @ 50 V	-	3.3W（333W）（333W（tc）
SIHFPS37N50A-GE3	6.7900	RFQ	2075	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		MOSFET （金属 o化物）	SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHFPS37N50A-GE3	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	500 v	36a（TC）	10V	130mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±30V	5579 PF @ 25 V	-	446W（TC）
SQJ147ELP-T1_GE3	0.9900	RFQ	24	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ147	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	40 V	90A（TC）		12.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	183W（TC）
SIR681DP-T1-RE3	2.5700	RFQ	8399	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir681	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SIR681DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	80 V	17.6a（ta），71.9a （TC）		11.2Mohm @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	4850 pf @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SIS178LDN-T1-GE3	0.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	70 v	13.9a（ta），45.3a （TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	28.5 NC @ 10 V	±20V	1135 PF @ 35 V	-	3.6W（39W），39w（tc）
SIHH080N60E-T1-GE3	5.1700	RFQ	4	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHH080N60E-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	32A（TC）	10V	80Mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2557 PF @ 100 V	-	184W（TC）
SIHG080N60E-GE3	4.9900	RFQ	327	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHG080N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	35A（TC）	10V	80Mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2557 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SI3447BDV-T1-GE3	-	RFQ	5935	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3447	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	12 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	40mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.1W（TA）
SUD25N04-25-E3	-	RFQ	2043	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD25	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	40 V	25A（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	-	3W（3W），33w（tc）
SIHF7N60E-GE3	2.1400	RFQ	1853年	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF7	MOSFET （金属 o化物）	TO-220完整包	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	31W（TC）
SI3499DV-T1-GE3	1.0000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3499	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	8 V	5.3a（ta）	1.5V，4.5V	23mohm @ 7A，4.5V	750mv @ 250µA	42 NC @ 4.5 V	±5V		-	1.1W（TA）
SIA448DJ-T1-GE3	-	RFQ	9720	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA448	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	12A（TC）	1.5V，4.5V	15mohm @ 12.4a，4.5V	1V @ 250µA	35 NC @ 8 V	±8V	1380 pf @ 1 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
SI2316BDS-T1-GE3	0.5900	RFQ	58	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2316	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	4.5A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 3.9a，10v	3V @ 250µA	9.6 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），1.66W（tc）
SI7196DP-T1-GE3	-	RFQ	1331	Vishay Siliconix	WFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7196	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1577 PF @ 15 V	-	5W（5W），41.6W（TC）
SI3453DV-T1-GE3	0.3900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3453	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	3.4A（TC）	4.5V，10V	165mohm @ 2.5a，10v	2.5V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	155 pf @ 15 V	-	3W（TC）
SIHG73N60AE-GE3	11.4800	RFQ	74	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG73	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	60a（TC）	10V	40mohm @ 36.5a，10v	4V @ 250µA	394 NC @ 10 V	±30V	5500 PF @ 100 V	-	417W（TC）
IRFBE30STRLPBF	3.5800	RFQ	7632	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBE30	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	800 v	4.1A（TC）	10V	3ohm @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²