RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQS460EN-T1_BE3	1.2900	RFQ	63	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS460	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）		742-SQS460EN-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	8A（TC）	4.5V，10V	36mohm @ 5.3a，10v	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	755 pf @ 25 V	-	39W（TC）
SQ2318AES-T1_BE3	0.6000	RFQ	57	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2318	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	8A（TC）	4.5V，10V	31MOHM @ 7.9A，10V	2.5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	553 pf @ 20 V	-	3W（TC）
SQ4050EY-T1_BE3	1.0500	RFQ	390	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4050	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	19a（tc）	4.5V，10V	8mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2406 pf @ 20 V	-	6W（TC）
SI2336DS-T1-BE3	0.5100	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2336	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.3A（ta），5.2a（tc）	1.8V，4.5V	42MOHM @ 3.8A，4.5V	1V @ 250µA	15 NC @ 8 V	±8V	560 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），1.8W（tc）
SQ3481EV-T1_BE3	0.6900	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3481	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SQ3481EV-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	7.5A（TC）	4.5V，10V	43mohm @ 5.3a，10v	2.5V @ 250µA	23.5 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 15 V	-	4W（TC）
SQJA60EP-T1_BE3	1.1100	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJA60	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	12.5mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRF730pbf-be3	1.5700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF730PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRFR110TRPBF-BE3	1.0000	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR110	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）		742-IRFR110TRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SUD19N20-90-BE3	3.0700	RFQ	4940	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD19	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）		742-SUD19N20-90-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	19a（tc）	6V，10V	90MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
IRFR310TRPBF-BE3	1.1700	RFQ	72	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR310	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）		742-IRFR310TRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SUD90330E-BE3	1.5800	RFQ	8916	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD90330	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）		742-SUD90330E-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	35.8A（TC）	7.5V，10V	37.5MOHM @ 12.2a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1172 PF @ 100 V	-	125W（TC）
IRFR9310TRLPBF-BE3	1.5800	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9310	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SIHA21N80AE-GE3	2.8000	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha21	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHA21N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	7.5A（TC）	10V	235mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	1388 pf @ 100 V	-	33W（TC）
SIHB17N80AE-GE3	4.1600	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB17	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHB17N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	1260 pf @ 100 V	-	179W（TC）
SIHG11N80AE-GE3	2.7600	RFQ	3565	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG11	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHG11N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	800 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	804 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SIDR626LDP-T1-RE3	3.0400	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR626	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIDR626LDP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	45.6A（ta），2.4a tc）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	5900 PF @ 30 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SIR680LDP-T1-RE3	2.3400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir680	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-		（1 （无限）		742-SIR680LDP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	31.8a（TA），130a （TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	7250 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SQJQ144AE-T1_GE3	2.7700	RFQ	4319	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SQJQ144	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJQ144AE-T1_GE3CT	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	575a（TC）	10V	0.9MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	9020 PF @ 25 V	-	600W（TC）
SIHP11N80AE-GE3	2.0300	RFQ	818	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	804 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SIR626ADP-T1-RE3	2.0600	RFQ	23	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir626	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	40.4A（TA），165a（tc）	6V，10V	1.75MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	3770 pf @ 30 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SIHG105N60EF-GE3	4.3600	RFQ	500	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG105	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	29A（TC）	10V	102MOHM @ 13A，10V	5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1804 PF @ 100 V	-	208W（TC）
V50382-E3	-	RFQ	2405	Vishay Siliconix	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				V50382				-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-V50382-E3TR		0000.00.0000	500				-
SIHA6N80AE-GE3	1.6400	RFQ	849	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±30V	422 PF @ 100 V	-	30W（TC）
SIHA11N80AE-GE3	2.0000	RFQ	7	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	804 PF @ 100 V	-	31W（TC）
SISS30ADN-T1-GE3	1.3500	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS30	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	15.9A（TA），54.7a （TC）	7.5V，10V	8.9MOHM @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1295 PF @ 40 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SI1553CDL-T1-BE3	0.4900	RFQ	1538年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1553	MOSFET （金属 o化物）	290MW（TA），340MW（tc）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1553CDL-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	700mA（700mA ta），700mA tc），400mA（ta（500mA to），TC）		390MOHM @ 700mA，4.5V，850MOHM @ 400mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.8NC @ 10V，3NC @ 10V		38pf @ 10V，43pf @ 10V	-
SI4056ADY-T1-GE3	0.8800	RFQ	2714	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4056	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	5.9a（ta），8.3a tc）		29.2MOHM @ 5.9A，10V	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1330 pf @ 50 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
IRFBC40LCPBF-BE3	4.3900	RFQ	846	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFBC40LCPBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	6.2A（TC）		1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IRF620PBF-BE3	1.1700	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irf620pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	5.2A（TC）		800MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SIHP12N60E-BE3	2.6900	RFQ	475	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-SIHP12N60E-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	12A（TC）		380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	937 PF @ 100 V	-	147W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²