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晶体管（（5716）

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SQM40041EL_GE3	2.8100	RFQ	7816	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM40041	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	23600 PF @ 25 V	-	157W（TC）
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SISS10DN-T1-GE3	1.0200	RFQ	5890	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS10	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	+20V，-16V	3750 pf @ 20 V	-	57W（TC）
SI5933CDC-T1-E3	-	RFQ	4767	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5933	MOSFET （金属 o化物）	2.8W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	3.7a		144mohm @ 2.5a，4.5V	1V @ 250µA	6.8NC @ 5V		276pf @ 10V	-
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sum40n02-12p-e3	-	RFQ	8901	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum40	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	20 v	40a（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	1000 pf @ 10 V	-	3.75W（ta），83W（tc）
sum90100e-ge3	4.0100	RFQ	3633	Vishay Siliconix	Trechfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SUM90100E-GE3	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	150a（TC）	7.5V，10V	11.4mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3930 PF @ 100 V	-	375W（TC）
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SIR167DP-T1-GE3	1.0500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir167	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	111 NC @ 10 V	±25V	4380 pf @ 15 V	-	65.8W（TC）
SI4943CDY-T1-GE3	1.7000	RFQ	6726	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4943	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		20V	8a		19.2MOHM @ 8.3a，10V	3V @ 250µA	62NC @ 10V		1945pf @ 10V	逻辑级别门
SIHF530-GE3	-	RFQ	1771年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHF530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	88W（TC）
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SIA468DJ-T1-GE3	0.6600	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA468	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	37.8A（TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 11a，10v	2.4V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	+20V，-16V	1290 pf @ 15 V	-	19w（tc）
SIR812DP-T1-GE3	-	RFQ	5450	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir812	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.45MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	335 NC @ 10 V	±20V	10240 pf @ 15 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
IRF737LCSTRR	-	RFQ	6748	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF737	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	300 v	6.1A（TC）	10V	750MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²