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![]() | 2N4338 | - | ![]() | 7153 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N4338 | 300兆 | TO-206AA(to-18) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | n通道 | 7pf @ 15V | 50 V | 200 µA @ 15 V | 300 mv @ 100 na | ||||||||||||
![]() | 2N4338-2 | - | ![]() | 3263 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N4338 | 300兆 | TO-206AA(to-18) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | n通道 | 7pf @ 15V | 50 V | 200 µA @ 15 V | 300 mv @ 100 na | ||||||||||||
![]() | 2N4338-E3 | - | ![]() | 8878 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N4338 | 300兆 | TO-206AA(to-18) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | n通道 | 7pf @ 15V | 50 V | 200 µA @ 15 V | 300 mv @ 100 na | ||||||||||||
![]() | 2N4339-2 | - | ![]() | 6614 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N4339 | 300兆 | TO-206AA(to-18) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | n通道 | 7pf @ 15V | 50 V | 500 µA @ 15 V | 600 mv @ 100 na | ||||||||||||
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![]() | 2N5114-E3 | - | ![]() | 6584 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N5114 | TO-206AA(to-18) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | - | - | ||||||||||||||||
![]() | 2N5114JTVL02 | - | ![]() | 8253 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N5114 | TO-206AA(to-18) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||||
![]() | 2N5116-E3 | - | ![]() | 1404 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N5116 | TO-206AA(to-18) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | - | - | ||||||||||||||||
![]() | 2N5116JTXV02 | - | ![]() | 4206 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N5116 | TO-206AA(to-18) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||||
![]() | 2N5432-2 | - | ![]() | 7202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AC,TO-52-3 | 2N5432 | 300兆 | TO-206AC(to-52) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | n通道 | 30pf @ 0v | 25 v | 150 ma @ 15 V | 4 V @ 3 na | ||||||||||||
![]() | 2N5545JTX01 | - | ![]() | 4003 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-71-6 | 2N5545 | TO-71 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | - | - | ||||||||||||||||
![]() | 2N5545JTXV01 | - | ![]() | 8001 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-71-6 | 2N5545 | TO-71 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | - | - | ||||||||||||||||
![]() | 2N5546JTXV01 | - | ![]() | 7477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-71-6 | 2N5546 | TO-71 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||||
![]() | SIRA32DP-T1-RE3 | 1.0600 | ![]() | 5641 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sira32 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 25 v | 60a(TC) | 4.5V,10V | 1.2MOHM @ 15A,10V | 2.2V @ 250µA | 83 NC @ 10 V | +16V,-12V | 4450 pf @ 10 V | - | 65.7W(TC) | |||||||
![]() | SQ4483EY-T1_GE3 | 1.5100 | ![]() | 5274 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SQ4483 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 30A(TC) | 4.5V,10V | 8.5mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 113 NC @ 10 V | ±20V | 4500 pf @ 15 V | - | 7W(TC) | ||||||||
![]() | SQ7415AENW-T1_GE3 | - | ![]() | 3682 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SQ7415 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 16A(TC) | 4.5V,10V | 65MOHM @ 5.7A,10V | 2.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1385 PF @ 25 V | - | 53W(TC) | |||||||
![]() | SQJQ960EL-T1_GE3 | 2.4400 | ![]() | 5774 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®8x8二元 | SQJQ960 | MOSFET (金属 o化物) | 71W | PowerPak®8x8二元 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 63A(TC) | 9mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1950pf @ 25V | - | |||||||||
![]() | SQM100N02-3M5L_GE3 | 2.4700 | ![]() | 7284 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SQM100 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 20 v | 100A(TC) | 4.5V,10V | 3.5MOHM @ 30a,10v | 2.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 5500 pf @ 10 V | - | 150W(TC) | |||||||
![]() | SQS405ENW-T1_GE3 | 1.1100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SQS405 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 16A(TC) | 2.5V,4.5V | 20mohm @ 13.5a,4.5V | 1V @ 250µA | 75 NC @ 8 V | ±8V | 2650 pf @ 6 V | - | 39W(TC) | |||||||
![]() | SIHU2N80E-GE3 | 0.6689 | ![]() | 4396 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | sihu2 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 800 v | 2.8A(TC) | 10V | 2.75ohm @ 1A,10V | 4V @ 250µA | 19.6 NC @ 10 V | ±30V | 315 pf @ 100 V | - | 62.5W(TC) | |||||||
![]() | V30431-T1-GE3 | - | ![]() | 4292 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | V30431 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | V30443-T1-GE3 | - | ![]() | 4810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | V30443 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SIR606BDP-T1-RE3 | 1.4600 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir606 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 10.9a(ta),38.7a(tc) | 7.5V,10V | 17.4mohm @ 10a,10v | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 1470 pf @ 50 V | - | 5W(5W),62.5W(TC) | |||||||
![]() | SI4850BDY-T1-GE3 | 0.9800 | ![]() | 7873 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4850 | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 8.4a(ta),11.3a(tc) | 4.5V,10V | 19.5mohm @ 10a,10v | 2.8V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 790 pf @ 30 V | - | 2.5W(ta),4.5W(TC) |
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