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晶体管（（5716）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） | 电压 -故障（ v br（br）GSS） | 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） | 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID | 电阻-RDS（（在） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI5933DC-T1-GE3 | - |  | 3407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | SI5933 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2（p 通道（双） | 20V | 2.7a | 110MOHM @ 2.7a，4.5V | 1V @ 250µA | 7.7nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||||||
 | SI64666666ADQ-T1-GE3 | - | | 6212 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | SI6466 | MOSFET （金属 o化物） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6.8a（ta） | 2.5V，4.5V | 14mohm @ 8.1a，4.5V | 450mv @ 250µA（250µA）） | 27 NC @ 5 V | ±8V | - | 1.05W（TA） | |||||||||
 | SI7114ADN-T1-GE3 | 0.9400 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7114 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 35A（TC） | 4.5V，10V | 7.5MOHM @ 18A，10V | 2.5V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±20V | 1230 pf @ 15 V | - | 3.7W（TA），39W（tc） | |||||||||
| SI7302DN-T1-GE3 | - | | 2381 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7302 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 220 v | 8.4A（TC） | 4.5V，10V | 320MOHM @ 2.3A，10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ±20V | 645 pf @ 15 V | - | 3.8W（TA），52W（TC） | ||||||||
 | SIHP30N60E-E3 | - | | 9155 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-220-3 | SIHP30 | MOSFET （金属 o化物） | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | SIHP30N60EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 29A（TC） | 10V | 125mohm @ 15a，10v | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ±30V | 2600 PF @ 100 V | - | 250W（TC） | ||||||||
 | SIRA06DP-T1-GE3 | 1.1800 | | 710 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sira06 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 40a（TC） | 4.5V，10V | 2.5MOHM @ 15A，10V | 2.2V @ 250µA | 77 NC @ 10 V | +20V，-16V | 3595 pf @ 15 V | - | 5W（5W），62.5W（TC） | |||||||||
| SIHP10N40D-E3 | 0.8761 | | 1020 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-220-3 | SIHP10 | MOSFET （金属 o化物） | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 400 v | 10A（TC） | 10V | 600MOHM @ 5A，10V | 5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±30V | 526 pf @ 100 V | - | 147W（TC） | |||||||||
 | SIHH14N65EF-T1-GE3 | 5.4100 | | 3783 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | SIHH14 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®8X8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 650 v | 15A（TC） | 10V | 271MOHM @ 7A，10V | 4V @ 250µA | 98 NC @ 10 V | ±30V | 1749 PF @ 100 V | - | 156W（TC） | |||||||||
| SIHH24N65EF-T1-GE3 | 4.2342 | | 7509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | SIHH24 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®8X8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 650 v | 23A（TC） | 10V | 158mohm @ 12a，10v | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±30V | 2780 pf @ 100 V | - | 202W（TC） | |||||||||
 | 2N6660JAN02 | - | | 6560 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | - | - | 2N6660 | - | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | SQJ946EP-T1_GE3 | 0.9100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ946 | MOSFET （金属 o化物） | 27W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 40V | 15A（TC） | 33mohm @ 7a，10v | 2.5V @ 250µA | 20NC @ 10V | 600pf @ 25V | - | |||||||||||
 | SQ4080EY-T1_GE3 | 1.3300 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SQ4080 | MOSFET （金属 o化物） | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 150 v | 18A（TC） | 10V | 85mohm @ 10a，10v | 4V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±20V | 1590 pf @ 75 V | - | 7.1W（TC） | |||||||||
 | SIHG15N60E-GE3 | 3.3200 | | 7640 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-247-3 | SIHG15 | MOSFET （金属 o化物） | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 15A（TC） | 10V | 280MOHM @ 8A，10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ±30V | 1350 pf @ 100 V | - | 180W（TC） | |||||||||
 | SQD90P04-9M4L_GE3 | 2.7600 | | 88 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 | SQD90 | MOSFET （金属 o化物） | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P通道 | 40 V | 90A（TC） | 4.5V，10V | 9.4mohm @ 17a，10v | 2.5V @ 250µA | 155 NC @ 10 V | ±20V | 6675 PF @ 20 V | - | 136W（TC） | |||||||||
| SI7456DDP-T1-GE3 | 1.6700 | | 9553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7456 | MOSFET （金属 o化物） | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 27.8A（TC） | 4.5V，10V | 23mohm @ 10a，10v | 2.8V @ 250µA | 29.5 NC @ 10 V | ±20V | 900 PF @ 50 V | - | 5W（5W），35.7W（TC） | |||||||||
 | SIHP8N50D-GE3 | 1.4000 | | 280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-220-3 | SIHP8 | MOSFET （金属 o化物） | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 8.7A（TC） | 10V | 850MOHM @ 4A，10V | 5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±30V | 527 PF @ 100 V | - | 156W（TC） | |||||||||
 | SI8809EDB-T2-E1 | - | | 9905 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 4-XFBGA | SI8809 | MOSFET （金属 o化物） | 4微米 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 1.94（ta） | 1.8V，4.5V | 90MOHM @ 1.5A，4.5V | 900mv @ 250µA | 15 NC @ 8 V | ±8V | - | 500MW（TA） | |||||||||
 | SIR770DP-T1-GE3 | 1.1800 | | 7601 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | Sir770 | MOSFET （金属 o化物） | 17.8W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 8a | 21mohm @ 8a，10v | 2.8V @ 250µA | 21NC @ 10V | 900pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||||||||
 | SST204-E3 | - | | 3203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SST204 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n通道 | 4.5pf @ 15V | 40 V | 200 µA @ 15 V | 300 mv @ 10 na | ||||||||||||||
| SST204-T1-E3 | - | | 8684 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SST204 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 4.5pf @ 15V | 25 v | 200 µA @ 15 V | 300 mv @ 10 na | ||||||||||||||
| SST4119-T1-E3 | - | | 4656 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SST4119 | 350兆 | TO-236 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 3pf @ 10V | 40 V | 200 µA @ 10 V | 2 V @ 1 na | ||||||||||||||
| SST5486-E3 | - | | 7733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SST5486 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n通道 | 5pf @ 15V | 25 v | 8 ma @ 15 V | 2 V @ 10 na | ||||||||||||||
| SST5486-T1-E3 | - | | 8951 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SST5486 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 5pf @ 15V | 25 v | 8 ma @ 15 V | 2 V @ 10 na | ||||||||||||||
| U290-E3 | - | | 1859年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-206AC，TO-52-3 | U290 | 500兆 | TO-206AC（to-52） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | n通道 | 160pf @ 0v | 30 V | 500 ma @ 10 V | 4 V @ 3 na | 3欧姆 | |||||||||||||
| IRFP26N60L | - | | 3859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-247-3 | IRFP26 | MOSFET （金属 o化物） | TO-247AC | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 26a（TC） | 10V | 250mohm @ 16a，10v | 5V @ 250µA | 180 NC @ 10 V | ±30V | 5020 PF @ 25 V | - | 470W（TC） | ||||||||
 | SI1034CX-T1-GE3 | 0.3700 | | 129 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | SI1034 | MOSFET （金属 o化物） | 220MW | SC-89（SOT-563F） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 610ma（ta） | 396MOHM @ 500mA，4.5V | 1V @ 250µA | 2NC @ 8V | 43pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||
| SI2366ds-T1-GE3 | 0.4600 | | 1291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | SI2366 | MOSFET （金属 o化物） | SOT-23-3（TO-236） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 5.8A（TC） | 10V | 36mohm @ 4.5A，10V | 2.5V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 335 pf @ 15 V | - | 1.25W（TA），2.1W（TC） | ||||||||
 | 2N4117A-E3 | - | | 2319 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通过洞 | TO-206AF，TO-72-4金属可以 | 2N4117 | 300兆 | to-206af（72） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | n通道 | 3pf @ 10V | 40 V | 30 µA @ 10 V | 600 mv @ 1 na | ||||||||||||||
| 2N4118A-2 | - | | 5189 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通过洞 | TO-206AF，TO-72-4金属可以 | 2N4118 | 300兆 | to-206af（72） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | n通道 | 3pf @ 10V | 40 V | 80 µA @ 10 V | 1 v @ 1 na | ||||||||||||||
| 2N4118A-E3 | - | | 1513年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通过洞 | TO-206AF，TO-72-4金属可以 | 2N4118 | 300兆 | to-206af（72） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | n通道 | 3pf @ 10V | 40 V | 80 µA @ 10 V | 1 v @ 1 na |
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