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![]() | SI4412ADY-T1-GE3 | - | ![]() | 3852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4412 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 5.8A(ta) | 4.5V,10V | 24mohm @ 8a,10v | 1V @ 250µA(250µA) | 20 nc @ 10 V | ±20V | - | 1.3W(TA) | |||||
![]() | SUM110N04-03-E3 | - | ![]() | 3985 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | sum110 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 40 V | 110A(TC) | 10V | 2.8mohm @ 30a,10v | 4V @ 250µA | 250 NC @ 10 V | ±20V | 8250 pf @ 25 V | - | 3.75W(TA),375W(tc) | ||||
SUP60N06-12P-E3 | - | ![]() | 1117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SUP60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SUP60N0612PE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 60 V | 60a(TC) | 10V | 12mohm @ 30a,10v | 4.5V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 1970 pf @ 30 V | - | 3.25W(TA),100W(((((((( | ||||
![]() | SI7633DP-T1-GE3 | 1.6700 | ![]() | 4392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7633 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 60a(TC) | 4.5V,10V | 3.3mohm @ 20a,10v | 3V @ 250µA | 260 NC @ 10 V | ±20V | 9500 PF @ 10 V | - | 6.25W(TA),104W(tc) | |||||
![]() | SI7860ADP-T1-GE3 | - | ![]() | 1441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7860 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 9.5MOHM @ 16a,10v | 3V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 V | ±20V | - | 1.8W(TA) | |||||
![]() | SI7860DP-T1-E3 | - | ![]() | 8623 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7860 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 8mohm @ 18a,10v | 3V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 V | ±20V | - | 1.8W(TA) | |||||
![]() | SI9926BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 6712 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI9926 | MOSFET (金属 o化物) | 1.14W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 20V | 6.2a | 20mohm @ 8.2a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SIR474DP-T1-GE3 | 0.9400 | ![]() | 618 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir474 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 20A(TC) | 10V | 9.5mohm @ 10a,10v | 2.2V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±20V | 985 pf @ 15 V | - | 3.9W(TA),29.8W(TC) | |||||
![]() | SQJ456EP-T1_GE3 | 5.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SQJ456 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 32A(TC) | 6V,10V | 26mohm @ 9.3a,10v | 3.5V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ±20V | 3342 PF @ 25 V | - | 83W(TC) | |||||
![]() | SI5461EDC-T1-GE3 | - | ![]() | 7798 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5461 | MOSFET (金属 o化物) | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 4.5A(ta) | 1.8V,4.5V | 45MOHM @ 5A,4.5V | 450mv @ 250µA(250µA)) | 20 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.3W(TA) | |||||
![]() | SI5475DC-T1-E3 | - | ![]() | 5330 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5475 | MOSFET (金属 o化物) | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 5.5A(ta) | 1.8V,4.5V | 31MOHM @ 5.5A,4.5V | 450mv @ 1ma (最小) | 29 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.3W(TA) | |||||
![]() | SI5504DC-T1-GE3 | - | ![]() | 9316 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5504 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 2.9a,2.1a | 85mohm @ 2.9a,10v | 1V @ 250µA(250µA) | 7.5NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI5903DC-T1-GE3 | - | ![]() | 8859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5903 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 2.1a | 155mohm @ 2.1a,4.5V | 600mv @ 250µA(250µA)) | 6NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 |
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