SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
SQJ415EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_GE3 1.0000
RFQ
ECAD 8070 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SQJ415 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 30A(TC) 4.5V,10V 14mohm @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 25 V - 45W(TC)
SI8451DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8451DB-T2-E1 -
RFQ
ECAD 7660 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6- UFBGA SI8451 MOSFET (金属 o化物) 6-micro脚™(1.5x1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 10.8A(TC) 1.5V,4.5V 80MOHM @ 1A,4.5V 1V @ 250µA 24 NC @ 8 V ±8V 750 pf @ 10 V - 2.77W(TA),13W(tc)
SIE864DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE864DF-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3559 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 10-Polarpak®(U) Sie864 MOSFET (金属 o化物) 10-Polarpak®(U) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 45A(TC) 4.5V,10V 5.6mohm @ 20a,10v 2V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 1510 pf @ 15 V - 5.2W(TA),25W(25W)TC)
SUM90N06-4M4P-E3 Vishay Siliconix SUM90N06-4M4P-E3 -
RFQ
ECAD 3536 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB sum90 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 90A(TC) 10V 4.4mohm @ 20a,10v 4.5V @ 250µA 160 NC @ 10 V ±20V 6190 pf @ 30 V - 3.75W(TA),300W(tc)
SUP50N03-5M1P-GE3 Vishay Siliconix SUP50N03-5M1P-GE3 -
RFQ
ECAD 4450 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SUP50 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 30 V 50A(TC) 4.5V,10V 5.1MOHM @ 22A,10V 2.5V @ 250µA 66 NC @ 10 V ±20V 2780 pf @ 15 V - 2.7W(TA),59.5W(tc)
SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1025X-T1-GE3 0.5100
RFQ
ECAD 61 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 SI1025 MOSFET (金属 o化物) 250MW SC-89(SOT-563F) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2(p 通道(双) 60V 190mA 4ohm @ 500mA,10v 3V @ 250µA 1.7nc @ 15V 23pf @ 25V 逻辑级别门
SI1417EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1417EDH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9164 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SI1417 MOSFET (金属 o化物) SC-70-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 2.7a(ta) 1.8V,4.5V 85mohm @ 3.3a,4.5V 450mv @ 250µA(250µA)) 8 NC @ 4.5 V ±12V - 1W(ta)
SI4670DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4670DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2066 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4670 MOSFET (金属 o化物) 2.8W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 25V 8a 23mohm @ 7a,10v 2.2V @ 250µA 18NC @ 10V 680pf @ 13V 逻辑级别门
IRF9510STRLPBF Vishay Siliconix IRF9510STRLPBF 1.7000
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF9510 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 P通道 100 v 4A(TC) 10V 1.2OHM @ 2.4a,10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 V ±20V 200 pf @ 25 V - 3.7W(ta),43W(tc)
IRF9640STRLPBF Vishay Siliconix IRF9640STRLPBF 2.4000
RFQ
ECAD 60 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF9640 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 P通道 200 v 11A(TC) 10V 500MOHM @ 6.6a,10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±20V 1200 pf @ 25 V - (3W)(125W(ta)(TC)
SI1069X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1069X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4696 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 SI1069 MOSFET (金属 o化物) SC-89(SOT-563F) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 970ma(ta) 2.5V,4.5V 184mohm @ 940mA,4.5V 1.5V @ 250µA 6.86 NC @ 5 V ±12V 308 pf @ 10 V - 236MW(TA)
SI2301CDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2301CDS-T1-E3 0.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SI2301 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 3.1A(TC) 2.5V,4.5V 112MOHM @ 2.8A,4.5V 1V @ 250µA 10 NC @ 4.5 V ±8V 405 pf @ 10 V - (860MW)(TA),1.6W(tc)
SI3442BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3442BDV-T1-GE3 0.2284
RFQ
ECAD 3719 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3442 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 3A(3A) 2.5V,4.5V 57MOHM @ 4A,4.5V 1.8V @ 250µA 5 NC @ 4.5 V ±12V 295 pf @ 10 V - 860MW(TA)
SI4128DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4128DY-T1-E3 0.6300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4128 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 10.9a(ta) 4.5V,10V 24mohm @ 7.8a,10v 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 435 pf @ 15 V - 2.4W(ta),5W((((((((
SI4186DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4186DY-T1-GE3 1.2100
RFQ
ECAD 69 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4186 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 20 v 35.8A(TC) 4.5V,10V 2.6mohm @ 15a,10v 2.4V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 3630 PF @ 10 V - (3w(ta),6w(tc)
SI4368DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4368DY-T1-GE3 1.6199
RFQ
ECAD 9784 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4368 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 17A(TA) 4.5V,10V 3.2MOHM @ 25A,10V 1.8V @ 250µA 80 NC @ 4.5 V ±12V 8340 pf @ 15 V - 1.6W(TA)
SI4410BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4410BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8121 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4410 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 7.5A(ta) 4.5V,10V 13.5MOHM @ 10A,10V 3V @ 250µA 20 nc @ 5 V ±20V - 1.4W(TA)
SI4412ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4412ADY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3852 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4412 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 5.8A(ta) 4.5V,10V 24mohm @ 8a,10v 1V @ 250µA(250µA) 20 nc @ 10 V ±20V - 1.3W(TA)
SUM110N04-03-E3 Vishay Siliconix SUM110N04-03-E3 -
RFQ
ECAD 3985 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB sum110 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 40 V 110A(TC) 10V 2.8mohm @ 30a,10v 4V @ 250µA 250 NC @ 10 V ±20V 8250 pf @ 25 V - 3.75W(TA),375W(tc)
SUP60N06-12P-E3 Vishay Siliconix SUP60N06-12P-E3 -
RFQ
ECAD 1117 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SUP60 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SUP60N0612PE3 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 60 V 60a(TC) 10V 12mohm @ 30a,10v 4.5V @ 250µA 55 NC @ 10 V ±20V 1970 pf @ 30 V - 3.25W(TA),100W((((((((
SI7633DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7633DP-T1-GE3 1.6700
RFQ
ECAD 4392 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7633 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 60a(TC) 4.5V,10V 3.3mohm @ 20a,10v 3V @ 250µA 260 NC @ 10 V ±20V 9500 PF @ 10 V - 6.25W(TA),104W(tc)
SI7860ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7860ADP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1441 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7860 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 11a(11a) 4.5V,10V 9.5MOHM @ 16a,10v 3V @ 250µA 18 nc @ 4.5 V ±20V - 1.8W(TA)
SI7860DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7860DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8623 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7860 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 11a(11a) 4.5V,10V 8mohm @ 18a,10v 3V @ 250µA 18 nc @ 4.5 V ±20V - 1.8W(TA)
SI9926BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9926BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6712 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI9926 MOSFET (金属 o化物) 1.14W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 20V 6.2a 20mohm @ 8.2a,4.5V 1.5V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 逻辑级别门
SIR474DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR474DP-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 618 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir474 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 20A(TC) 10V 9.5mohm @ 10a,10v 2.2V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±20V 985 pf @ 15 V - 3.9W(TA),29.8W(TC)
SQJ456EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ456EP-T1_GE3 5.2000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SQJ456 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 32A(TC) 6V,10V 26mohm @ 9.3a,10v 3.5V @ 250µA 63 NC @ 10 V ±20V 3342 PF @ 25 V - 83W(TC)
SI5461EDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5461EDC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7798 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5461 MOSFET (金属 o化物) 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 4.5A(ta) 1.8V,4.5V 45MOHM @ 5A,4.5V 450mv @ 250µA(250µA)) 20 NC @ 4.5 V ±12V - 1.3W(TA)
SI5475DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5475DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5330 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5475 MOSFET (金属 o化物) 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 5.5A(ta) 1.8V,4.5V 31MOHM @ 5.5A,4.5V 450mv @ 1ma (最小) 29 NC @ 4.5 V ±8V - 1.3W(TA)
SI5504DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5504DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9316 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5504 MOSFET (金属 o化物) 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 2.9a,2.1a 85mohm @ 2.9a,10v 1V @ 250µA(250µA) 7.5NC @ 10V - 逻辑级别门
SI5903DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5903DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8859 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5903 MOSFET (金属 o化物) 1.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 20V 2.1a 155mohm @ 2.1a,4.5V 600mv @ 250µA(250µA)) 6NC @ 4.5V - 逻辑级别门
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    每日平均RFQ量

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