RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4884BDY-T1-GE3	-	RFQ	2948	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4884	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	16.5A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1525 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），4.45W（TC）
SI1563DH-T1-E3	-	RFQ	3040	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1563	MOSFET （金属 o化物）	570MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	1.13a，880mA		280MOHM @ 1.13A，4.5V	1V @ 100µA	2NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI7370DP-T1-GE3	3.0700	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7370	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	9.6a（ta）	10V	11mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI1441EDH-T1-GE3	0.5300	RFQ	9255	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1441	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4A（TC）	1.8V，4.5V	41MOHM @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 8 V	±10V		-	2.8W（TC）
IRL630	-	RFQ	8024	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL630	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	9A（TC）	4V，5V	400MOHM @ 5.4A，5V	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	1100 PF @ 25 V	-	74W（TC）
IRFI620GPBF	1.7500	RFQ	896	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI620GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	4.1A（TC）	10V	800MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	30W（TC）
IRFI530GPBF	1.9200	RFQ	973	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI530GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	9.7a（TC）	10V	160MOHM @ 5.8A，10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IRFI634GPBF	2.3300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI634	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI634GPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	250 v	5.6A（TC）	10V	450MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SI3430DV-T1-GE3	1.2500	RFQ	8822	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3430	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	1.8A（ta）	6V，10V	170MOHM @ 2.4a，10V	2V @ 250µA（）	6.6 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
IRFI840GLC	-	RFQ	7984	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI840	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI840GLC	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	4.5A（TC）	10V	850MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	40W（TC）
SI2304BDS-T1-GE3	0.4700	RFQ	105	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2304	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	2.6a（ta）	4.5V，10V	70MOHM @ 2.5A，10V	3V @ 250µA	4 NC @ 5 V	±20V	225 pf @ 15 V	-	750MW（TA）
SUD50N03-06AP-E3	1.5500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	90A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 20A，10V	2.4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 15 V	-	（10W）（ta），83W（tc）
SIHD5N50D-E3	1.2400	RFQ	6018	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD5	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	5.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	325 pf @ 100 V	-	104W（TC）
SI1012R-T1-E3	-	RFQ	2432	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1012	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	500mA（ta）	1.8V，4.5V	700MOHM @ 600mA，4.5V	900mv @ 250µA	0.75 NC @ 4.5 V	±6V		-	150MW（TA）
SUD50P06-15L-E3	2.6600	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 17a，10v	3V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±20V	4950 pf @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
SQ3457EV-T1_BE3	0.6900	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3457	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	-		（1 （无限）		742-SQ3457EV-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6.8A（TC）	4.5V，10V	65mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	705 pf @ 15 V	-	5W（TC）
SI3465DV-T1-GE3	-	RFQ	2979	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3465	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3A（3A）	4.5V，10V	80mohm @ 4A，10V	3V @ 250µA	5.5 NC @ 5 V	±20V		-	1.14W（TA）
IRFR310TRR	-	RFQ	9513	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
irfr110trl	-	RFQ	3210	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRF740LCSTRR	-	RFQ	7668	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	-
SI2308BDS-T1-GE3	0.5500	RFQ	65	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2308	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	2.3a（TC）	4.5V，10V	156mohm @ 1.9a，10v	3V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	190 pf @ 30 V	-	1.09W（TA），1.66W（tc）
SIR890DP-T1-GE3	-	RFQ	2659	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir890	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	50A（TC）	4.5V，10V	2.9mohm @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2747 PF @ 10 V	-	5W（5W），50W（50W）TC）
SI2323DS-T1-GE3	0.7300	RFQ	332	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2323	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	3.7a（ta）	1.8V，4.5V	39MOHM @ 4.7A，4.5V	1V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±8V	1020 pf @ 10 V	-	750MW（TA）
SI6459BDQ-T1-GE3	-	RFQ	6462	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6459	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	2.2A（ta）	4.5V，10V	115mohm @ 2.7a，10v	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V		-	1W（ta）
SI2351DS-T1-GE3	-	RFQ	2309	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2351	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.8A（TC）		115MOHM @ 2.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.1 NC @ 5 V		250 pf @ 10 V	-
sihu7n60e-ge3	1.8300	RFQ	2344	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	sihu7	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	78W（TC）
SIHB12N65E-GE3	2.9300	RFQ	729	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB12	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	1224 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SI4401FDY-T1-GE3	0.8800	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4401	MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	9.9a（ta），14a （TC）	4.5V，10V	14.2MOHM @ 10A，10V	2.3V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	4000 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SQD40081EL_GE3	1.3700	RFQ	2265	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40081	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	50A（TC）	10V	8.5mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	9950 PF @ 25 V	-	71W（TC）
SQ1464EEH-T1_GE3	0.5000	RFQ	41	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1464	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	440ma（tc）	1.5V	1.41OHM @ 2a，1.5V	1V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±8V	140 pf @ 25 V	-	430MW（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²