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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFBC20SPBF	2.9100	RFQ	4392	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SIA447DJ-T1-GE3	0.4800	RFQ	100	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA447	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	12A（TC）	1.5V，4.5V	13.5MOHM @ 7A，4.5V	850mv @ 250µA	80 NC @ 8 V	±8V	2880 pf @ 6 V	-	19w（tc）
SI2318DS-T1-BE3	0.5300	RFQ	20	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2318DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	40 V	3A（3A）	4.5V，10V	45mohm @ 3.9a，10v	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 20 V	-	750MW（TA）
SUP40P10-43-GE3	-	RFQ	6733	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		P通道	100 v	36a（TC）	4.5V，10V	43mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 50 V	-	2W（TA），125W（125W）（TC）
sihu5n80ae-ge3	1.1900	RFQ	5530	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	sihu5	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHU5N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	800 v	4.4A（TC）	10V	1.35OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±30V	321 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
SI8404DB-T1-E1	-	RFQ	1558年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8404	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	8 V	12.2A（TC）	1.8V，4.5V	31MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 5 V	±5V	1950 pf @ 4 V	-	2.78W（ta），6.25W（tc）
SUD50N06-07L-E3	-	RFQ	2680	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	96A（TC）	4.5V，10V	7.4mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	144 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	136W（TC）
SIDR510EP-T1-RE3	3.0500	RFQ	7529	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	100 v	33A（TA），148a （TC）	7.5V，10V	3.6mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	4980 pf @ 50 V	-	7.5W（ta），150W（TC）
SI6969DQ-T1-GE3	-	RFQ	9139	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6969	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	-		34mohm @ 4.6A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	40NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF9630STRL	-	RFQ	8433	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	200 v	6.5A（TC）	10V	800MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
SIS413DN-T1-GE3	0.5900	RFQ	3513	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS413	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	18A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	4280 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
IRFR9110TRRPBF	0.6762	RFQ	9849	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFIBC40GPBF	3.9000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBC40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIBC40GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	3.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.1a，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRFI9630GPBF	2.7500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI9630GPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	4.3A（TC）	10V	800MOHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SI3457CDV-T1-E3	0.6400	RFQ	14	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3457	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	5.1A（TC）	4.5V，10V	74mohm @ 4.1A，10V	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 15 V	-	3W（TC）
SI5415AEDU-T1-GE3	-	RFQ	9659	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5415	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®芯片单	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	25A（TC）	1.8V，4.5V	9.6mohm @ 10a，4.5V	1V @ 250µA	120 NC @ 8 V	±8V	4300 PF @ 10 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
IRFBC30	-	RFQ	4202	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC30	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SI7464DP-T1-E3	1.8900	RFQ	1559年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7464	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	1.8A（ta）	6V，10V	240MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	1.8W（TA）
IRFU9220PBF	2.2900	RFQ	5894	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9220	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu9220pbf	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	200 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFP460	-	RFQ	5606	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP460	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	20A（TC）	10V	270MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	280W（TC）
SI4464DY-T1-GE3	1.4000	RFQ	3268	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4464	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	1.7A（TA）	6V，10V	240mohm @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SIHF065N60E-GE3	6.8400	RFQ	270	Vishay Siliconix	e	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF065	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	40a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 100 V	-	39W（TC）
SQ2351ES-T1_GE3	0.6000	RFQ	21	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2351	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.2A（TC）	2.5V，4.5V	115MOHM @ 2.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±12V	330 pf @ 10 V	-	2W（TC）
IRFI830GPBF	1.8000	RFQ	900	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	3.1A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRFP240pbf	2.9500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP240	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP240pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	200 v	20A（TC）	10V	180mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF830APBF	1.5700	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF830APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SIHG30N60E-GE3	6.4000	RFQ	522	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SI1539DL-T1-E3	-	RFQ	4817	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1539	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		30V	540mA，420mA		480MOHM @ 590mA，10V	2.6V @ 250µA	1.4NC @ 10V		-	逻辑级别门
SQM100N10-10_GE3	3.1200	RFQ	593	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM100	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	100A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	8050 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRFPS35N50LPBF	-	RFQ	4794	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS35	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPS35N50LPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	34A（TC）	10V	145mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±30V	5580 pf @ 25 V	-	450W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²