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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQ4483EY-T1_BE3	1.5100	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4483	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±20V	4500 pf @ 15 V	-	7W（TC）
SI3590DV-T1-E3	0.7600	RFQ	279	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3590	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		30V	2.5a，1.7a		77MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 250µA	4.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI7884BDP-T1-E3	2.9200	RFQ	4517	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7884	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	58A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 16a，10v	3V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	3540 pf @ 20 V	-	4.6W（46W），46w（tc）
SI7380ADP-T1-GE3	-	RFQ	9647	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7380	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 20a，10v	1.6V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±12V	7785 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
IRF9Z34PBF-BE3	1.8300	RFQ	105	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9Z34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF9Z34PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	18A（TC）		140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	88W（TC）
IRF610	-	RFQ	3831	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF610	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF610	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	36W（TC）
SI1413DH-T1-GE3	-	RFQ	3621	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1413	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.3a（ta）	1.8V，4.5V	115mohm @ 2.9a，4.5V	800mv @ 100µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	1W（ta）
SIRA26DP-T1-RE3	0.7300	RFQ	1009	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira26	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	60a（TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	44 NC @ 10 V	+16V，-12V	2247 PF @ 10 V	-	43.1W（TC）
IRFR224TRPBF	1.7000	RFQ	210	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR224	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	250 v	3.8A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI2302ADS-T1-E3	-	RFQ	9440	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2302	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.1a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 3.6A，4.5V	1.2V @ 50µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	300 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
SIHF12N65E-GE3	2.5600	RFQ	4502	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	1224 PF @ 100 V	-	33W（TC）
IRF730BPBF	1.1400	RFQ	1572年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	311 PF @ 100 V	-	104W（TC）
SIDR668DP-T1-GE3	2.9300	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR668	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	23.2A（ta），95a（tc）	7.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	3.4V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 50 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SQ2303ES-T1_GE3	0.5300	RFQ	20	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2303	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.5A（TC）	4.5V，10V	170MOHM @ 1.8A，10V	2.5V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	210 pf @ 25 V	-	1.9W（TC）
SI7962DP-T1-E3	-	RFQ	4984	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7962	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	7.1a		17mohm @ 11.1a，10v	4.5V @ 250µA	70NC @ 10V		-	-
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SI7901EDN-T1-E3	-	RFQ	9765	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7901	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.3a		48mohm @ 6.3a，4.5V	1V @ 800µA	18NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFU214	-	RFQ	6693	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu2	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU214	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI7812DN-T1-GE3	2.0800	RFQ	58	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7812	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	75 v	16A（TC）	4.5V，10V	37MOHM @ 7.2A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	840 pf @ 35 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SI7980DP-T1-E3	-	RFQ	2807	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7980	MOSFET （金属 o化物）	19.8W，21.9W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		20V	8a		22mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	27nc @ 10V		1010pf @ 10V	-
SI1403BDL-T1-GE3	0.5200	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1403	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	150MOHM @ 1.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	4.5 NC @ 4.5 V	±12V		-	625MW（TA）
SIHP065N60E-GE3	7.2600	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP065	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	40a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SQJ942EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ942	MOSFET （金属 o化物）	17W，48W	PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	15A（TC），45A （TC）		22mohm @ 7.8a，10v，11mohm @ 10.1a，10v	2.3V @ 250µA	19.7nc @ 10v，33.8nc @ 10v		809pf @ 20v，1451pf @ 20V	-
SIR670DP-T1-GE3	1.2100	RFQ	317	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir670	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	2.8V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	2815 PF @ 30 V	-	5W（5W），56.8W（TC）
SIE800DF-T1-E3	-	RFQ	6503	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（S）	Sie800	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 11A，10V	3V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SIHH28N60E-T1-GE3	3.2036	RFQ	3483	Vishay Siliconix	e	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH28	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	29A（TC）	10V	98mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	129 NC @ 10 V	±30V	2614 PF @ 100 V	-	202W（TC）
SI4090BDY-T1-GE3	1.4900	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	12.2A（ta），18.7a tc）	6V，10V	10mohm @ 12.2a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3570 pf @ 50 V	-	3.1W（TA），7.4W（TC）
SIA430DJT-T4-GE3	0.1781	RFQ	2613	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA430	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	（12A）（12a），12a （TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 7A，10V	3V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	800 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
SQJA88EP-T1_GE3	0.9600	RFQ	3630	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA88	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	7MOHM @ 8A，10V	2.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IRFBC20SPBF	2.9100	RFQ	4392	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²