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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF9530PBF-BE3	1.8100	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF9530PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	12A（TC）		300MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	88W（TC）
SIS184LDN-T1-GE3	1.6100	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	18.7a（ta），69.4a （TC）	4.5V，10V	5.4mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 30 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
IRF9610pbf	1.6700	RFQ	12	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9610	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9610PBF	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	20W（TC）
SIJ438DP-T1-GE3	1.7300	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sij438	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	80A（TC）	4.5V，10V	1.35MOHM @ 20A，10V	2.4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	+20V，-16V	9400 PF @ 20 V	-	69.4W（TC）
SI3805DV-T1-E3	-	RFQ	3285	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3805	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.3A（TC）	2.5V，10V	84mohm @ 3a，10v	1.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±12V	330 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.1W（1.1W），1.4W（TC）
SI1970DH-T1-GE3	-	RFQ	7197	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1970	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	1.3a		225mohm @ 1.2A，4.5V	1.6V @ 250µA	3.8NC @ 10V		95pf @ 15V	逻辑级别门
SI1563EDH-T1-GE3	-	RFQ	5067	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1563	MOSFET （金属 o化物）	570MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	1.13a，880mA		280MOHM @ 1.13A，4.5V	1V @ 100µA	1NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIDR680ADP-T1-RE3	2.4900	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR680	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	-		（1 （无限）		742-SIDR680ADP-T1-RE3DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	30.7a（TA），137A （TC）	7.5V，10V	2.88mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	4415 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SIA430DJ-T4-GE3	-	RFQ	9778	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA430	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	（12A）（12a），12a （TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 7A，10V	3V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	800 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
IRFI820G	-	RFQ	1818年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI820	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFI820G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	2.1A（TC）	10V	3ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	30W（TC）
SIR474DP-T1-RE3	0.3517	RFQ	5084	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir474	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	985 pf @ 15 V	-	29.8W（TC）
SI4435BDY-T1-E3	-	RFQ	8069	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4435	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	7a（ta）	4.5V，10V	20mohm @ 9.1a，10v	3V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI7960DP-T1-GE3	-	RFQ	5090	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7960	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	6.2a		21mohm @ 9.7a，10v	3V @ 250µA	75nc @ 10V		-	逻辑级别门
IRLZ44STRR	-	RFQ	4563	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ44	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	50A（TC）	4V，5V	28mohm @ 31a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	3300 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
IRFZ48STRR	-	RFQ	3451	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ48	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	50A（TC）	10V	18mohm @ 43a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.7W（190W）（TC）
SI3590DV-T1-GE3	0.9100	RFQ	196	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3590	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		30V	2.5a，1.7a		77MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 250µA	4.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFBC30APBF	3.0700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC30APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SIHB12N50E-GE3	2.3900	RFQ	5146	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB12	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	10.5A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	886 pf @ 100 V	-	114W（TC）
SQJA96EP-T1_GE3	1.0600	RFQ	4176	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA96	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	30A（TC）	10V	21.5mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	48W（TC）
SI3424DV-T1-E3	-	RFQ	3434	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3424	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	5A（5A）		28mohm @ 6.7a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	18 nc @ 10 V			-
IRFD224	-	RFQ	1112	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD224	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFD224	Ear99	8541.29.0095	100		n通道	250 v	630ma（ta）	10V	1.1OHM @ 380mA，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SQD45N05-20L-GE3	-	RFQ	7082	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD45	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	50 V	50A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），75W（（（ta）
IRLL014TRPBF-BE3	0.8800	RFQ	31	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		（1 （无限）		742-IRLL014TRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	2.7A（TC）	4V，5V	200mohm @ 1.6A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRFBF30STRR	-	RFQ	8102	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBF30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFD020PBF	1.5900	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD020	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	50 V	2.4A（TC）	10V	100mohm @ 1.4a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	1W（TC）
SI6415DQ-T1-GE3	1.8600	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6415	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6.4a（ta）	4.5V，10V	19mohm @ 6.5a，10v	1V @ 250µA（250µA）	70 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI5411EDU-T1-GE3	-	RFQ	2253	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5411	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®芯片单	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	25A（TC）	1.8V，4.5V	8.2MOHM @ 6A，4.5V	900mv @ 250µA	105 NC @ 8 V	±8V	4100 PF @ 6 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SIDR638DP-T1-GE3	2.0800	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR638	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.88MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	204 NC @ 10 V	+20V，-16V	10500 PF @ 20 V	-	125W（TC）
IRF9530STRLPBF	2.6300	RFQ	371	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	12A（TC）	10V	300MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SIHG44N65EF-GE3	9.8500	RFQ	7038	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG44	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	650 v	46A（TC）	10V	73mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	278 NC @ 10 V	±30V	5892 PF @ 100 V	-	417W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²