SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
SI3442BDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3442BDV-T1-E3 0.5900
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3442 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 3A(3A) 2.5V,4.5V 57MOHM @ 4A,4.5V 1.8V @ 250µA 5 NC @ 4.5 V ±12V 295 pf @ 10 V - 860MW(TA)
SQJQ466E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ466E-T1_GE3 2.8100
RFQ
ECAD 7656 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®8X8 SQJQ466 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®8X8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 200a(TC) 10V 1.9mohm @ 10a,10v 3.5V @ 250µA 180 NC @ 10 V ±20V 10210 PF @ 25 V - 150W(TC)
SIZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF906DT-T1-GE3 1.6700
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜150°C(TA) 表面安装 8-Powerwdfn SIZF906 MOSFET (金属 o化物) 38W(TC),83W(tc) 8-Powerpair®(6x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(半桥) 30V 60a(TC) 3.8mohm @ 15A,10V,1.17MOHM @ 20a,10v 2.2V @ 250µA 22nc @ 4.5V,92NC @ 4.5V 2000pf @ 15V,8200pf @ 15V -
SI7949DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7949DP-T1-GE3 1.6400
RFQ
ECAD 9164 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7949 MOSFET (金属 o化物) 1.5W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 60V 3.2a 64mohm @ 5A,10V 3V @ 250µA 40NC @ 10V - 逻辑级别门
IRFPG40PBF Vishay Siliconix IRFPG40pbf 5.7000
RFQ
ECAD 68 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFPG40 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRFPG40PBF Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 4.3A(TC) 10V 3.5OHM @ 2.6a,10V 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 25 V - 150W(TC)
SIHA24N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHA24N80AE-GE3 3.4600
RFQ
ECAD 794 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 Siha24 MOSFET (金属 o化物) TO-220完整包 - (1 (无限) 742-SIHA24N80AE-GE3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 9A(TC) 184mohm @ 10a,10v 4V @ 250µA 89 NC @ 10 V ±30V 1836 PF @ 100 V - 35W(TC)
IRFU9310 Vishay Siliconix IRFU9310 -
RFQ
ECAD 6266 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA IRFU9 MOSFET (金属 o化物) TO-251AA 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFU9310 Ear99 8541.29.0095 75 P通道 400 v 1.8A(TC) 10V 7ohm @ 1.1a,10v 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 270 pf @ 25 V - 50W(TC)
SI5404BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5404BDC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9695 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5404 MOSFET (金属 o化物) 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 5.4A(ta) 2.5V,4.5V 28mohm @ 5.4a,4.5V 1.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 V ±12V - 1.3W(TA)
IRLR120TRLPBF Vishay Siliconix IRLR120TRLPBF 1.6500
RFQ
ECAD 1367 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRLR120 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 7.7A(TC) 4V,5V 270MOHM @ 4.6A,5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 V ±10V 490 pf @ 25 V - 42W(TC)
SIR862DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR862DP-T1-GE3 0.6027
RFQ
ECAD 4261 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sir862 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 25 v 50A(TC) 4.5V,10V 2.8mohm @ 15a,10v 2.3V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 3800 PF @ 10 V - 5.2W(ta),69w(tc)
IRFZ34PBF Vishay Siliconix IRFZ34PBF 1.8800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRFZ34 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *irfz34pbf Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 30A(TC) 10V 50mohm @ 18a,10v 4V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 1200 pf @ 25 V - 88W(TC)
IRF9530 Vishay Siliconix IRF9530 -
RFQ
ECAD 8795 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF9530 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRF9530 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 100 v 12A(TC) 10V 300MOHM @ 7.2A,10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 860 pf @ 25 V - 88W(TC)
SI7469DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7469DP-T1-GE3 2.6600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7469 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 80 V 28a(TC) 4.5V,10V 25mohm @ 10.2a,10v 3V @ 250µA 160 NC @ 10 V ±20V 4700 PF @ 40 V - 5.2W(ta),83.3W(tc)
SI7997DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7997DP-T1-GE3 2.2000
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7997 MOSFET (金属 o化物) 46W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 30V 60a 5.5MOHM @ 20A,10V 2.2V @ 250µA 160NC @ 10V 6200pf @ 15V -
IRFD9014 Vishay Siliconix IRFD9014 -
RFQ
ECAD 3798 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) IRFD9014 MOSFET (金属 o化物) 4-HVMDIP 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFD9014 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 1.1A(TA) 10V 500MOHM @ 660mA,10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 270 pf @ 25 V - 1.3W(TA)
SISS76LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS76LDN-T1-GE3 1.3300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8SH SISS76 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8SH 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SISS76LDN-T1-GE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 70 v 19.6a(ta),67.4a (TC) 3.3V,4.5V 6.25mohm @ 10a,4.5V 1.6V @ 250µA 33.5 NC @ 4.5 V ±12V 2780 pf @ 35 V - 4.8W(ta),57W(TC)
SQJ570EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ570EP-T1_BE3 1.1000
RFQ
ECAD 7498 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ570 MOSFET (金属 o化物) 27W(TC) POWERPAK®SO-8 下载 (1 (无限) 742-SQJ570EP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 100V (15A)(TC),9.5A (TC) 45mohm @ 6a,10v,146Mohm @ 6a,10v 2.5V @ 250µA 15nc @ 10v,20nc @ 10V 600pf @ 25V,650pf @ 25V -
SQM120N06-3M5L_GE3 Vishay Siliconix SQM120N06-3M5L_GE3 4.2600
RFQ
ECAD 4672 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SQM120 MOSFET (金属 o化物) TO-263 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 120A(TC) 4.5V,10V 3.5mohm @ 29a,10v 2.5V @ 250µA 330 NC @ 10 V ±20V 14700 PF @ 25 V - 375W(TC)
SI7682DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7682DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6851 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7682 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 20A(TC) 4.5V,10V 9mohm @ 20a,10v 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 1595 pf @ 15 V - 5W(5W),27.5W(TC)
IRFU110 Vishay Siliconix IRFU110 -
RFQ
ECAD 7158 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA irfu1 MOSFET (金属 o化物) TO-251AA 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFU110 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 100 v 4.3A(TC) 10V 540MOHM @ 900mA,10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ±20V 180 pf @ 25 V - 25W(TC)
IRFR9024 Vishay Siliconix IRFR9024 -
RFQ
ECAD 1320 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR9024 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFR9024 Ear99 8541.29.0095 75 P通道 60 V 8.8A(TC) 10V 280MOHM @ 5.3A,10V 4V @ 250µA 19 nc @ 10 V ±20V 570 pf @ 25 V - 2.5W(TA),42W(TC)
IRFR310TRL Vishay Siliconix IRFR310TRL -
RFQ
ECAD 5428 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFR310 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 400 v 1.7A(TC) 10V 3.6OHM @ 1A,10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 170 pf @ 25 V - 2.5W(25W),25W(tc)
SI6954ADQ-T1-BE3 Vishay Siliconix SI6954ADQ-T1-BE3 1.1800
RFQ
ECAD 4755 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) SI6954 MOSFET (金属 o化物) 830MW(TA) 8-tssop 下载 (1 (无限) 742-SI6954ADQ-T1-BE3TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 3.1a(ta) 53MOHM @ 3.4A,10V 1V @ 250µA 16NC @ 10V - -
SI2356DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2356DS-T1-GE3 0.4000
RFQ
ECAD 5237 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SI2356 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 4.3A(TC) 2.5V,10V 51MOHM @ 3.2A,10V 1.5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±12V 370 pf @ 20 V - 960MW(TA),1.7W(TC)
SI3445DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3445DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9610 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3445 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 8 V 5.6a(ta) 1.8V,4.5V 42MOHM @ 5.6A,4.5V 1V @ 250µA 25 NC @ 4.5 V ±8V - 2W(TA)
SISA72DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA72DN-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 7733 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SISA72 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 60a(TC) 4.5V,10V 3.5MOHM @ 10A,10V 2.4V @ 250µA 30 NC @ 4.5 V +20V,-16V 3240 pf @ 20 V - 52W(TC)
SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB441EDK-T1-GE3 0.4600
RFQ
ECAD 8356 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®Sc-75-6 SIB441 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®Sc-75-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 12 v 9A(TC) 1.5V,4.5V 25.5MOHM @ 4A,4.5V 900mv @ 250µA 33 NC @ 8 V ±8V 1180 pf @ 6 V - 2.4W(TA),13W(tc)
SI7100DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7100DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4211 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -50°C〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SI7100 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 8 V 35A(TC) 2.5V,4.5V 3.5MOHM @ 15a,4.5V 1V @ 250µA 105 NC @ 8 V ±8V 3810 PF @ 4 V - 3.8W(TA),52W(TC)
SI4947ADY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4947ADY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9209 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4947 MOSFET (金属 o化物) 1.2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2(p 通道(双) 30V 3a 80Mohm @ 3.9a,10V 1V @ 250µA(250µA) 8NC @ 5V - 逻辑级别门
IRF840ASTRL Vishay Siliconix IRF840ASTRL -
RFQ
ECAD 4537 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF840 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 500 v 8A(TC) 10V 850MOHM @ 4.8A,10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±30V 1018 PF @ 25 V - 3.1W(ta),125W(tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库