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![]() | SI5404BDC-T1-GE3 | - | ![]() | 9695 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5404 | MOSFET (金属 o化物) | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 5.4A(ta) | 2.5V,4.5V | 28mohm @ 5.4a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.3W(TA) | |||||
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![]() | SIR862DP-T1-GE3 | 0.6027 | ![]() | 4261 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir862 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 25 v | 50A(TC) | 4.5V,10V | 2.8mohm @ 15a,10v | 2.3V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ±20V | 3800 PF @ 10 V | - | 5.2W(ta),69w(tc) | |||||
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![]() | IRFD9014 | - | ![]() | 3798 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) | IRFD9014 | MOSFET (金属 o化物) | 4-HVMDIP | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFD9014 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 60 V | 1.1A(TA) | 10V | 500MOHM @ 660mA,10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 270 pf @ 25 V | - | 1.3W(TA) | |||
![]() | SISS76LDN-T1-GE3 | 1.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8SH | SISS76 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8SH | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SISS76LDN-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 70 v | 19.6a(ta),67.4a (TC) | 3.3V,4.5V | 6.25mohm @ 10a,4.5V | 1.6V @ 250µA | 33.5 NC @ 4.5 V | ±12V | 2780 pf @ 35 V | - | 4.8W(ta),57W(TC) | ||||
![]() | SQJ570EP-T1_BE3 | 1.1000 | ![]() | 7498 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ570 | MOSFET (金属 o化物) | 27W(TC) | POWERPAK®SO-8 | 下载 | (1 (无限) | 742-SQJ570EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 100V | (15A)(TC),9.5A (TC) | 45mohm @ 6a,10v,146Mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 15nc @ 10v,20nc @ 10V | 600pf @ 25V,650pf @ 25V | - | |||||||
![]() | SQM120N06-3M5L_GE3 | 4.2600 | ![]() | 4672 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SQM120 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 60 V | 120A(TC) | 4.5V,10V | 3.5mohm @ 29a,10v | 2.5V @ 250µA | 330 NC @ 10 V | ±20V | 14700 PF @ 25 V | - | 375W(TC) | |||||
![]() | SI7682DP-T1-GE3 | - | ![]() | 6851 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7682 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 20A(TC) | 4.5V,10V | 9mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1595 pf @ 15 V | - | 5W(5W),27.5W(TC) | ||||
![]() | IRFU110 | - | ![]() | 7158 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | irfu1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251AA | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFU110 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 100 v | 4.3A(TC) | 10V | 540MOHM @ 900mA,10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ±20V | 180 pf @ 25 V | - | 25W(TC) | |||
![]() | IRFR9024 | - | ![]() | 1320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR9024 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFR9024 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P通道 | 60 V | 8.8A(TC) | 10V | 280MOHM @ 5.3A,10V | 4V @ 250µA | 19 nc @ 10 V | ±20V | 570 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | |||
![]() | IRFR310TRL | - | ![]() | 5428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR310 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 400 v | 1.7A(TC) | 10V | 3.6OHM @ 1A,10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | ||||
![]() | SI6954ADQ-T1-BE3 | 1.1800 | ![]() | 4755 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | SI6954 | MOSFET (金属 o化物) | 830MW(TA) | 8-tssop | 下载 | (1 (无限) | 742-SI6954ADQ-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 3.1a(ta) | 53MOHM @ 3.4A,10V | 1V @ 250µA | 16NC @ 10V | - | - | |||||||
![]() | SI2356DS-T1-GE3 | 0.4000 | ![]() | 5237 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SI2356 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 4.3A(TC) | 2.5V,10V | 51MOHM @ 3.2A,10V | 1.5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±12V | 370 pf @ 20 V | - | 960MW(TA),1.7W(TC) | ||||
![]() | SI3445DV-T1-GE3 | - | ![]() | 9610 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3445 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 5.6a(ta) | 1.8V,4.5V | 42MOHM @ 5.6A,4.5V | 1V @ 250µA | 25 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 2W(TA) | |||||
![]() | SISA72DN-T1-GE3 | 0.9400 | ![]() | 7733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SISA72 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 60a(TC) | 4.5V,10V | 3.5MOHM @ 10A,10V | 2.4V @ 250µA | 30 NC @ 4.5 V | +20V,-16V | 3240 pf @ 20 V | - | 52W(TC) | |||||
![]() | SIB441EDK-T1-GE3 | 0.4600 | ![]() | 8356 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Sc-75-6 | SIB441 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®Sc-75-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 9A(TC) | 1.5V,4.5V | 25.5MOHM @ 4A,4.5V | 900mv @ 250µA | 33 NC @ 8 V | ±8V | 1180 pf @ 6 V | - | 2.4W(TA),13W(tc) | |||||
![]() | SI7100DN-T1-E3 | - | ![]() | 4211 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7100 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 8 V | 35A(TC) | 2.5V,4.5V | 3.5MOHM @ 15a,4.5V | 1V @ 250µA | 105 NC @ 8 V | ±8V | 3810 PF @ 4 V | - | 3.8W(TA),52W(TC) | ||||
![]() | SI4947ADY-T1-E3 | - | ![]() | 9209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4947 | MOSFET (金属 o化物) | 1.2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 30V | 3a | 80Mohm @ 3.9a,10V | 1V @ 250µA(250µA) | 8NC @ 5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | IRF840ASTRL | - | ![]() | 4537 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF840 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 500 v | 8A(TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8A,10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±30V | 1018 PF @ 25 V | - | 3.1W(ta),125W(tc) |
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