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![]() | SI4858DY-T1-E3 | - | ![]() | 1496年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4858 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 13A(TA) | 4.5V,10V | 5.25MOHM @ 20A,10V | 1V @ 250µA(250µA) | 40 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.6W(TA) | |||||
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![]() | IRF730ASTRRPBF | - | ![]() | 1299 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF730 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 400 v | 5.5A(TC) | 10V | 1欧姆 @ 3.3a,10V | 4.5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±30V | 600 pf @ 25 V | - | 74W(TC) | ||||
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![]() | SI4818DY-T1-E3 | - | ![]() | 7266 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4818 | MOSFET (金属 o化物) | 1W,1.25W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 5.3a,7a | 22mohm @ 6.3a,10v | 800mv @ 250µA(250µA) | 12nc @ 5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
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![]() | SI3850ADV-T1-GE3 | - | ![]() | 3328 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3850 | MOSFET (金属 o化物) | 1.08W | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道,普通排水 | 20V | 1.4a,960mA | 300mohm @ 500mA,4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.4NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
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![]() | SI7923DN-T1-E3 | 1.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7923 | MOSFET (金属 o化物) | 1.3W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 4.3a | 47MOHM @ 6.4a,10V | 3V @ 250µA | 21NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | SI7942DP-T1-E3 | 2.9100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7942 | MOSFET (金属 o化物) | 1.4W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 100V | 3.8a | 49mohm @ 5.9a,10v | 4V @ 250µA | 24NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | SI7913DN-T1-E3 | 1.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7913 | MOSFET (金属 o化物) | 1.3W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 5a | 37MOHM @ 7.4A,4.5V | 1V @ 250µA | 24nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | SI8902AEDB-T2-E1 | 0.3005 | ![]() | 4477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6- UFBGA | SI8902 | MOSFET (金属 o化物) | 5.7W | 6-micro脚™(1.5x1) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 24V | 11a | 28mohm @ 1A,4.5V | 900mv @ 250µA | - | - | - | |||||||
![]() | SI6925ADQ-T1-E3 | - | ![]() | 1125 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | SI6925 | MOSFET (金属 o化物) | 800MW | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 3.3a | 45mohm @ 3.9a,4.5V | 1.8V @ 250µA | 6NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SIRA60DP-T1-GE3 | 1.4800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sira60 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 100A(TC) | 4.5V,10V | 0.94MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 60 NC @ 4.5 V | +20V,-16V | 7650 pf @ 15 V | - | 57W(TC) |
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