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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFBC20STRL	-	RFQ	6920	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
IRF540	-	RFQ	9448	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SI4953ADY-T1-GE3	-	RFQ	4441	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4953	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	3.7a		53MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA（250µA）	25nc @ 10V		-	逻辑级别门
IRF9520STRL	-	RFQ	5232	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	6.8A（TC）	10V	600MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SIB433EDK-T1-GE3	0.5300	RFQ	7902	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB433	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	9A（TC）	1.8V，4.5V	58mohm @ 3.7A，4.5V	1V @ 250µA	21 NC @ 8 V	±8V		-	2.4W（TA），13W（tc）
SI4340DY-T1-E3	-	RFQ	9910	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	SI4340	MOSFET （金属 o化物）	1.14W，1.43W	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		20V	7.3a，9.9a		12mohm @ 9.6a，10V	2V @ 250µA	15nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI1307EDL-T1-E3	-	RFQ	9881	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1307	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	850mA（ta）	1.8V，4.5V	290MOHM @ 1A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	5 NC @ 4.5 V	±8V		-	290MW（TA）
SI2302CDS-T1-BE3	0.4100	RFQ	2031	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.6a（ta）	2.5V，4.5V	57MOHM @ 3.6A，4.5V	850mv @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	710MW（TA）
IRFR430APBF	1.9000	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR430	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
SI4931DY-T1-GE3	1.2300	RFQ	13	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4931	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		12V	6.7a		18mohm @ 8.9a，4.5V	1V @ 350µA	52nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIR150DP-T1-RE3	0.8800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir150	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	45 v	30.9a（ta），110a（tc）	4.5V，10V	2.71MOHM @ 15A，10V	2.3V @ 250µA	70 NC @ 10 V	+20V，-16V	4000 pf @ 20 V	-	5.2W（ta），65.7W（TC）
IRF740STRRPBF	1.8357	RFQ	5444	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
V30392-T1-GE3	-	RFQ	2558	Vishay Siliconix	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				V30392				-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	3,000
SIHF18N50D-E3	2.9100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF18	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	18A（TC）	10V	280MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 100 V	-	39W（TC）
SIE726DF-T1-E3	-	RFQ	7122	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE726	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	7400 pf @ 15 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SQ3418AEEV-T1_GE3	0.3929	RFQ	2137	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3418	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	8a	4.5V，10V	35mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	3.5 NC @ 4.5 V	±20V	528 pf @ 25 V	-	5W（TC）
SIS606BDN-T1-GE3	1.4900	RFQ	7649	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS606	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	9.4a（TA），35.3a （TC）	7.5V，10V	17.4mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
IRLBA3803	-	RFQ	3337	Vishay Siliconix	-	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	Super-220™	IRLBA38	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-220™to-273AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLBA3803	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	30 V	179a（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 71a，10v	1V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	5000 pf @ 25 V	-	270W（TC）
SI1442DH-T1-GE3	0.4500	RFQ	7631	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1442	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	20mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 8 V	±8V	1010 pf @ 6 V	-	1.56W（TA），2.8W（tc）
SQ4284EY-T1_GE3	1.6200	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4284	MOSFET （金属 o化物）	3.9W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	-		13.5MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 250µA	45nc @ 10V		2200pf @ 25V	逻辑级别门
SI3454ADV-T1-E3	-	RFQ	5088	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3454	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	3.4a（ta）	4.5V，10V	60mohm @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
SI7439DP-T1-GE3	3.9800	RFQ	1182	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7439	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	3A（3A）	6V，10V	90MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI7236DP-T1-GE3	-	RFQ	3838	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7236	MOSFET （金属 o化物）	46W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	60a		5.2MOHM @ 20.7A，4.5V	1.5V @ 250µA	105nc @ 10V		4000pf @ 10V	-
2N4859JTXL02	-	RFQ	3422	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4859			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SIHD7N60E-GE3	2.0100	RFQ	165	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD7	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHD7N60EGE3	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	78W（TC）
SI4226DY-T1-GE3	-	RFQ	4490	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4226	MOSFET （金属 o化物）	3.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		25V	8a		19.5mohm @ 7a，4.5V	2V @ 250µA	36NC @ 10V		1255pf @ 15V	-
SIHA2N80E-GE3	1.6500	RFQ	26	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha2	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	2.8A（TC）	10V	2.75ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	19.6 NC @ 10 V	±30V	315 pf @ 100 V	-	29W（TC）
SQJ850EP-T1_GE3	1.7900	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ850	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	24A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 10.3a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1225 pf @ 30 V	-	45W（TC）
SIR104DP-T1-RE3	2.4900	RFQ	1220	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir104	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	18.3a（ta），79a （TC）	7.5V，10V	6.4mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±20V	4230 PF @ 50 V	-	5.4W（TA），100W（TC）
SI5443DC-T1-E3	-	RFQ	9334	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5443	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.6a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	14 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²