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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFP264NPBF	-	RFQ	4745	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP264	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP264NPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	250 v	44A（TC）	10V	60mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	3860 pf @ 25 V	-	380W（TC）
SI7139DP-T1-GE3	1.5500	RFQ	1614年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7139	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	146 NC @ 10 V	±20V	4230 PF @ 15 V	-	5W（5W），48W（（（（（
SI4569DY-T1-E3	-	RFQ	5611	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4569	MOSFET （金属 o化物）	3.1W，3.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	7.6a，7.9a		27mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	32NC @ 10V		855pf @ 20V	-
SUD19N20-90-E3	3.0700	RFQ	9031	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD19	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	19a（tc）	6V，10V	90MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
SQ2337ES-T1_GE3	0.6900	RFQ	7873	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2337	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	2.2A（TC）	6V，10V	290MOHM @ 1A，4.5V	2.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	620 pf @ 30 V	-	3W（TC）
IRF740APBF-BE3	2.7800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF740APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI3459BDV-T1-GE3	0.8300	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3459	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	2.9a（TC）	4.5V，10V	216mohm @ 2.2a，10v	3V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 30 V	-	2W（TA），3.3W（3.3W）（TC）
SI3586DV-T1-GE3	-	RFQ	4225	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3586	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	2.9a，2.1a		60mohm @ 3.4a，4.5V	1.1V @ 250µA	6NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI3441BDV-T1-E3	-	RFQ	3503	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3441	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.45a（ta）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 3.3A，4.5V	850mv @ 250µA	8 NC @ 4.5 V	±8V		-	860MW（TA）
SQM120N02-1M3L_GE3	1.8981	RFQ	9857	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	20 v	120A（TC）	4.5V，10V	1.3MOHM @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	290 NC @ 10 V	±20V	14500 PF @ 10 V	-	375W（TC）
SI1029X-T1-E3	-	RFQ	3438	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1029	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		60V	305mA，190mA		1.4OHM @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	0.75nc @ 4.5V		30pf @ 25V	逻辑级别门
SI7923DN-T1-GE3	1.5800	RFQ	34	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7923	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	4.3a		47MOHM @ 6.4a，10V	3V @ 250µA	21NC @ 10V		-	逻辑级别门
SQJA60EP-T1_GE3	1.1100	RFQ	7855	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA60	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	12.5mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SI1913DH-T1-E3	-	RFQ	7084	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1913	MOSFET （金属 o化物）	570MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	880mA		490MOHM @ 880mA，4.5V	1V @ 100µA	1.8NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
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SI3424CDV-T1-BE3	0.5400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SI3424CDV-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	7.2A（ta），8a tc（8a tc）	4.5V，10V	26mohm @ 7.2a，10v	2.5V @ 250µA	12.5 NC @ 10 V	±20V	405 pf @ 15 V	-	2W（TA），3.6W（TC）
SIHA4N80E-GE3	1.0457	RFQ	5969	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha4	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	4.3A（TC）	10V	1.27OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	622 PF @ 100 V	-	69W（TC）
SI4894BDY-T1-GE3	1.2900	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4894	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	8.9a（ta）	4.5V，10V	11mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1580 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
SIHF30N60E-GE3	6.1200	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF30	MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	37W（TC）
SIB912DK-T1-GE3	0.5100	RFQ	75	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-75-6L双重	SIB912	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	POWERPAK®SC-75-6L双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1.5a		216MOHM @ 1.8A，4.5V	1V @ 250µA	3NC @ 8V		95pf @ 10V	逻辑级别门
SQJ126EP-T1_GE3	1.7300	RFQ	8647	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ126EP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	500A（TC）	10V	0.94MOHM @ 15A，10V	3.5V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	8095 pf @ 25 V	-	500W（TC）
SI7866ADP-T1-GE3	-	RFQ	5178	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7866	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	40a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5415 pf @ 10 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SIE844DF-T1-GE3	-	RFQ	2414	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（U）	SIE844	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（U）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	44.5A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 12.1a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 15 V	-	5.2W（TA），25W（25W）TC）
SQJ461EP-T1_GE3	2.9100	RFQ	8209	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ461	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 14.4a，10v	2.5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	4710 PF @ 30 V	-	83W（TC）
irfuc20pbf	1.6000	RFQ	9	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFUC20	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfuc20pbf	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI3442BDV-T1-E3	0.5900	RFQ	32	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3442	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	57MOHM @ 4A，4.5V	1.8V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	±12V	295 pf @ 10 V	-	860MW（TA）
SQJQ466E-T1_GE3	2.8100	RFQ	7656	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SQJQ466	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	200a（TC）	10V	1.9mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	10210 PF @ 25 V	-	150W（TC）
SIZF906DT-T1-GE3	1.6700	RFQ	16	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C（TA）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF906	MOSFET （金属 o化物）	38W（TC），83W（tc）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	60a（TC）		3.8mohm @ 15A，10V，1.17MOHM @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	22nc @ 4.5V，92NC @ 4.5V		2000pf @ 15V，8200pf @ 15V	-
SI7949DP-T1-GE3	1.6400	RFQ	9164	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7949	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		60V	3.2a		64mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	40NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRFPG40pbf	5.7000	RFQ	68	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPG40	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPG40PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	1000 v	4.3A（TC）	10V	3.5OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²