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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF740LCPBF	3.0300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF740LCPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	125W（TC）
SUP18N15-95-E3	-	RFQ	2799	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP18	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	150 v	18A（TC）	6V，10V	95mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA（）	25 NC @ 10 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	88W（TC）
SI3454CDV-T1-E3	-	RFQ	5283	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3454	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.2A（TC）	4.5V，10V	50MOHM @ 3.8A，10V	3V @ 250µA	10.6 NC @ 10 V	±20V	305 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），1.5W（tc）
SUM60N10-17-E3	2.9100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum60	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	60a（TC）	6V，10V	16.5MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	4300 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），150W（tc）
SIHFR9310TRL-GE3	0.8200	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SIAA02DJ-T1-GE3	0.6000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIAA02	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载		（1 （无限）		742-SIAA02DJ-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	22a（22A），52a（tc）	2.5V，10V	4.7MOHM @ 8A，10V	1.6V @ 250µA	33 NC @ 10 V	+12V，-8V	1250 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SI2374ds-T1-GE3	0.4800	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2374	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	4.5A（ta），5.9a tc）	1.8V，4.5V	30mohm @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±8V	735 PF @ 10 V	-	960MW（TA），1.7W（TC）
IRFBC30A	-	RFQ	9426	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC30A	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRLL014TRPBF	0.8800	RFQ	17	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	2.7A（TC）	4V，5V	200mohm @ 1.6A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
irli640g	-	RFQ	8382	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI640	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irli640g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	9.9a（TC）	4V，5V	180MOHM @ 5.9a，5V	2V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±10V	1800 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRFZ20	-	RFQ	4538	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ20	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	50 V	15A（TC）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SI5476DU-T1-E3	-	RFQ	1531年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5476	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 4.6A，10V	3V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 30 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
IRFR9010	-	RFQ	6329	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9010	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR9010	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	50 V	5.3A（TC）	10V	500MOHM @ 2.8a，10V	4V @ 250µA	9.1 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRF740L	-	RFQ	4396	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF740L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	-
SI1305EDL-T1-GE3	-	RFQ	8541	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1305	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	860ma（ta）	1.8V，4.5V	280MOHM @ 1A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	4 NC @ 4.5 V	±8V		-	290MW（TA）
IRF634STRL	-	RFQ	4686	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF634	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	8.1A（TC）	10V	450MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
SQA409CEJW-T1_GE3	0.5300	RFQ	2656	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	PowerPak®Sc-70-6	SQA409	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70W-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		P通道	12 v	9A（TC）	1.8V，4.5V	19mohm @ 4.5a，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±8V	3070 pf @ 6 V	-	13.6W（TC）
irfr9014pbf	1.1100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		P通道	60 V	5.1A（TC）	10V	500MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIHD14N60ET1-GE3	2.3000	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）		742-SIHD14N60ET1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	13A（TC）	10V	309MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	1205 pf @ 100 V	-	147W（TC）
SI7716ADN-T1-GE3	1.2300	RFQ	16	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7716	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 10A，10V	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	846 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），27.7W（tc）
SI5904DC-T1-GE3	-	RFQ	3989	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5904	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	3.1a		75MOHM @ 3.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	6NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIE882DF-T1-GE3	2.5100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE882	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	6400 PF @ 12.5 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
IRFR224TRLPBF	0.7088	RFQ	7938	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR224	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	250 v	3.8A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
irlz44pbf	2.8800	RFQ	167	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRLZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	4V，5V	28mohm @ 31a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	3300 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IRCZ34PBF	-	RFQ	5175	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRCZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*ircz34pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	电流感应	88W（TC）
IRFPE50	-	RFQ	2751	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPE50	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPE50	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	800 v	7.8A（TC）	10V	1.2OHM @ 4.7A，10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	190w（TC）
IRF9620SPBF	2.6600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9620	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	（3W）（40W）（40W）TC）
IRFS9N60ATRRPBF	3.6100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	9.2A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SI4190ADY-T1-GE3	1.8600	RFQ	9392	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4190	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	18.4a（TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 15a，10v	2.8V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 50 V	-	（3w（ta），6w（tc）
IRFS9N60ATRL	-	RFQ	2136	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	9.2A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²