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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF9530STRL	-	RFQ	6249	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	12A（TC）	10V	300MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SIHP12N50C-E3	2.4696	RFQ	6152	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP12	MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	12A（TC）	10V	555MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	1375 PF @ 25 V	-	208W（TC）
SI7370DP-T1-E3	2.4500	RFQ	62	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7370	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	9.6a（ta）	6V，10V	11mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SIDR392DP-T1-GE3	2.7200	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR392	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	82a（ta），100a（tc）	4.5V，10V	0.62Mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	188 NC @ 10 V	+20V，-16V	9530 PF @ 15 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SQM90142E_GE3	2.9200	RFQ	2248	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM90142	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	95A（TC）	10V	15.3mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IRLL110TRPBF	0.9300	RFQ	4941	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.5A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 900mA，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SIB911DK-T1-GE3	-	RFQ	8294	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-75-6L双重	SIB911	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	POWERPAK®SC-75-6L双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.6a		295MOHM @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	4NC @ 8V		115pf @ 10V	-
SQD40N06-14L_T4GE3	0.6209	RFQ	3822	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQD40N06-14L_T4GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	40a（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2105 pf @ 25 V	-	75W（TC）
SUD80460E-GE3	0.9700	RFQ	8462	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD80460	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	150 v	42A（TC）	10V	44.7mohm @ 8.3a，10v	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	560 pf @ 50 V	-	65.2W（TC）
SI7108DN-T1-GE3	2.0000	RFQ	41	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7108	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	14A（TA）	4.5V，10V	4.9mohm @ 22a，10v	2V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±16V		-	1.5W（TA）
SI7820DN-T1-GE3	1.5500	RFQ	6351	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7820	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	1.7A（TA）	6V，10V	240MOHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SQJQ906EL-T1_GE3	2.6600	RFQ	9691	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ906	MOSFET （金属 o化物）	187W	PowerPak®8x8二元	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）		40V	160a（TC）		4.3MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	45nc @ 10V		3238pf @ 20V	-
SIZ342DT-T1-GE3	0.9200	RFQ	20	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ342	-	3.6W，4.3W	8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	15.7a（TA），100A（tc）		11.5MOHM @ 14A，10V	2.4V @ 250µA	20NC @ 10V		650pf @ 15V	-
IRF610LPBF	0.8511	RFQ	1779年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF610	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF610LPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	（3w（ta），36w（tc）
SI2308DS-T1-E3	-	RFQ	9418	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2308	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	2A（TA）	4.5V，10V	160MOHM @ 2A，10V	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	1.25W（TA）
SIHA20N50E-E3	2.9400	RFQ	6914	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	19a（tc）	10V	184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	34W（TC）
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IRFP350	-	RFQ	1850年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP350	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP350	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	400 v	16A（TC）	10V	300MOHM @ 9.6A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRFBC30ASPBF	2.2000	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC30ASPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRF740ASTRL	-	RFQ	3470	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI6469DQ-T1-E3	-	RFQ	9531	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6469	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	6a（6a）	1.8V，4.5V	28mohm @ 6a，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	40 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
IRFR210TRRPBF	0.5880	RFQ	8328	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR210	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	2.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SUP53P06-20-E3	2.9100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP53	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SUP53P0620E3	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	9.2A（ta），53A （TC）	4.5V，10V	19.5mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），104.2W（TC）
SIR808DP-T1-GE3	-	RFQ	6098	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir808	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	20A（TC）	4.5V，10V	8.9mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	22.8 NC @ 10 V	±20V	815 PF @ 12.5 V	-	29.8W（TC）
SI7102DN-T1-GE3	-	RFQ	4332	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7102	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	35A（TC）	2.5V，4.5V	3.8mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	110 NC @ 8 V	±8V	3720 PF @ 6 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
IRFZ30pbf	-	RFQ	3560	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ30PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	50 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRF740LCPBF	3.0300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF740LCPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	125W（TC）
SUP18N15-95-E3	-	RFQ	2799	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP18	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	150 v	18A（TC）	6V，10V	95mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA（）	25 NC @ 10 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	88W（TC）
SI3454CDV-T1-E3	-	RFQ	5283	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3454	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.2A（TC）	4.5V，10V	50MOHM @ 3.8A，10V	3V @ 250µA	10.6 NC @ 10 V	±20V	305 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），1.5W（tc）
SUM60N10-17-E3	2.9100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum60	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	60a（TC）	6V，10V	16.5MOHM @ 30a，10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	4300 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），150W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²