RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
SQD50N04-4M5L_GE3	2.4400	RFQ	8132	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	5860 pf @ 25 V	-	136W（TC）
SI7110DN-T1-GE3	2.1700	RFQ	8839	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7110	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	13.5A（TA）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 21.1A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SIHA22N60AE-E3	1.9110	RFQ	2216	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	20A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±30V	1451 PF @ 100 V	-	33W（TC）
SIHA125N60EF-GE3	6.3400	RFQ	999	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHA125	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA125N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	11A（TC）	10V	125mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±30V	1533 PF @ 100 V	-	179W（TC）
IRFR220TRRPBF	1.5000	RFQ	129	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR220	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	4.8A（TC）	10V	800MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIB408DK-T1-GE3	-	RFQ	7320	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB408	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	7A（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 15 V	-	2.4W（TA），13W（tc）
2N4391-2	-	RFQ	8494	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4391		1.8 w	TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道								14pf @ 20V			40 V	50 mA @ 20 V	4 V @ 1 na	30欧姆
SIHP30N60AEL-GE3	-	RFQ	6312	Vishay Siliconix	El	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	28a（TC）	10V	120mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	2565 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIHG14N50D-E3	2.0567	RFQ	2998	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG14	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHG14N50DE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 7a，10v	5V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	1144 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SI4174DY-T1-GE3	0.9100	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4174	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17a（TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	985 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
IRF1405ztrr	-	RFQ	6957	Vishay Siliconix	-	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF1405	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	55 v	75A（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
SQ9945BEY-T1_GE3	1.1100	RFQ	772	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ9945	MOSFET （金属 o化物）	4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	5.4a		64mohm @ 3.4a，10v	2.5V @ 250µA	12nc @ 10V		470pf @ 25V	逻辑级别门
SIS472DN-T1-GE3	0.7100	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS472	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	997 PF @ 15 V	-	3.5W（ta），28W（28W）TC）
IRFR9024PBF-BE3	0.8874	RFQ	5679	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9024	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载				742-irfr9024pbf-be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	8.8A（TC）	10V	280MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFP344	-	RFQ	2886	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP344	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFP344	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	450 v	9.5A（TC）	10V	630MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF540STRRPBF	2.9700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF540	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
IRFIZ34G	-	RFQ	9889	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irfiz34g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	20A（TC）	10V	50mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SUD45P03-10-E3	-	RFQ	3573	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD45	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	30 V	15A（TA）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	（4W）（ta），70w（tc）（TC）
SIHG22N50D-E3	3.9700	RFQ	3200	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG22	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	22a（TC）	10V	230mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	1938 PF @ 100 V	-	312W（TC）
SI7358ADP-T1-GE3	-	RFQ	8115	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7358	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	14A（TA）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 23A，10V	3V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	4650 pf @ 15 V	-	1.9W（TA）
SI8812DB-T2-E1	0.4300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga	SI8812	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.3a（ta）	1.2V，4.5V	59mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	17 NC @ 8 V	±5V		-	500MW（TA）
SUD45P03-09-GE3	-	RFQ	4298	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD45	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	30 V	45A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	2700 pf @ 15 V	-	2.1W（ta），41.7W（tc）
SISS42DN-T1-GE3	0.6825	RFQ	5178	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS42	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	11.8a（ta），40.5a tc）	7.5V，10V	14.4mohm @ 15a，10v	3.4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 50 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SQ3987EV-T1_GE3	0.6200	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3987	MOSFET （金属 o化物）	1.67W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	3A（TC）		133MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 250µA	12.2nc @ 10V		570pf @ 15V	-
SI7230DN-T1-GE3	0.6174	RFQ	2205	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7230	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	12mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SQM85N15-19_GE3	3.6400	RFQ	2289	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM85	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	150 v	85A（TC）	10V	19mohm @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	6285 pf @ 25 V	-	375W（TC）
SI5414DC-T1-GE3	-	RFQ	9131	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5414	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6A（TC）	2.5V，4.5V	17mohm @ 9.9a，4.5V	1.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±12V	1500 pf @ 10 V	-	2.5W（ta），6.3W（TC）
SI7898DP-T1-GE3	2.2300	RFQ	23	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7898	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	3A（3A）	6V，10V	85MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI4936BDY-T1-E3	0.9500	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4936	MOSFET （金属 o化物）	2.8W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	6.9a		35mohm @ 5.9a，10v	3V @ 250µA	15nc @ 10V		530pf @ 15V	逻辑级别门
SI4628DY-T1-GE3	-	RFQ	8167	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4628	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	38A（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 20a，10v	2.5V @ 1mA	87 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²