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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIR622DP-T1-GE3	1.7000	RFQ	3077	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir622	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	51.6A（TC）	7.5V，10V	17.7mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	31 NC @ 7.5 V	±20V	1516 PF @ 75 V	-	104W（TC）
SIR576DP-T1-RE3	1.4000	RFQ	9870	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SIR576DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	11.1a（ta），42.4a （TC）	7.5V，10V	16mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1870 pf @ 75 V	-	5W（5W），71.4W（TC）
IRFR430ATRPBF	1.9000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR430	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
SIHFBC40AS-GE3	1.7700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		742-SIHFBC40AS-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	1036 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SIR800ADP-T1-GE3	1.5500	RFQ	275	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir800	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	50.2A（TA），177a （TC）	2.5V，10V	1.35MOHM @ 10A，10V	1.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	+12V，-8V	3415 pf @ 10 V	-	5W（5W），62.5W（TC）
SI6966DQ-T1-E3	-	RFQ	2975	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6966	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	4a		30mohm @ 4.5A，4.5V	1.4V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SQJ150EP-T1_GE3	0.8500	RFQ	3015	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ150	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ150EP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	66A（TC）	10V	8.4mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1274 PF @ 25 V	-	65W（TC）
IRFZ34STRL	-	RFQ	6769	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ34	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SIR104LDP-T1-RE3	1.7200	RFQ	16	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir104	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	18.8a（ta），81A（tc）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 15A，10V	3V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	4870 pf @ 50 V	-	5.4W（TA），100W（TC）
SUP45N03-13L-E3	-	RFQ	2190	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP45	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	30 V	45A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 45a，10v	3V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±10V	2730 PF @ 25 V	-	88W（TC）
SIS488DN-T1-GE3	0.9700	RFQ	1255	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS488	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	40a（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1330 pf @ 20 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SIA811DJ-T1-E3	-	RFQ	9902	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA811	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（TC）	1.8V，4.5V	94mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	13 NC @ 8 V	±8V	355 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.9W（ta），6.5W（TC）
SI4940DY-T1-GE3	-	RFQ	5190	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4940	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	4.2a		36mohm @ 5.7a，10v	1V @ 250µA（250µA）	14NC @ 10V		-	逻辑级别门
SIJ4819DP-T1-GE3	2.2100	RFQ	50	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	11.5A（TA），44.4a （TC）	4.5V，10V	20.7MOHM @ 10A，10V	2.6V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	3420 PF @ 40 V	-	5W（5W），73.5W（TC）
SIR872DP-T1-GE3	2.8600	RFQ	6287	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir872	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	53.7a（TC）	10V	18mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	2130 PF @ 75 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SI9410BDY-T1-E3	-	RFQ	3288	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9410	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	24mohm @ 8.1a，10v	3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI4276DY-T1-GE3	-	RFQ	1826年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4276	MOSFET （金属 o化物）	3.6W，2.8W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8a		15.3MOHM @ 9.5A，10V	2.5V @ 250µA	26NC @ 10V		1000pf @ 15V	逻辑级别门
IRFP054	-	RFQ	1317	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP054	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP054	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	70A（TC）	10V	14mohm @ 54a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	230W（TC）
SI4276DY-T1-E3	-	RFQ	9791	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4276	MOSFET （金属 o化物）	3.6W，2.8W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8a		15.3MOHM @ 9.5A，10V	2.5V @ 250µA	26NC @ 10V		1000pf @ 15V	逻辑级别门
SIE848DF-T1-E3	-	RFQ	1766年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE848	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 15 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SIZ728DT-T1-GE3	-	RFQ	4950	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZ728	MOSFET （金属 o化物）	27W，48W	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		25V	16a，35a		7.7MOHM @ 18A，10V	2.2V @ 250µA	26NC @ 10V		890pf @ 12.5V	逻辑级别门
SI7489DP-T1-GE3	2.6700	RFQ	8998	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7489	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	28a（TC）	4.5V，10V	41MOHM @ 7.8A，10V	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 50 V	-	5.2W（ta），83w（tc）
SIHFPS40N50L-GE3	7.6600	RFQ	935	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHFPS40N50L-GE3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	500 v	46A（TC）	10V	100mohm @ 28a，10v	5V @ 250µA	380 NC @ 10 V	±30V	8110 PF @ 25 V	-	540W（TC）
SI4944DY-T1-E3	-	RFQ	8283	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4944	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	9.3a		9.5MOHM @ 12.2a，10V	3V @ 250µA	21nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIHP065N60E-BE3	7.2600	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	40a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIB413DK-T1-GE3	-	RFQ	3563	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB413	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	9A（TC）	2.5V，4.5V	75MOHM @ 6.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	7.63 NC @ 5 V	±12V	357 pf @ 10 V	-	2.4W（TA），13W（tc）
SI7454FDP-T1-RE3	0.8800	RFQ	3018	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	7.2A（ta），23.5a tc）	4.5V，10V	29.5Mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	26.5 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 50 V	-	3.6W（39W），39w（tc）
SIE816DF-T1-E3	-	RFQ	2616	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE816	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）	10V	7.4mohm @ 19.8a，10v	4.4V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	3100 PF @ 30 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
2N6660JTVP02	-	RFQ	7427	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6660	MOSFET （金属 o化物）		TO-205AD（TO-39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道	60 V	990mA（tc）	5V，10V	3ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
BS250KL-TR1-E3	-	RFQ	1974年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BS250	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-18RM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道	60 V	270mA（ta）	4.5V，10V	6ohm @ 500mA，10v	3V @ 250µA	3 NC @ 15 V	±20V		-	800MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²