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晶体管（（5716）

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SI4825DY-T1-E3	-	RFQ	1718年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4825	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	8.1a（ta）	4.5V，10V	14mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±25V		-	1.5W（TA）
SIR468DP-T1-GE3	-	RFQ	1595年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir468	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 15 V	-	5W（5W），50W（50W）TC）
SI4569DY-T1-GE3	-	RFQ	5818	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4569	MOSFET （金属 o化物）	3.1W，3.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	7.6a，7.9a		27mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	32NC @ 10V		855pf @ 20V	-
SIHF10N40D-E3	1.7000	RFQ	638	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHF10N40DE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	10A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	526 pf @ 100 V	-	33W（TC）
SI5402DC-T1-GE3	-	RFQ	7014	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5402	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.9a（ta）	4.5V，10V	35MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA（250µA）	20 nc @ 10 V	±20V		-	1.3W（TA）
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irfu4105ztrr	-	RFQ	7684	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU4105	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	55 v	30A（TC）	10V	24.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	48W（TC）
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irfr024pbf	1.2300	RFQ	7362	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR024	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SUP40N10-30-E3	-	RFQ	7971	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	40a（TC）	6V，10V	30mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），107W（tc）
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IRFIZ14GPBF	1.6400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIZ14GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	8A（TC）	10V	200mohm @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SI4483DODY-T1-E3	-	RFQ	9257	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4483	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	8.5mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA		±25V		-	1.5W（TA）
IRFZ46L	-	RFQ	2315	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ46	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFZ46L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	50 V	50A（TC）	10V	24mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
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IRF3205ZSTRL	-	RFQ	5016	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF3205	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	55 v	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 66A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	170W（TC）
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SI3443BDV-T1-GE3	0.2588	RFQ	4809	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3443	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.4V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.1W（TA）
SQJB00EP-T1_GE3	1.3100	RFQ	9293	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB00	MOSFET （金属 o化物）	48W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	30A（TC）		13mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	35nc @ 10V		1700pf @ 25V	-
SIHH068N60E-T1-GE3	8.1500	RFQ	7837	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH068	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	34A（TC）	10V	68mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±30V	2650 pf @ 100 V	-	202W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²