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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF720STRR	-	RFQ	5118	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF720	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	3.3A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SIHJ8N60E-T1-GE3	2.2000	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sihj8	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	8A（TC）	10V	520MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±30V	754 PF @ 100 V	-	89W（TC）
IRF9620STRLPBF	2.6600	RFQ	796	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9620	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	200 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	（3W）（40W）（40W）TC）
SI7818DN-T1-E3	1.6600	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7818	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	2.2A（ta）	6V，10V	135mohm @ 3.4a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
irli630g	-	RFQ	7310	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irli630g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	6.2A（TC）	4V，5V	400MOHM @ 3.7A，5V	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	1100 PF @ 25 V	-	35W（TC）
SI7160DP-T1-E3	-	RFQ	7774	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7160	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±16V	2970 pf @ 15 V	-	5W（5W），27.7W（TC）
IRFP264	-	RFQ	1336	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP264	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP264	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	250 v	38A（TC）	10V	75MOHM @ 23A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	280W（TC）
IRFBF20	-	RFQ	8071	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBF20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBF20	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	900 v	1.7A（TC）	10V	8ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	54W（TC）
SIHA12N60E-E3	2.5300	RFQ	929	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	937 PF @ 100 V	-	33W（TC）
SIHG47N60AEL-GE3	9.2800	RFQ	14	Vishay Siliconix	El	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG47	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	47A（TC）	10V	65mohm @ 23.5a，10v	4V @ 250µA	222 NC @ 10 V	±30V	4600 PF @ 100 V	-	379W（TC）
SI1032R-T1-E3	-	RFQ	5880	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1032	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	140mA（ta）	1.5V，4.5V	5ohm @ 200ma，4.5V	1.2V @ 250µA	0.75 NC @ 4.5 V	±6V		-	250MW（TA）
IRFPF30pbf	4.9000	RFQ	1859年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPF30PBF	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI8467DB-T2-E1	-	RFQ	8463	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8467	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	73MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±12V	475 PF @ 10 V	-	（780MW）（TA），1.8W（tc）
SI7629DN-T1-GE3	1.1100	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7629	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	35A（TC）	2.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	1.5V @ 250µA	177 NC @ 10 V	±12V	5790 pf @ 10 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI5915DC-T1-GE3	-	RFQ	2737	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5915	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		8V	3.4a		70MOHM @ 3.4A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	9NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIR878ADP-T1-GE3	-	RFQ	1080	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir878	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	40a（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 15a，10v	2.8V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 50 V	-	5W（5W），44.5W（TC）
SIS932EDN-T1-GE3	0.6500	RFQ	5796	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SIS932	MOSFET （金属 o化物）	2.6W（23w），23W（tc）	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	6A（TC）		22mohm @ 10a，4.5V	1.4V @ 250µA	14NC @ 4.5V		1000pf @ 15V	-
SI8900EDB-T2-E1	-	RFQ	7566	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-UFBGA，CSPBGA	SI8900	MOSFET （金属 o化物）	1W	10-micro foot™CSP （2x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		20V	5.4a		-	1V @ 1.1mA	-		-	逻辑级别门
IRL2203STRL	-	RFQ	1063	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL2203	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	30 V	100A（TC）	4V，10V	7mohm @ 60a，10v	2.5V @ 250µA	110 NC @ 4.5 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），130w（tc）
SIS782DN-T1-GE3	0.6400	RFQ	6553	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS782	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	30.5 NC @ 10 V	±20V	1025 pf @ 15 V	（（（）	41W（TC）
SI7880ADP-T1-GE3	2.0808	RFQ	4171	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7880	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SUM85N03-06P-E3	-	RFQ	8611	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum85	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	30 V	85A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），100W（TC）
irfr110tr	-	RFQ	2066	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI7440DP-T1-E3	-	RFQ	4673	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7440	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12a（12a）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 21a，10V	3V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI5943DU-T1-E3	-	RFQ	7896	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5943	MOSFET （金属 o化物）	8.3W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	6a		64mohm @ 3.6A，4.5V	1V @ 250µA	15nc @ 8V		460pf @ 6V	逻辑级别门
SUD40N08-16-E3	3.0500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD40	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	80 V	40a（TC）	10V	16mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
SIHF9630STRL-GE3	0.7621	RFQ	9663	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF9630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	200 v	6.5A（TC）	10V	800MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
SI7964DP-T1-E3	-	RFQ	3245	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7964	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	6.1a		23mohm @ 9.6a，10v	4.5V @ 250µA	65nc @ 10V		-	-
SIHP25N50E-BE3	3.2100	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	26a（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1980 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SQD50P04-09L_GE3	2.9100	RFQ	13	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	6675 PF @ 20 V	-	136W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²