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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
IRF9610L	-	RFQ	1325	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9610	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF9610L	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	-
IRF830L	-	RFQ	2752	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF830L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.7a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
SIHA25N60EFL-E3	2.4990	RFQ	8882	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha25	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	25A（TC）	10V	146MOHM @ 12.5A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	2274 PF @ 100 V	-	39W（TC）
SQA401EEJ-T1_GE3	0.6300	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SQA401	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.68a（TC）	2.5V，4.5V	113MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 250µA	5.3 NC @ 4.5 V	±8V	375 pf @ 10 V	-	13.6W（TC）
SIRA34DP-T1-GE3	-	RFQ	4692	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira34	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	+20V，-16V	1100 pf @ 15 V	-	3.3W（TA），31.25W（TC）
IRF737LCSTRL	-	RFQ	2436	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF737	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	300 v	6.1A（TC）	10V	750MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	-
SIUD402ED-T1-GE3	0.4700	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®0806	SIUD402	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®0806	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	1A（1A）	1.5V，4.5V	730MOHM @ 200mA，4.5V	900mv @ 250µA	1.2 NC @ 8 V	±8V	16 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
SI3445DV-T1-E3	-	RFQ	7764	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3445	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5.6a（ta）	1.8V，4.5V	42MOHM @ 5.6A，4.5V	1V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±8V		-	2W（TA）
SI2309CDS-T1-BE3	0.5500	RFQ	24	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	1.2A（TA），1.6A（TC）	4.5V，10V	345MOHM @ 1.25A，10V	3V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±20V	210 pf @ 30 V	-	1W（1W），1.7W（TC）
IRFIZ46G	-	RFQ	7235	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIZ46	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）		*irfiz46g	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	50 V	-		-	-				-	-
SI3437DV-T1-E3	0.9300	RFQ	294	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3437	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	1.4A（TC）	6V，10V	750MOHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	510 pf @ 50 V	-	2W（TA），3.2W（TC）
SISS32DN-T1-GE3	1.3000	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS32	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	17.4A（TA），63A （TC）	7.5V，10V	7.2MOHM @ 10a，10v	3.8V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1930 pf @ 40 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SI4398DY-T1-GE3	-	RFQ	3490	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4398	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	（19a ta）	4.5V，10V	2.8mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	5620 PF @ 10 V	-	1.6W（TA）
SQJ500AEP-T1_GE3	1.6100	RFQ	5831	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ500	-	48W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		40V	30A（TC）		27mohm @ 6a，10v	2.3V @ 250µA	38.1NC @ 10V		1850pf @ 20V	-
SIUD403ED-T1-GE3	0.3800	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®0806	SIUD403	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®0806	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	500mA（ta）	1.5V，4.5V	1.25OHM @ 300mA，4.5V	900mv @ 250µA	1 NC @ 4.5 V	±8V	31 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
IRFS9N60ATRR	-	RFQ	1341	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	9.2A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IRFU9120	-	RFQ	1132	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU9120	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	100 v	5.6A（TC）	10V	600MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRF7822TRL	-	RFQ	2499	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7822	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	30 V	18A（18A）	4.5V	6.5MOHM @ 15A，4.5V	1V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±12V	5500 pf @ 16 V	-	3.1W（TA）
U431	-	RFQ	5300	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	U431		500兆	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	100		2 n 通道（双）								5pf @ 10V			25 v	24 mA @ 10 V	2 V @ 1 na
SI4636DY-T1-GE3	-	RFQ	9041	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4636	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17a（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±16V	2635 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），4.4W（TC）
SQJ886EP-T1_GE3	1.5700	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ886	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	4.5mohm @ 15.3a，10v	2.5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	2922 PF @ 20 V	-	55W（TC）
SI3948DV-T1-GE3	-	RFQ	1883年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3948	MOSFET （金属 o化物）	1.15W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	-		105mohm @ 2.5a，10v	1V @ 250µA（250µA）	3.2nc @ 5V		-	逻辑级别门
SQ2309ES-T1_GE3	0.6700	RFQ	3026	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2309	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	1.7A（TC）	4.5V，10V	336mohm @ 3.8A，10V	2.5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±20V	265 pf @ 25 V	-	2W（TC）
SIS903DN-T1-GE3	0.9800	RFQ	2476	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SIS903	MOSFET （金属 o化物）	2.6W（23w），23W（tc）	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	6A（TC）		20.1MOHM @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	42NC @ 10V		2565pf @ 10V	-
IRFR210TRR	-	RFQ	2954	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR210	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	2.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
V30393-T1-E3	-	RFQ	1069	Vishay Siliconix	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				V30393				-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	2,500
IRF530STRRPBF	1.7300	RFQ	728	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SI5480DU-T1-GE3	-	RFQ	7563	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5480	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 7.2a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1230 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SI5486DU-T1-E3	-	RFQ	9141	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5486	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	12A（TC）	1.8V，4.5V	15mohm @ 7.7a，4.5V	1V @ 250µA	54 NC @ 8 V	±8V	2100 PF @ 10 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SIHB24N65EFT1-GE3	6.0100	RFQ	385	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载		（1 （无限）		742-SIHB24N65EFT1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	650 v	24A（TC）	10V	156mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2774 PF @ 100 V	-	250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²