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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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IRFIBC40GLC	-	RFQ	3335	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBC40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIBC40GLC	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	3.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.1a，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	40W（TC）
SIR870BDP-T1-RE3	2.2000	RFQ	9421	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir870	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	18.8a（ta），81A（tc）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 15A，10V	3V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	4870 pf @ 50 V	-	5.4W（TA），100W（TC）
SI6954ADQ-T1-BE3	1.1800	RFQ	4755	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6954	MOSFET （金属 o化物）	830MW（TA）	8-tssop	下载		（1 （无限）		742-SI6954ADQ-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	3.1a（ta）		53MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	16NC @ 10V		-	-
SI2356DS-T1-GE3	0.4000	RFQ	5237	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2356	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	4.3A（TC）	2.5V，10V	51MOHM @ 3.2A，10V	1.5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±12V	370 pf @ 20 V	-	960MW（TA），1.7W（TC）
SI7108DN-T1-E3	2.0000	RFQ	16	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7108	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	14A（TA）	4.5V，10V	4.9mohm @ 22a，10v	2V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±16V		-	1.5W（TA）
SQS405EN-T1_GE3	1.1100	RFQ	23	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS405	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	16A（TC）	2.5V，4.5V	20mohm @ 13.5a，4.5V	1V @ 250µA	75 NC @ 8 V	±8V	2650 pf @ 6 V	-	39W（TC）
SIA449DJ-T1-GE3	0.4600	RFQ	1183	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA449	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	12A（TC）	2.5V，10V	20mohm @ 6a，10v	1.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±12V	2140 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
IRL630STRL	-	RFQ	7339	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	9A（TC）	4V，5V	400MOHM @ 5.4A，5V	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
IRFR310TRL	-	RFQ	5428	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI7100DN-T1-E3	-	RFQ	4211	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7100	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	8 V	35A（TC）	2.5V，4.5V	3.5MOHM @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	105 NC @ 8 V	±8V	3810 PF @ 4 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SI1050x-T1-E3	-	RFQ	9227	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1050	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	8 V	1.34a（TA）	1.5V，4.5V	86mohm @ 1.34a，4.5V	900mv @ 250µA	11.6 NC @ 5 V	±5V	585 pf @ 4 V	-	236MW（TA）
SI2309CDS-T1-BE3	0.5500	RFQ	24	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	1.2A（TA），1.6A（TC）	4.5V，10V	345MOHM @ 1.25A，10V	3V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±20V	210 pf @ 30 V	-	1W（1W），1.7W（TC）
IRF9610L	-	RFQ	1325	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9610	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF9610L	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	-
SIZ704DT-T1-GE3	1.1300	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZ704	MOSFET （金属 o化物）	20W，30W	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	12a，16a		24mohm @ 7.8a，10v	2.5V @ 250µA	12nc @ 10V		435pf @ 15V	逻辑级别门
IRFIBE30GPBF	2.8200	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	Irfibe30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIBE30GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	2.1A（TC）	10V	3ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SIRA34DP-T1-GE3	-	RFQ	4692	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira34	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	+20V，-16V	1100 pf @ 15 V	-	3.3W（TA），31.25W（TC）
SIS892ADN-T1-GE3	1.0700	RFQ	2085	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS892	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	28a（TC）	4.5V，10V	33mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	19.5 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI1406DH-T1-GE3	-	RFQ	5870	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1406	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	3.1a（ta）	1.8V，4.5V	65mohm @ 3.9a，4.5V	1.2V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	1W（ta）
SIHB4N80E-GE3	1.1723	RFQ	9370	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB4	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	4.3A（TC）	10V	1.27OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	622 PF @ 100 V	-	69W（TC）
SQA401EEJ-T1_GE3	0.6300	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SQA401	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.68a（TC）	2.5V，4.5V	113MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 250µA	5.3 NC @ 4.5 V	±8V	375 pf @ 10 V	-	13.6W（TC）
IRFR420TRPBF-BE3	1.2900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIUD402ED-T1-GE3	0.4700	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®0806	SIUD402	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®0806	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	1A（1A）	1.5V，4.5V	730MOHM @ 200mA，4.5V	900mv @ 250µA	1.2 NC @ 8 V	±8V	16 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
IRF620pbf	1.1700	RFQ	527	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF620pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	5.2A（TC）	10V	800MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRF737LCSTRL	-	RFQ	2436	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF737	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	300 v	6.1A（TC）	10V	750MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	-
SI3445DV-T1-E3	-	RFQ	7764	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3445	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5.6a（ta）	1.8V，4.5V	42MOHM @ 5.6A，4.5V	1V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±8V		-	2W（TA）
SIHB12N60ET1-GE3	1.2311	RFQ	9789	Vishay Siliconix	e	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB12	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	937 PF @ 100 V	-	147W（TC）
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SI1071X-T1-E3	-	RFQ	5143	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1071	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	960ma（ta）	2.5V，10V	167MOHM @ 960mA，10V	1.45V @ 250µA	13.3 NC @ 10 V	±12V	315 pf @ 15 V	-	236MW（TA）
IRF830L	-	RFQ	2752	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF830L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.7a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²