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晶体管（（5716）

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SIDR638DP-T1-GE3	2.0800	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR638	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.88MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	204 NC @ 10 V	+20V，-16V	10500 PF @ 20 V	-	125W（TC）
IRFBF30STRR	-	RFQ	8102	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBF30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
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IRF510L	-	RFQ	1280	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF510	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF510L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	5.6A（TC）		540MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V		180 pf @ 25 V	-	-
SQM40N15-38_GE3	2.8300	RFQ	1040	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM40	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	150 v	40a（TC）	6V，10V	38mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3390 pf @ 25 V	-	166W（TC）
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SI4501ADY-T1-GE3	-	RFQ	7897	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4501	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水		30V，8V	6.3a，4.1a		18mohm @ 8.8a，10v	1.8V @ 250µA	20nc @ 5V		-	逻辑级别门
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SIHP22N60AEL-GE3	-	RFQ	8558	Vishay Siliconix	El	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±30V	1757 PF @ 100 V	-	208W（TC）
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SI7655555ADN-T1-GE3	0.9200	RFQ	42	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7655	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	40a（TC）	2.5V，10V	3.6mohm @ 20a，10v	1.1V @ 250µA	225 NC @ 10 V	±12V	6600 PF @ 10 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SI9933CDY-T1-GE3	0.6300	RFQ	7707	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9933	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		20V	4a		58MOHM @ 4.8A，4.5V	1.4V @ 250µA	26NC @ 10V		665pf @ 10V	逻辑级别门
SIZ200DT-T1-GE3	1.0300	RFQ	8725	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ200	MOSFET （金属 o化物）	4.3W（TA），33W（tc）	8-Powerpair®（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	22a（22a），61a（tc（61a），22a（ta（60a ta），60a （TC）		5.5MOHM @ 10a，10v，5.8Mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	28nc @ 10v，30nc @ 10V		1510pf @ 15V，1600pf @ 15V	-
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SIR460DP-T1-GE3	1.1800	RFQ	135	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir460	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	4.7mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2071 PF @ 15 V	-	5W（5W），48W（（（（（
SQJ968EP-T1_GE3	1.1000	RFQ	1792年	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TA）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ968	MOSFET （金属 o化物）	42W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	23.5A（TC）		33.6mohm @ 4.8A，10V	2.5V @ 250µA	18.5nc @ 10V		714pf @ 30V	-
IRLZ44STRL	-	RFQ	5204	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ44	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	50A（TC）	4V，5V	28mohm @ 31a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	3300 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
SQ4946AEY-T1_BE3	-	RFQ	7279	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4946	MOSFET （金属 o化物）	4W（TC）	8-SOIC	-					Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	7A（TC）		40mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	18NC @ 10V		750pf @ 25V	-
SI4214DY-T1-GE3	-	RFQ	7433	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4214	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8.5a		23.5MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 250µA	23nc @ 10V		785pf @ 15V	-
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IRF710STRL	-	RFQ	7749	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF710	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），36W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²