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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF630pbf | 1.5300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF630 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRF630pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 200 v | 9A(TC) | 10V | 400MOHM @ 5.4A,10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ±20V | 800 pf @ 25 V | - | 74W(TC) | |||||
![]() | SI5905BDC-T1-GE3 | - | ![]() | 2661 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5905 | MOSFET (金属 o化物) | 3.1W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 8V | 4a | 80mohm @ 3.3a,4.5V | 1V @ 250µA | 11NC @ 8V | 350pf @ 4V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI7634BDP-T1-E3 | 0.7088 | ![]() | 1446 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7634 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 40a(TC) | 4.5V,10V | 5.4mohm @ 15a,10v | 2.6V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ±20V | 3150 pf @ 15 V | - | 5W(5W),48W((((( | |||||
![]() | SIHP054N65E-GE3 | 8.1800 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 47A(TC) | 10V | 58mohm @ 20a,10v | 5V @ 250µA | 108 NC @ 20 V | ±30V | 3769 PF @ 100 V | - | 312W(TC) | ||||||
![]() | SIR584DP-T1-RE3 | 1.5700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Genv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 80 V | 24.7A(TA),100A(tc) | 7.5V,10V | 3.9mohm @ 15a,10v | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ±20V | 2800 PF @ 40 V | - | 5W(5W),83.3W(TC) | ||||||
![]() | SI1403BDL-T1-E3 | 0.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SI1403 | MOSFET (金属 o化物) | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 1.4a(ta) | 2.5V,4.5V | 150MOHM @ 1.5A,4.5V | 1.3V @ 250µA | 4.5 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 568MW(TA) | |||||
![]() | irfrc20trr | - | ![]() | 8064 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFRC20 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 2A(TC) | 10V | 4.4OHM @ 1.2A,10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | ||||
![]() | IRFZ44S | - | ![]() | 9097 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRFZ44 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFZ44S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 50A(TC) | 10V | 28mohm @ 31a,10v | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | ±20V | 1900 pf @ 25 V | - | 3.7W(TA),150W(tc) | |||
![]() | SQJ457EP-T1_GE3 | 0.9800 | ![]() | 6709 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SQJ457 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 36a(TC) | 4.5V,10V | 25mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 3400 PF @ 25 V | - | 68W(TC) | |||||
![]() | SI4800BDY-T1-E3 | 0.9200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4800 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 6.5A(TA) | 4.5V,10V | 18.5mohm @ 9a,10v | 1.8V @ 250µA | 13 NC @ 5 V | ±25V | - | 1.3W(TA) | ||||||
![]() | irlr024trr | - | ![]() | 9098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRLR024 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 14A(TC) | 4V,5V | 100mohm @ 8.4a,5v | 2V @ 250µA | 18 nc @ 5 V | ±10V | 870 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | |||||
![]() | IRF540STRL | - | ![]() | 6577 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF540 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 100 v | 28a(TC) | 10V | 77mohm @ 17a,10v | 4V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 1700 PF @ 25 V | - | 3.7W(TA),150W(tc) | ||||
![]() | SI1065X-T1-GE3 | - | ![]() | 8934 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | SI1065 | MOSFET (金属 o化物) | SC-89(SOT-563F) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 1.18A(TA) | 1.8V,4.5V | 156mohm @ 1.18a,4.5V | 950mv @ 250µA | 10.8 NC @ 5 V | ±8V | 480 pf @ 6 V | - | 236MW(TA) | ||||
![]() | IRFP250pbf | 3.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFP250 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRFP250pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 200 v | 30A(TC) | 10V | 85mohm @ 18a,10v | 4V @ 250µA | 140 NC @ 10 V | ±20V | 2800 PF @ 25 V | - | 190w(TC) | ||||
![]() | 2N4858JVP02 | - | ![]() | 2049 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | - | - | 2N4858 | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | SIHG085N60EF-GE3 | 6.5600 | ![]() | 2537 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SIHG085 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SIHG085N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 34A(TC) | 10V | 84mohm @ 17a,10v | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ±30V | 2733 PF @ 100 V | - | 184W(TC) | ||||
![]() | SIHF085N60EF-GE3 | 6.2400 | ![]() | 4067 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1,000 | n通道 | 600 v | 13A(TC) | 10V | 84mohm @ 17a,10v | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ±30V | 2733 PF @ 100 V | - | 35W(TC) | ||||||||
![]() | SQD40N06-25L-GE3 | - | ![]() | 6585 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SQD40 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 60 V | 30A(TC) | 10V | 22mohm @ 20a,10v | 3V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1800 pf @ 25 V | - | - | |||||
![]() | IRFPG40 | - | ![]() | 9824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFPG40 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFPG40 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 1000 v | 4.3A(TC) | 10V | 3.5OHM @ 2.6a,10V | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 1600 pf @ 25 V | - | 150W(TC) | |||
![]() | SI4936BDY-T1-GE3 | 1.3200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4936 | MOSFET (金属 o化物) | 2.8W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 6.9a | 35mohm @ 5.9a,10v | 3V @ 250µA | 15nc @ 10V | 530pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | SIHH120N60E-T1-GE3 | 6.0900 | ![]() | 4280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | SIHH120 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®8X8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 24A(TC) | 10V | 120mohm @ 12a,10v | 5V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ±30V | 1600 PF @ 100 V | - | 156W(TC) | |||||
![]() | SI4931DY-T1-GE3 | 1.2300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4931 | MOSFET (金属 o化物) | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 12V | 6.7a | 18mohm @ 8.9a,4.5V | 1V @ 350µA | 52nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | SI4431CDY-T1-E3 | 1.0700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4431 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 9A(TC) | 4.5V,10V | 32MOHM @ 7A,10V | 2.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1006 pf @ 15 V | - | 4.2W(TC) | |||||
![]() | SQA310CEJW-T1_GE3 | 0.4700 | ![]() | 9729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装,可润湿的侧面 | PowerPak®Sc-70-6 | MOSFET (金属 o化物) | POWERPAK®SC-70W-6 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 3,000 | n通道 | 30 V | 9A(TC) | 4.5V,10V | 19mohm @ 3a,10v | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 535 pf @ 25 V | - | 13.6W(TC) | ||||||||
![]() | SIB404DK-T1-GE3 | - | ![]() | 3348 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Sc-75-6 | SIB404 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®Sc-75-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 12 v | 9A(TC) | 4.5V | 19mohm @ 3a,4.5V | 800MV @ 250µA | 15 NC @ 4.5 V | ±5V | - | 2.5W(TA),13W(tc) | ||||||
![]() | SIHH240N60E-T1-GE3 | 2.8000 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | SIHH240 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®8X8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SIHH240N60E-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 12A(TC) | 10V | 240MOHM @ 5.5A,10V | 5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±30V | 783 PF @ 100 V | - | 89W(TC) | ||||
![]() | SIHG70N60EF-GE3 | 8.8305 | ![]() | 3473 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SIHG70 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 600 v | 70A(TC) | 10V | 38mohm @ 35a,10v | 4V @ 250µA | 380 NC @ 10 V | ±30V | 7500 PF @ 100 V | - | 520W(TC) | |||||
![]() | 2N5114JAN02 | - | ![]() | 1721年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N5114 | TO-206AA(to-18) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||
![]() | IRF510PBF-BE3 | 1.1200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF510 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 742-IRF510PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 5.6A(TC) | 540MOHM @ 3.4A,10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ±20V | 180 pf @ 25 V | - | 43W(TC) | ||||||
![]() | SIR1309DP-T1-GE3 | 0.9400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 19.1a(ta),65.7a tc) | 4.5V,10V | 7.3mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 87 NC @ 10 V | ±25V | 3250 pf @ 15 V | - | 4.8W(TA),56.8W(tc) |
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