晶体管(5716)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
SI1424EDH-T1-GE3	0.4300	询价	5506	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SI1424	MOSFET（金属O化物）		SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	4A（温度）	4.5V	33mOhm@5A，4.5V	1V@250μA	18nC@8V	±8V		-	1.56W（Ta）、2.8W（Tc）
SI4483ADY-T1-GE3	1.2100	询价	7322	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4483	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	30V	19.2A（温度）	4.5V、10V	8.8毫欧@10A、10V	2.6V@250μA	135nC@10V	±25V	15V时为3900pF	-	2.9W（Ta）、5.9W（Tc）
IRF720PBF	1.2900	询价	2	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF720	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRF720PBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	400V	3.3A（温度）	10V	1.8欧姆@2A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	410pF@25V	-	50W（温度）
SI4840BDY-T1-E3	1.6600	询价	69	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4840	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	40V	19A（TC）	4.5V、10V	9毫欧@12.4A，10V	3V@250μA	50nC@10V	±20V	2000pF@20V	-	2.5W（Ta）、6W（Tc）
SIS778DN-T1-GE3	-	询价	5560	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SIS778	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	35A（温度）	4.5V、10V	5毫欧@10A，10V	2.2V@250μA	42.5nC@10V	±20V	1390pF@15V	肖特基分化（体）	52W（温度）
SI4501BDY-T1-GE3	0.6300	询价	53	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4501	MOSFET（金属O化物）	4.5W、3.1W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人	N 和 P 沟道，共漏极		30V、8V	12A、8A		17毫欧@10A，10V	2V@250μA	25nC@10V		805pF@15V	逻辑电平门
SQJ208EP-T1_GE3	1.4800	询价	9567	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8 双	SQJ208	MOSFET（金属O化物）	27W（工作温度）、48W（工作温度）	PowerPAK® SO-8 双非特价	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		40V	20A（温度）、60A（温度）		9.4毫欧@6A、10V、3.9毫欧@10A、10V	2.3V@250μA，2.4V@250μA	33nC@10V，75nC@10V		1700pF@25V，3900pF@25V	-
SQ4401EY-T1_GE3	2.9300	询价	10	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SQ4401	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	40V	17.3A（温度）	4.5V、10V	14毫欧@10.5A，10V	2.5V@250μA	115nC@10V	±20V	4250pF@20V	-	7.14W（温度）
2N7002E-T1-E3	0.6400	询价	第1582章	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2N7002	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	60V	240mA（塔）	4.5V、10V	3欧姆@250mA，10V	2.5V@250μA	0.6nC@4.5V	±20V	21pF@5V	-	350毫W（塔）
SI5975DC-T1-GE3	-	询价	1962年	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	SI5975	MOSFET（金属O化物）	1.1W	1206-8 ChipFET™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		12V	3.1A		86毫欧@3.1A，4.5V	450mV @ 1mA（最低）	9nC@4.5V		-	逻辑电平门
SI4618DY-T1-GE3	-	询价	第1471章	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4618	MOSFET（金属O化物）	1.98W、4.16W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人	2个N沟道（半桥）		30V	8A、15.2A		17毫欧@8A，10V	2.5V@1mA	44nC@10V		1535pF@15V	-
SQ4401CEY-T1_GE3	1.2300	询价	8343	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）		742-SQ4401CEY-T1_GE3CT	EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	40V	17.3A（温度）	4.5V、10V	14毫欧@10.5A，10V	2.5V@250μA	115nC@10V	±20V	4250pF@20V	-	7.14W（温度）
SUM110P06-08L-E3	4.4500	询价	9491	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	总和110	MOSFET（金属O化物）		TO-263 (D²Pak)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		P沟道	60V	110A（温度）	4.5V、10V	8毫欧@30A，10V	3V@250μA	240nC@10V	±20V	9200pF@25V	-	3.75W（Ta）、272W（Tc）
SQM110P06-8M9L_GE3	3.2300	询价	8396	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	平方米110	MOSFET（金属O化物）		TO-263 (D²Pak)	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	800		P沟道	60V	110A（温度）	4.5V、10V	8.9毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	200nC@10V	±20V	7450pF@25V	-	230W（温度）
IRF610STRLPBF	1.7300	询价	第677章	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF610	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	200V	3.3A（温度）	10V	1.5欧姆@2A，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	140pF@25V	-	3W（Ta）、36W（Tc）
SI4136DY-T1-GE3	1.6300	询价	6	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4136	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	20V	46A（温度）	4.5V、10V	2mOhm@15A，10V	2.2V@250μA	110nC@10V	±20V	4560pF@10V	-	3.5W（Ta）、7.8W（Tc）
SIHD7N60E-E3	0.9185	询价	7786	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SIHD7	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	600伏	7A（温度）	10V	600毫欧@3.5A，10V	4V@250μA	40nC@10V	±30V	680 pF @ 100 V	-	78W（温度）
SIHA15N80AE-GE3	2.6000	询价	7348	威世硅科	B	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	SIHA15	MOSFET（金属O化物）		TO-220全包	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SIHA15N80AE-GE3	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	800V	6A（温度）	10V	350毫欧@7.5A，10V	4V@250μA	53nC@10V	±30V	1093pF@100V	-	33W（温度）
SI7858BDP-T1-GE3	1.6600	询价	1922年	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7858	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	12V	40A（温度）	1.8V、4.5V	2.5毫欧@15A，4.5V	1V@250μA	84nC@4.5V	±8V	5760pF@6V	-	5W（Ta）、48W（Tc）
SQJ403BEEP-T1_BE3	1.6000	询价	7997	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载		1（无限制）		742-SQJ403BEEP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	30A（温度）	4.5V、10V	8.5毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	164nC@10V	±20V		-	68W（温度）
SI3433CDV-T1-GE3	0.5100	询价	2156	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3433	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	6A（温度）	1.8V、4.5V	38毫欧@5.2A，4.5V	1V@250μA	8V时为45nC	±8V	1300pF@10V	-	1.6W（Ta）、3.3W（Tc）
SI2369DS-T1-GE3	0.4200	询价	33	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI2369	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	7.6A（温度）	4.5V、10V	29毫欧@5.4A，10V	2.5V@250μA	36nC@10V	±20V	1295pF@15V	-	1.25W（Ta）、2.5W（Tc）
SI1431DH-T1-GE3	-	询价	8912	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SI1431	MOSFET（金属O化物）		SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	30V	1.7A（塔）	4.5V、10V	200毫欧@2A，10V	3V@100μA	4nC@4.5V	±20V		-	950毫W（塔）
SI3127DV-T1-GE3	0.4800	询价	4	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3127	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	60V	3.5A（Ta）、13A（Tc）	4.5V、10V	89毫欧@1.5A，4.5V	3V@250μA	30nC@10V	±20V	833pF@20V	-	2W（Ta）、4.2W（Tc）
IRFR020TRL	-	询价	6218	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	红外FR020	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	14A（温度）	10V	100mOhm@8.4A，10V	4V@250μA	25nC@10V	±20V	640pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
SI1039X-T1-E3	-	询价	4580	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SI1039	MOSFET（金属O化物）		SC-89 (SOT-563F)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	12V	870mA（塔）	1.8V、4.5V	165毫欧@870mA，4.5V	450mV @ 250μA（极低）	6nC@4.5V	±8V		-	170毫W（塔）
SIR500DP-T1-RE3	1.6400	询价	1	威世硅科	TrenchFET®第五代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SIR500DP-T1-RE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	85.9A（Ta）、350.8A（Tc）	4.5V、10V	0.47毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	180nC@10V	+16V，-12V	15V时为8960pF	-	6.25W（Ta）、104.1W（Tc）
SQD50P04-13L_T4GE3	1.4600	询价	78	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	40V	50A（温度）	4.5V、10V	13毫欧@17A，10V	2.5V@250μA	80nC@10V	±20V	3590pF@25V	-	3W（Ta）、136W（Tc）
SIHG22N60EL-GE3	2.8760	询价	6686	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SIHG22	MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	600伏	21A（温度）	10V	197毫欧@11A，10V	5V@250μA	74nC@10V	±30V	1690pF@100V	-	227W（温度）
IRFR110TRR	-	询价	2423	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	红外FR110	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100伏	4.3A（温度）	10V	540毫欧@2.6A，10V	4V@250μA	10V时为8.3nC	±20V	180pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²