SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
IRF630PBF Vishay Siliconix IRF630pbf 1.5300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF630 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRF630pbf Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 9A(TC) 10V 400MOHM @ 5.4A,10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±20V 800 pf @ 25 V - 74W(TC)
SI5905BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5905BDC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2661 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 SI5905 MOSFET (金属 o化物) 3.1W 1206-8 chipfet™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 8V 4a 80mohm @ 3.3a,4.5V 1V @ 250µA 11NC @ 8V 350pf @ 4V 逻辑级别门
SI7634BDP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7634BDP-T1-E3 0.7088
RFQ
ECAD 1446 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7634 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 40a(TC) 4.5V,10V 5.4mohm @ 15a,10v 2.6V @ 250µA 68 NC @ 10 V ±20V 3150 pf @ 15 V - 5W(5W),48W(((((
SIHP054N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHP054N65E-GE3 8.1800
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix e 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 47A(TC) 10V 58mohm @ 20a,10v 5V @ 250µA 108 NC @ 20 V ±30V 3769 PF @ 100 V - 312W(TC)
SIR584DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR584DP-T1-RE3 1.5700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Genv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 80 V 24.7A(TA),100A(tc) 7.5V,10V 3.9mohm @ 15a,10v 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 40 V - 5W(5W),83.3W(TC)
SI1403BDL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1403BDL-T1-E3 0.5300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SI1403 MOSFET (金属 o化物) SC-70-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 1.4a(ta) 2.5V,4.5V 150MOHM @ 1.5A,4.5V 1.3V @ 250µA 4.5 NC @ 4.5 V ±12V - 568MW(TA)
IRFRC20TRR Vishay Siliconix irfrc20trr -
RFQ
ECAD 8064 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRFRC20 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 600 v 2A(TC) 10V 4.4OHM @ 1.2A,10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 350 pf @ 25 V - 2.5W(TA),42W(TC)
IRFZ44S Vishay Siliconix IRFZ44S -
RFQ
ECAD 9097 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFZ44 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFZ44S Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 50A(TC) 10V 28mohm @ 31a,10v 4V @ 250µA 67 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 25 V - 3.7W(TA),150W(tc)
SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ457EP-T1_GE3 0.9800
RFQ
ECAD 6709 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SQJ457 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 36a(TC) 4.5V,10V 25mohm @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 V ±20V 3400 PF @ 25 V - 68W(TC)
SI4800BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4800BDY-T1-E3 0.9200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4800 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 6.5A(TA) 4.5V,10V 18.5mohm @ 9a,10v 1.8V @ 250µA 13 NC @ 5 V ±25V - 1.3W(TA)
IRLR024TRR Vishay Siliconix irlr024trr -
RFQ
ECAD 9098 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRLR024 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 14A(TC) 4V,5V 100mohm @ 8.4a,5v 2V @ 250µA 18 nc @ 5 V ±10V 870 pf @ 25 V - 2.5W(TA),42W(TC)
IRF540STRL Vishay Siliconix IRF540STRL -
RFQ
ECAD 6577 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF540 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 28a(TC) 10V 77mohm @ 17a,10v 4V @ 250µA 72 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 25 V - 3.7W(TA),150W(tc)
SI1065X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1065X-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8934 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 SI1065 MOSFET (金属 o化物) SC-89(SOT-563F) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v 1.18A(TA) 1.8V,4.5V 156mohm @ 1.18a,4.5V 950mv @ 250µA 10.8 NC @ 5 V ±8V 480 pf @ 6 V - 236MW(TA)
IRFP250PBF Vishay Siliconix IRFP250pbf 3.9500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFP250 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *IRFP250pbf Ear99 8541.29.0095 25 n通道 200 v 30A(TC) 10V 85mohm @ 18a,10v 4V @ 250µA 140 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 25 V - 190w(TC)
2N4858JVP02 Vishay Siliconix 2N4858JVP02 -
RFQ
ECAD 2049 0.00000000 Vishay Siliconix - 大部分 过时的 - - 2N4858 - 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
SIHG085N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG085N60EF-GE3 6.5600
RFQ
ECAD 2537 0.00000000 Vishay Siliconix EF 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SIHG085 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SIHG085N60EF-GE3 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 600 v 34A(TC) 10V 84mohm @ 17a,10v 5V @ 250µA 63 NC @ 10 V ±30V 2733 PF @ 100 V - 184W(TC)
SIHF085N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHF085N60EF-GE3 6.2400
RFQ
ECAD 4067 0.00000000 Vishay Siliconix EF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 1,000 n通道 600 v 13A(TC) 10V 84mohm @ 17a,10v 5V @ 250µA 63 NC @ 10 V ±30V 2733 PF @ 100 V - 35W(TC)
SQD40N06-25L-GE3 Vishay Siliconix SQD40N06-25L-GE3 -
RFQ
ECAD 6585 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SQD40 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 30A(TC) 10V 22mohm @ 20a,10v 3V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 25 V - -
IRFPG40 Vishay Siliconix IRFPG40 -
RFQ
ECAD 9824 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRFPG40 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFPG40 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 1000 v 4.3A(TC) 10V 3.5OHM @ 2.6a,10V 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 25 V - 150W(TC)
SI4936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4936BDY-T1-GE3 1.3200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4936 MOSFET (金属 o化物) 2.8W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 30V 6.9a 35mohm @ 5.9a,10v 3V @ 250µA 15nc @ 10V 530pf @ 15V 逻辑级别门
SIHH120N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH120N60E-T1-GE3 6.0900
RFQ
ECAD 4280 0.00000000 Vishay Siliconix e 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN SIHH120 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®8X8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 600 v 24A(TC) 10V 120mohm @ 12a,10v 5V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±30V 1600 PF @ 100 V - 156W(TC)
SI4931DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4931DY-T1-GE3 1.2300
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4931 MOSFET (金属 o化物) 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 2(p 通道(双) 12V 6.7a 18mohm @ 8.9a,4.5V 1V @ 350µA 52nc @ 4.5V - 逻辑级别门
SI4431CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4431CDY-T1-E3 1.0700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4431 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 9A(TC) 4.5V,10V 32MOHM @ 7A,10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 1006 pf @ 15 V - 4.2W(TC)
SQA310CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQA310CEJW-T1_GE3 0.4700
RFQ
ECAD 9729 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 PowerPak®Sc-70-6 MOSFET (金属 o化物) POWERPAK®SC-70W-6 - rohs3符合条件 (1 (无限) 3,000 n通道 30 V 9A(TC) 4.5V,10V 19mohm @ 3a,10v 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 535 pf @ 25 V - 13.6W(TC)
SIB404DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB404DK-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3348 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®Sc-75-6 SIB404 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®Sc-75-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 12 v 9A(TC) 4.5V 19mohm @ 3a,4.5V 800MV @ 250µA 15 NC @ 4.5 V ±5V - 2.5W(TA),13W(tc)
SIHH240N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH240N60E-T1-GE3 2.8000
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Vishay Siliconix EF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN SIHH240 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®8X8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SIHH240N60E-T1-GE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 600 v 12A(TC) 10V 240MOHM @ 5.5A,10V 5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±30V 783 PF @ 100 V - 89W(TC)
SIHG70N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG70N60EF-GE3 8.8305
RFQ
ECAD 3473 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SIHG70 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 70A(TC) 10V 38mohm @ 35a,10v 4V @ 250µA 380 NC @ 10 V ±30V 7500 PF @ 100 V - 520W(TC)
2N5114JAN02 Vishay Siliconix 2N5114JAN02 -
RFQ
ECAD 1721年 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 - 通过洞 TO-206AA,TO-18-3 2N5114 TO-206AA(to-18) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 40 - -
IRF510PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF510PBF-BE3 1.1200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF510 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 (1 (无限) 742-IRF510PBF-BE3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 5.6A(TC) 540MOHM @ 3.4A,10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ±20V 180 pf @ 25 V - 43W(TC)
SIR1309DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR1309DP-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 19.1a(ta),65.7a tc) 4.5V,10V 7.3mohm @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 87 NC @ 10 V ±25V 3250 pf @ 15 V - 4.8W(TA),56.8W(tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库