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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFD224	-	RFQ	1112	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD224	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFD224	Ear99	8541.29.0095	100		n通道	250 v	630ma（ta）	10V	1.1OHM @ 380mA，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	1W（ta）
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SQJ414EP-T1_GE3	0.9400	RFQ	7272	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ414	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	12MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 15 V	-	45W（TC）
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SIHA15N50E-GE3	2.2100	RFQ	9714	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA15N50E-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	14.5A（TC）	10V	280MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±30V	1162 PF @ 100 V	-	33W（TC）
SQP120N06-06_GE3	-	RFQ	4109	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SQP120	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	119a（TC）	10V	6mohm @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	6495 pf @ 25 V	-	175W（TC）
SQJB80EP-T1_BE3	1.1900	RFQ	9504	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB80	MOSFET （金属 o化物）	48W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJB80EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		80V	30A（TC）		19mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	32NC @ 10V		1400pf @ 25V	-
SIR166DP-T1-GE3	1.5000	RFQ	6182	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir166	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	3340 pf @ 15 V	-	5W（5W），48W（（（（（
SQJA96EP-T1_GE3	1.0600	RFQ	4176	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA96	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	30A（TC）	10V	21.5mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	48W（TC）
SIA456DJ-T1-GE3	0.9400	RFQ	8822	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	2.6A（TC）	1.8V，4.5V	1.38OHM @ 750mA，4.5V	1.4V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±16V	350 pf @ 100 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
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IRFB17N50L	-	RFQ	7460	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB17	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	16A（TC）	10V	320MOHM @ 9.9A，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2760 pf @ 25 V	-	220W（TC）
SI5411EDU-T1-GE3	-	RFQ	2253	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5411	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®芯片单	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	25A（TC）	1.8V，4.5V	8.2MOHM @ 6A，4.5V	900mv @ 250µA	105 NC @ 8 V	±8V	4100 PF @ 6 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
IRFR9220TRPBF	1.3500	RFQ	8745	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9220	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	200 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRF820PBF-BE3	1.4000	RFQ	4606	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irf820pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SQ2319ADS-T1_BE3	0.6900	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2319	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	4.6A（TC）	4.5V，10V	75MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 20 V	-	2.5W（TC）
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IRFD020PBF	1.5900	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD020	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	50 V	2.4A（TC）	10V	100mohm @ 1.4a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	1W（TC）
SIR450DP-T1-RE3	1.5600	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	45 v	36a（36a），113a（tc（TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	114 NC @ 10 V	+20V，-16V	5920 PF @ 20 V	-	4.8W（TA），48W（tc）
SI8475EDB-T1-E1	-	RFQ	5763	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8475	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.9a（ta）	2.5V，4.5V	32MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA		±12V		-	1.1W（ta），2.7W（TC）
SI6415DQ-T1-E3	1.8600	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6415	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	19mohm @ 6.5a，10v	1V @ 250µA（250µA）	70 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI4447DY-T1-E3	0.8300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4447	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	3.3a（ta）	15V，10V	72MOHM @ 4.5A，15V	2.2V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±16V	805 pf @ 20 V	-	1.1W（TA）
SI6415DQ-T1-GE3	1.8600	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6415	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6.4a（ta）	4.5V，10V	19mohm @ 6.5a，10v	1V @ 250µA（250µA）	70 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI1070X-T1-GE3	0.5100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1070	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	1.2A（TA）	2.5V，4.5V	99mohm @ 1.2A，4.5V	1.55V @ 250µA	8.3 NC @ 5 V	±12V	385 pf @ 15 V	-	236MW（TA）
IRF630STRR	-	RFQ	7897	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
IRF9Z14SPBF	1.6800	RFQ	72	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9Z14	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9Z14SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SIDR638DP-T1-GE3	2.0800	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR638	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.88MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	204 NC @ 10 V	+20V，-16V	10500 PF @ 20 V	-	125W（TC）
IRFBF30STRR	-	RFQ	8102	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBF30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI3493BDV-T1-BE3	0.9600	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SI3493BDV-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	（7a ta），8a tc（8a tc）	1.8V，4.5V	27.5mohm @ 7A，4.5V	900mv @ 250µA	43.5 NC @ 5 V	±8V	1805 PF @ 10 V	-	2.08W（TA），2.97W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²