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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFD214	-	RFQ	9563	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD214	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFD214	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	250 v	450mA（ta）	10V	2ohm @ 270mA，10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	1W（ta）
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BS250KL-TR1-E3	-	RFQ	1974年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BS250	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-18RM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道	60 V	270mA（ta）	4.5V，10V	6ohm @ 500mA，10v	3V @ 250µA	3 NC @ 15 V	±20V		-	800MW（TA）
SI7368DP-T1-GE3	-	RFQ	8238	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7368	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	13A（TA）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	1.8V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±16V		-	1.7W（TA）
IRLZ34SPBF	2.1700	RFQ	25	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	30A（TC）	4V，5V	50mohm @ 18a，5v	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±10V	1600 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
IRL540STRR	-	RFQ	8780	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL540	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	28a（TC）	4V，5V	77mohm @ 17a，5v	2V @ 250µA	64 NC @ 5 V	±10V	2200 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
IRFSL31N20DTRR	-	RFQ	2953	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL31	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	31a（TC）	10V	82MOHM @ 18A，10V	5.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2370 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），200W（（tc）
SIS106DN-T1-GE3	1.0500	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS106	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	9.8A（TA），16a （TC）	7.5V，10V	18.5MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	13.5 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 30 V	-	3.2W（24W）（24W）TC）
SI3459BDV-T1-GE3	0.8300	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3459	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	2.9a（TC）	4.5V，10V	216mohm @ 2.2a，10v	3V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 30 V	-	2W（TA），3.3W（3.3W）（TC）
IRFP264NPBF	-	RFQ	4745	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP264	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP264NPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	250 v	44A（TC）	10V	60mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	3860 pf @ 25 V	-	380W（TC）
IRF520STRL	-	RFQ	3890	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	9.2A（TC）	10V	270MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
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SUD19N20-90-E3	3.0700	RFQ	9031	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD19	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	19a（tc）	6V，10V	90MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
SI4569DY-T1-E3	-	RFQ	5611	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4569	MOSFET （金属 o化物）	3.1W，3.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	7.6a，7.9a		27mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	32NC @ 10V		855pf @ 20V	-
SI3586DV-T1-GE3	-	RFQ	4225	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3586	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	2.9a，2.1a		60mohm @ 3.4a，4.5V	1.1V @ 250µA	6NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SUM40010EL-GE3	2.8900	RFQ	8952	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum40010	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	11155 PF @ 30 V	-	375W（TC）
SQ3419AEEV-T1_BE3	0.7000	RFQ	3910	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SQ3419AEEV-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	6.9a（TC）	4.5V，10V	61mohm @ 2.5a，10v	2.5V @ 250µA	12.5 NC @ 4.5 V	±12V	975 PF @ 20 V	-	5W（TC）
IRL640STRLPBF	2.3000	RFQ	110	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	17a（TC）	4V，5V	180mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	1800 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SQJA72EP-T1_GE3	1.5700	RFQ	6535	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA72	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	37A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1390 pf @ 25 V	-	55W（TC）
SI3434DV-T1-GE3	-	RFQ	6851	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3434	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.6a（ta）	2.5V，4.5V	34mohm @ 6.1a，4.5V	600mv @ 1mA （最小）	12 nc @ 4.5 V	±12V		-	1.14W（TA）
SI4833ADY-T1-GE3	-	RFQ	7676	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4833	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	4.6A（TC）	4.5V，10V	72MOHM @ 3.6A，10V	2.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	1.93W（ta），2.75W（tc）
IRFBC40PBF-BE3	2.4100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFBC40PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	6.2A（TC）		1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRF730	-	RFQ	1821年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF730S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
SI4636DY-T1-E3	-	RFQ	9388	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4636	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17a（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±16V	2635 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），4.4W（TC）
SI5519DU-T1-GE3	-	RFQ	9381	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5519	MOSFET （金属 o化物）	10.4W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	6a		36mohm @ 6.1a，4.5V	1.8V @ 250µA	17.5nc @ 10V		660pf @ 10V	-
SI9945AEY-T1	-	RFQ	4187	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9945	MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q4552539A	Ear99	8541.29.0095	500	2 n 通道（双）		60V	3.7a		80Mohm @ 3.7A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRF740STRL	-	RFQ	3914	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SIE844DF-T1-GE3	-	RFQ	2414	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（U）	SIE844	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（U）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	44.5A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 12.1a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 15 V	-	5.2W（TA），25W（25W）TC）
IRF740APBF-BE3	2.7800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF740APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²