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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIA811DJ-T1-E3	-	RFQ	9902	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA811	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（TC）	1.8V，4.5V	94mohm @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	13 NC @ 8 V	±8V	355 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.9W（ta），6.5W（TC）
SIS488DN-T1-GE3	0.9700	RFQ	1255	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS488	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	40a（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1330 pf @ 20 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
IRF820ALPBF	1.8600	RFQ	5746	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF820ALPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SUP45N03-13L-E3	-	RFQ	2190	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP45	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	30 V	45A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 45a，10v	3V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±10V	2730 PF @ 25 V	-	88W（TC）
SIJ4819DP-T1-GE3	2.2100	RFQ	50	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	11.5A（TA），44.4a （TC）	4.5V，10V	20.7MOHM @ 10A，10V	2.6V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	3420 PF @ 40 V	-	5W（5W），73.5W（TC）
IRFP054	-	RFQ	1317	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP054	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP054	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	70A（TC）	10V	14mohm @ 54a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	230W（TC）
SI4276DY-T1-E3	-	RFQ	9791	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4276	MOSFET （金属 o化物）	3.6W，2.8W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8a		15.3MOHM @ 9.5A，10V	2.5V @ 250µA	26NC @ 10V		1000pf @ 15V	逻辑级别门
SI3473DDDDV-T1-GE3	0.5100	RFQ	8133	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3473	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	17.8mohm @ 8.7A，4.5V	1V @ 250µA	57 NC @ 8 V	±8V	1975 pf @ 6 V	-	3.6W（TC）
IRFZ44R	-	RFQ	5443	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ44R	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	50A（TC）	10V	28mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SIA511DJ-T1-GE3	-	RFQ	7690	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA511	MOSFET （金属 o化物）	6.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		12V	4.5a		40mohm @ 4.2A，4.5V	1V @ 250µA	12nc @ 8v		400pf @ 6V	逻辑级别门
SI1029X-T1-GE3	0.5100	RFQ	3281	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1029	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		60V	305mA，190mA		1.4OHM @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	0.75nc @ 4.5V		30pf @ 25V	逻辑级别门
SIHB33N60EF-GE3	6.5000	RFQ	734	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB33	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	33A（TC）	10V	98mohm @ 16.5a，10v	4V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±30V	3454 pf @ 100 V	-	278W（TC）
SIB413DK-T1-GE3	-	RFQ	3563	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB413	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	9A（TC）	2.5V，4.5V	75MOHM @ 6.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	7.63 NC @ 5 V	±12V	357 pf @ 10 V	-	2.4W（TA），13W（tc）
IRFS11N50ATRLP	2.9400	RFQ	330	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS11	MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	11A（TC）	10V	520MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 25 V	-	170W（TC）
SI3438DV-T1-GE3	1.1100	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3438	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	7.4A（TC）	4.5V，10V	35.5MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	640 pf @ 20 V	-	2W（ta），3.5W（TC）
SI4944DY-T1-E3	-	RFQ	8283	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4944	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	9.3a		9.5MOHM @ 12.2a，10V	3V @ 250µA	21nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIHP065N60E-BE3	7.2600	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	40a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SI7454FDP-T1-RE3	0.8800	RFQ	3018	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	7.2A（ta），23.5a tc）	4.5V，10V	29.5Mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	26.5 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 50 V	-	3.6W（39W），39w（tc）
SIE816DF-T1-E3	-	RFQ	2616	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE816	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）	10V	7.4mohm @ 19.8a，10v	4.4V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	3100 PF @ 30 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SI7489DP-T1-GE3	2.6700	RFQ	8998	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7489	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	28a（TC）	4.5V，10V	41MOHM @ 7.8A，10V	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 50 V	-	5.2W（ta），83w（tc）
2N6660JTVP02	-	RFQ	7427	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6660	MOSFET （金属 o化物）		TO-205AD（TO-39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道	60 V	990mA（tc）	5V，10V	3ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
SIHFPS40N50L-GE3	7.6600	RFQ	935	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHFPS40N50L-GE3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	500 v	46A（TC）	10V	100mohm @ 28a，10v	5V @ 250µA	380 NC @ 10 V	±30V	8110 PF @ 25 V	-	540W（TC）
SUP80090E-GE3	3.0600	RFQ	5898	Vishay Siliconix	Thunderfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP80090	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	150 v	128a（TC）	7.5V，10V	9.4mohm @ 30a，10v	5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3425 PF @ 75 V	-	375W（TC）
SI3459DV-T1-E3	-	RFQ	1946年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3459	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	2.2A（TC）	4.5V，10V	220MOHM @ 2.2A，10V	1V @ 250µA（250µA）	14 NC @ 10 V	±20V		-	2W（TA）
SI7844DP-T1-E3	-	RFQ	1864年	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7844	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	6.4a		22mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRFR220TRLPBF	0.9300	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR220	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	4.8A（TC）	10V	800MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
2N6660JTXP02	-	RFQ	7376	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6660	MOSFET （金属 o化物）		TO-205AD（TO-39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道	60 V	990mA（tc）	5V，10V	3ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
SQ1440EH-T1_GE3	0.6000	RFQ	144	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SQ1440	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	1.7A（TC）	4.5V，10V	120MOHM @ 3.8A，10V	2.5V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±20V	344 pf @ 15 V	-	3.3W（TC）
SIRA54DP-T1-GE3	1.3000	RFQ	6711	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira54	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.35mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	48 NC @ 4.5 V	+20V，-16V	5300 PF @ 20 V	-	36.7W（TC）
IRFD123PBF	1.3900	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD123	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFD123PBF	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.3a（ta）	10V	270MOHM @ 780mA，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²