电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIHA4N80E-GE3 | 1.0457 | ![]() | 5969 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | Siha4 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 800 v | 4.3A(TC) | 10V | 1.27OHM @ 2A,10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±30V | 622 PF @ 100 V | - | 69W(TC) | |||||
![]() | SQM120N02-1M3L_GE3 | 1.8981 | ![]() | 9857 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SQM120 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 20 v | 120A(TC) | 4.5V,10V | 1.3MOHM @ 40a,10v | 2.5V @ 250µA | 290 NC @ 10 V | ±20V | 14500 PF @ 10 V | - | 375W(TC) | ||||||
![]() | SIHF30N60E-GE3 | 6.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | SIHF30 | MOSFET (金属 o化物) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 29A(TC) | 10V | 125mohm @ 15a,10v | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ±30V | 2600 PF @ 100 V | - | 37W(TC) | ||||||
![]() | IRF720STRRPBF | 1.1558 | ![]() | 2676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF720 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 400 v | 3.3A(TC) | 10V | 1.8Ohm @ 2a,10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 410 pf @ 25 V | - | 3.1W(ta),50W(TC) | |||||
![]() | SISA72DN-T1-GE3 | 0.9400 | ![]() | 7733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SISA72 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 60a(TC) | 4.5V,10V | 3.5MOHM @ 10A,10V | 2.4V @ 250µA | 30 NC @ 4.5 V | +20V,-16V | 3240 pf @ 20 V | - | 52W(TC) | |||||
![]() | SI3445DV-T1-GE3 | - | ![]() | 9610 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3445 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 5.6a(ta) | 1.8V,4.5V | 42MOHM @ 5.6A,4.5V | 1V @ 250µA | 25 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 2W(TA) | |||||
![]() | SQJ488EP-T2_GE3 | 1.3300 | ![]() | 6170 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | (1 (无限) | 742-SQJ488EP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 42A(TC) | 4.5V,10V | 21MOHM @ 7.1A,10V | 2.5V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±20V | 978 PF @ 50 V | - | 83W(TC) | ||||||
![]() | SIHG40N60E-GE3 | 6.8800 | ![]() | 428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SIHG40 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 600 v | 40a(TC) | 10V | 75mohm @ 20a,10v | 4V @ 250µA | 197 nc @ 10 V | ±30V | 4436 pf @ 100 V | - | 329W(TC) | |||||
![]() | SIRA60DP-T1-RE3 | 0.5977 | ![]() | 7886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sira60 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 100A(TC) | 4.5V,10V | 0.94MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | +20V,-16V | 7650 pf @ 15 V | - | 57W(TC) | ||||||
IRFB9N65A | - | ![]() | 9250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRFB9N65 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFB9N65A | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 8.5A(TC) | 10V | 930MOHM @ 5.1A,10V | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ±30V | 1417 PF @ 25 V | - | 167W(TC) | ||||
![]() | SQ4153EY-T1_BE3 | 1.6500 | ![]() | 485 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SQ4153 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 12 v | 25A(TC) | 1.8V,4.5V | 8.32MOHM @ 14A,4.5V | 900mv @ 250µA | 151 NC @ 4.5 V | ±8V | 11000 PF @ 6 V | - | 7.1W(TC) | ||||||
![]() | SI4413DDY-T1-GE3 | 0.9214 | ![]() | 7408 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4413 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | - | 4.5V,10V | 5.5MOHM @ 10a,10v | 1.6V @ 250µA | 114 NC @ 10 V | - | 4780 pf @ 15 V | - | - | |||||||
![]() | SI7115DN-T1-GE3 | 2.0800 | ![]() | 239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7115 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 150 v | 8.9a(TC) | 6V,10V | 295MOHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±20V | 1190 pf @ 50 V | - | 3.7W(TA),52W(TC) | |||||
![]() | SI7434DP-T1-E3 | 2.8800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7434 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 250 v | 2.3a(ta) | 6V,10V | 155MOHM @ 3.8A,10V | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.9W(TA) | ||||||
![]() | SI1416EDH-T1-GE3 | 0.4700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SI1416 | MOSFET (金属 o化物) | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 3.9a(TC) | 2.5V,10V | 58mohm @ 3.1a,10v | 1.4V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±12V | - | 2.8W(TC) | |||||
![]() | SUM60030E-GE3 | 1.9173 | ![]() | 7457 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SUM60030 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 80 V | 120A(TC) | 7.5V,10V | 3.2MOHM @ 30a,10v | 4V @ 250µA | 141 NC @ 10 V | ±20V | 7910 PF @ 40 V | - | 375W(TC) | |||||
![]() | SI7459DP-T1-GE3 | - | ![]() | 4915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7459 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 13A(TA) | 10V | 6.8mohm @ 22a,10v | 3V @ 250µA | 170 NC @ 10 V | ±25V | - | 1.9W(TA) | |||||
![]() | IRFSL9N60ATRR | - | ![]() | 3900 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IRFSL9 | MOSFET (金属 o化物) | i2pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 600 v | 9.2A(TC) | 10V | 750MOHM @ 5.5A,10V | 4V @ 250µA | 49 NC @ 10 V | ±30V | 1400 pf @ 25 V | - | 170W(TC) | |||||
![]() | SIZ728DT-T1-GE3 | - | ![]() | 4950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-PowerPair™ | SIZ728 | MOSFET (金属 o化物) | 27W,48W | 6-PowerPair™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(半桥) | 25V | 16a,35a | 7.7MOHM @ 18A,10V | 2.2V @ 250µA | 26NC @ 10V | 890pf @ 12.5V | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | SI7949DP-T1-GE3 | 1.6400 | ![]() | 9164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SI7949 | MOSFET (金属 o化物) | 1.5W | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 60V | 3.2a | 64mohm @ 5A,10V | 3V @ 250µA | 40NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | irfuc20pbf | 1.6000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | IRFUC20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *irfuc20pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 600 v | 2A(TC) | 10V | 4.4OHM @ 1.2A,10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | ||||
![]() | SIZF906DT-T1-GE3 | 1.6700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C(TA) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | SIZF906 | MOSFET (金属 o化物) | 38W(TC),83W(tc) | 8-Powerpair®(6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 60a(TC) | 3.8mohm @ 15A,10V,1.17MOHM @ 20a,10v | 2.2V @ 250µA | 22nc @ 4.5V,92NC @ 4.5V | 2000pf @ 15V,8200pf @ 15V | - | |||||||
![]() | SQJQ466E-T1_GE3 | 2.8100 | ![]() | 7656 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®8X8 | SQJQ466 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®8X8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 60 V | 200a(TC) | 10V | 1.9mohm @ 10a,10v | 3.5V @ 250µA | 180 NC @ 10 V | ±20V | 10210 PF @ 25 V | - | 150W(TC) | |||||
![]() | SI3442BDV-T1-E3 | 0.5900 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3442 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 3A(3A) | 2.5V,4.5V | 57MOHM @ 4A,4.5V | 1.8V @ 250µA | 5 NC @ 4.5 V | ±12V | 295 pf @ 10 V | - | 860MW(TA) | |||||
![]() | SQJ168ELP-T1_GE3 | 0.8800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SQJ168ELP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 24A(TC) | 4.5V,10V | 36mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 987 PF @ 25 V | - | 29.4W(TC) | |||||
![]() | IRF740ASTRR | - | ![]() | 6933 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF740 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 400 v | 10A(TC) | 10V | 550MOHM @ 6A,10V | 4V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±30V | 1030 pf @ 25 V | - | 3.1W(ta),125W(tc) | ||||
![]() | IRL520STRR | - | ![]() | 1731年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRL520 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 100 v | 9.2A(TC) | 4V,5V | 270MOHM @ 5.5A,5V | 2V @ 250µA | 12 nc @ 5 V | ±10V | 490 pf @ 25 V | - | 3.7W(TA),60W(TC) | |||||
![]() | SIHH186N60EF-T1GE3 | 5.0300 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | SIHH186 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®8X8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 16A(TC) | 10V | 193MOHM @ 9.5A,10V | 5V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±30V | 1081 PF @ 100 V | - | 114W(TC) | |||||
![]() | SISS76LDN-T1-GE3 | 1.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8SH | SISS76 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8SH | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 742-SISS76LDN-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 70 v | 19.6a(ta),67.4a (TC) | 3.3V,4.5V | 6.25mohm @ 10a,4.5V | 1.6V @ 250µA | 33.5 NC @ 4.5 V | ±12V | 2780 pf @ 35 V | - | 4.8W(ta),57W(TC) | ||||
![]() | IRFD9014 | - | ![]() | 3798 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) | IRFD9014 | MOSFET (金属 o化物) | 4-HVMDIP | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFD9014 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 60 V | 1.1A(TA) | 10V | 500MOHM @ 660mA,10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 270 pf @ 25 V | - | 1.3W(TA) |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库