SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
SIHA4N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHA4N80E-GE3 1.0457
RFQ
ECAD 5969 0.00000000 Vishay Siliconix e 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 Siha4 MOSFET (金属 o化物) TO-220完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 800 v 4.3A(TC) 10V 1.27OHM @ 2A,10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 V ±30V 622 PF @ 100 V - 69W(TC)
SQM120N02-1M3L_GE3 Vishay Siliconix SQM120N02-1M3L_GE3 1.8981
RFQ
ECAD 9857 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SQM120 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 20 v 120A(TC) 4.5V,10V 1.3MOHM @ 40a,10v 2.5V @ 250µA 290 NC @ 10 V ±20V 14500 PF @ 10 V - 375W(TC)
SIHF30N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHF30N60E-GE3 6.1200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix e 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 SIHF30 MOSFET (金属 o化物) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 29A(TC) 10V 125mohm @ 15a,10v 4V @ 250µA 130 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 100 V - 37W(TC)
IRF720STRRPBF Vishay Siliconix IRF720STRRPBF 1.1558
RFQ
ECAD 2676 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF720 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 400 v 3.3A(TC) 10V 1.8Ohm @ 2a,10v 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 410 pf @ 25 V - 3.1W(ta),50W(TC)
SISA72DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA72DN-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 7733 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SISA72 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 60a(TC) 4.5V,10V 3.5MOHM @ 10A,10V 2.4V @ 250µA 30 NC @ 4.5 V +20V,-16V 3240 pf @ 20 V - 52W(TC)
SI3445DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3445DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9610 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3445 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 8 V 5.6a(ta) 1.8V,4.5V 42MOHM @ 5.6A,4.5V 1V @ 250µA 25 NC @ 4.5 V ±8V - 2W(TA)
SQJ488EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ488EP-T2_GE3 1.3300
RFQ
ECAD 6170 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 (1 (无限) 742-SQJ488EP-T2_GE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 42A(TC) 4.5V,10V 21MOHM @ 7.1A,10V 2.5V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±20V 978 PF @ 50 V - 83W(TC)
SIHG40N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG40N60E-GE3 6.8800
RFQ
ECAD 428 0.00000000 Vishay Siliconix e 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SIHG40 MOSFET (金属 o化物) TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 40a(TC) 10V 75mohm @ 20a,10v 4V @ 250µA 197 nc @ 10 V ±30V 4436 pf @ 100 V - 329W(TC)
SIRA60DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA60DP-T1-RE3 0.5977
RFQ
ECAD 7886 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 Sira60 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 100A(TC) 4.5V,10V 0.94MOHM @ 20A,10V 2.2V @ 250µA 125 NC @ 10 V +20V,-16V 7650 pf @ 15 V - 57W(TC)
IRFB9N65A Vishay Siliconix IRFB9N65A -
RFQ
ECAD 9250 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRFB9N65 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFB9N65A Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 650 v 8.5A(TC) 10V 930MOHM @ 5.1A,10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±30V 1417 PF @ 25 V - 167W(TC)
SQ4153EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4153EY-T1_BE3 1.6500
RFQ
ECAD 485 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SQ4153 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 12 v 25A(TC) 1.8V,4.5V 8.32MOHM @ 14A,4.5V 900mv @ 250µA 151 NC @ 4.5 V ±8V 11000 PF @ 6 V - 7.1W(TC)
SI4413DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4413DDY-T1-GE3 0.9214
RFQ
ECAD 7408 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4413 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 - 4.5V,10V 5.5MOHM @ 10a,10v 1.6V @ 250µA 114 NC @ 10 V - 4780 pf @ 15 V - -
SI7115DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7115DN-T1-GE3 2.0800
RFQ
ECAD 239 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 SI7115 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 150 v 8.9a(TC) 6V,10V 295MOHM @ 4A,10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 1190 pf @ 50 V - 3.7W(TA),52W(TC)
SI7434DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7434DP-T1-E3 2.8800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7434 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 250 v 2.3a(ta) 6V,10V 155MOHM @ 3.8A,10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V - 1.9W(TA)
SI1416EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1416EDH-T1-GE3 0.4700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SI1416 MOSFET (金属 o化物) SC-70-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 3.9a(TC) 2.5V,10V 58mohm @ 3.1a,10v 1.4V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±12V - 2.8W(TC)
SUM60030E-GE3 Vishay Siliconix SUM60030E-GE3 1.9173
RFQ
ECAD 7457 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SUM60030 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 80 V 120A(TC) 7.5V,10V 3.2MOHM @ 30a,10v 4V @ 250µA 141 NC @ 10 V ±20V 7910 PF @ 40 V - 375W(TC)
SI7459DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7459DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4915 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 SI7459 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 13A(TA) 10V 6.8mohm @ 22a,10v 3V @ 250µA 170 NC @ 10 V ±25V - 1.9W(TA)
IRFSL9N60ATRR Vishay Siliconix IRFSL9N60ATRR -
RFQ
ECAD 3900 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IRFSL9 MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 600 v 9.2A(TC) 10V 750MOHM @ 5.5A,10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 V ±30V 1400 pf @ 25 V - 170W(TC)
SIZ728DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ728DT-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4950 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-PowerPair™ SIZ728 MOSFET (金属 o化物) 27W,48W 6-PowerPair™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(半桥) 25V 16a,35a 7.7MOHM @ 18A,10V 2.2V @ 250µA 26NC @ 10V 890pf @ 12.5V 逻辑级别门
SI7949DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7949DP-T1-GE3 1.6400
RFQ
ECAD 9164 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®SO-8 SI7949 MOSFET (金属 o化物) 1.5W POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 60V 3.2a 64mohm @ 5A,10V 3V @ 250µA 40NC @ 10V - 逻辑级别门
IRFUC20PBF Vishay Siliconix irfuc20pbf 1.6000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA IRFUC20 MOSFET (金属 o化物) TO-251AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) *irfuc20pbf Ear99 8541.29.0095 75 n通道 600 v 2A(TC) 10V 4.4OHM @ 1.2A,10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 350 pf @ 25 V - 2.5W(TA),42W(TC)
SIZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF906DT-T1-GE3 1.6700
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜150°C(TA) 表面安装 8-Powerwdfn SIZF906 MOSFET (金属 o化物) 38W(TC),83W(tc) 8-Powerpair®(6x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(半桥) 30V 60a(TC) 3.8mohm @ 15A,10V,1.17MOHM @ 20a,10v 2.2V @ 250µA 22nc @ 4.5V,92NC @ 4.5V 2000pf @ 15V,8200pf @ 15V -
SQJQ466E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ466E-T1_GE3 2.8100
RFQ
ECAD 7656 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®8X8 SQJQ466 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®8X8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 200a(TC) 10V 1.9mohm @ 10a,10v 3.5V @ 250µA 180 NC @ 10 V ±20V 10210 PF @ 25 V - 150W(TC)
SI3442BDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3442BDV-T1-E3 0.5900
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3442 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 3A(3A) 2.5V,4.5V 57MOHM @ 4A,4.5V 1.8V @ 250µA 5 NC @ 4.5 V ±12V 295 pf @ 10 V - 860MW(TA)
SQJ168ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ168ELP-T1_GE3 0.8800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 PowerPak®SO-8 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®SO-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SQJ168ELP-T1_GE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 24A(TC) 4.5V,10V 36mohm @ 15a,10v 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 987 PF @ 25 V - 29.4W(TC)
IRF740ASTRR Vishay Siliconix IRF740ASTRR -
RFQ
ECAD 6933 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF740 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 400 v 10A(TC) 10V 550MOHM @ 6A,10V 4V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 1030 pf @ 25 V - 3.1W(ta),125W(tc)
IRL520STRR Vishay Siliconix IRL520STRR -
RFQ
ECAD 1731年 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRL520 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 9.2A(TC) 4V,5V 270MOHM @ 5.5A,5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 V ±10V 490 pf @ 25 V - 3.7W(TA),60W(TC)
SIHH186N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHH186N60EF-T1GE3 5.0300
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix EF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN SIHH186 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®8X8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 600 v 16A(TC) 10V 193MOHM @ 9.5A,10V 5V @ 250µA 32 NC @ 10 V ±30V 1081 PF @ 100 V - 114W(TC)
SISS76LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS76LDN-T1-GE3 1.3300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8SH SISS76 MOSFET (金属 o化物) PowerPak®1212-8SH 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 742-SISS76LDN-T1-GE3TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 70 v 19.6a(ta),67.4a (TC) 3.3V,4.5V 6.25mohm @ 10a,4.5V 1.6V @ 250µA 33.5 NC @ 4.5 V ±12V 2780 pf @ 35 V - 4.8W(ta),57W(TC)
IRFD9014 Vishay Siliconix IRFD9014 -
RFQ
ECAD 3798 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) IRFD9014 MOSFET (金属 o化物) 4-HVMDIP 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRFD9014 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 1.1A(TA) 10V 500MOHM @ 660mA,10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±20V 270 pf @ 25 V - 1.3W(TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库