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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
V30393-T1-E3	-	RFQ	1069	Vishay Siliconix	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				V30393				-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	2,500
SQ2309ES-T1_GE3	0.6700	RFQ	3026	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2309	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	1.7A（TC）	4.5V，10V	336mohm @ 3.8A，10V	2.5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±20V	265 pf @ 25 V	-	2W（TC）
IRL510	-	RFQ	8733	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL510	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL510	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	5.6A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 3.4A，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	43W（TC）
SI9424BDY-T1-GE3	-	RFQ	1114	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9424	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	5.6a（ta）	2.5V，4.5V	25mohm @ 7.1a，4.5V	850mv @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±9V		-	1.25W（TA）
IRF614STRR	-	RFQ	4962	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF614	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	2.7A（TC）	10V	2ohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
SQ3427EEV-T1-GE3	-	RFQ	3290	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3427	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	5.5A（TC）	4.5V，10V	82MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1125 PF @ 30 V	-	5W（TC）
IRF540S	-	RFQ	4807	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF540	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF540S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
SQS414CENW-T1_GE3	0.6800	RFQ	3013	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	18A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 2.4a，10v	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 25 V	-	33W（TC）
IRFBC30PBF-BE3	1.7300	RFQ	938	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFBC30PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SI1026X-T1-GE3	0.5100	RFQ	340	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1026	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	305mA		1.4OHM @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V		30pf @ 25V	逻辑级别门
SI5445BDC-T1-GE3	-	RFQ	1786年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5445	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5.2a（ta）	1.8V，4.5V	33MOHM @ 5.2A，4.5V	1V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
IRFP150pbf	4.2600	RFQ	6142	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP150	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP150pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	100 v	41A（TC）	10V	55mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	230W（TC）
SI4904DY-T1-E3	2.2300	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4904	MOSFET （金属 o化物）	3.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	8a		16mohm @ 5A，10V	2V @ 250µA	85nc @ 10V		2390pf @ 20V	-
SIJ800DP-T1-GE3	-	RFQ	5049	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sij800	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	20A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 20 V	-	4.2W（TA），35.7W（tc）
SI2393DS-T1-GE3	0.5000	RFQ	8975	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2393	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	742-SI2393DS-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6.1a（ta），7.5a tc）	4.5V，10V	22.7MOHM @ 5A，10V	2.2V @ 250µA	25.2 NC @ 10 V	+16V，-20V	980 pf @ 15 V	-	1.3W（ta），2.5W（tc）
SQ2318BES-T1_GE3	0.5500	RFQ	5484	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2318	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	8A（TC）	4.5V，10V	26.3MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 250µA	9.4 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	3W（TC）
IRFPS40N50LPBF	-	RFQ	7861	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS40	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPS40N50LPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	46A（TC）	10V	100mohm @ 28a，10v	5V @ 250µA	380 NC @ 10 V	±30V	8110 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IRFR9110	-	RFQ	8679	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR9110	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIB437EDKT-T1-GE3	-	RFQ	3477	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®TSC-75-6	SIB437	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®TSC75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	9A（TC）	1.2V，4.5V	34mohm @ 3A，4.5V	700MV @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±5V		-	2.4W（TA），13W（tc）
SI1480BDH-T1-GE3	0.4200	RFQ	4979	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1480	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	100 v	1.8A（ta），2.38a tc）	4.5V，10V	212MOHM @ 2A，10V	3V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±20V	206 PF @ 50 V	-	1.5W（TA），2.6W（TC）
SIUD406ED-T1-GE3	0.4500	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®0806	SIUD406	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®0806	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	500mA（ta）	1.8V，4.5V	1.46OHM @ 200mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±8V	17 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
SUD50N024-09P-E3	-	RFQ	2897	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	22 v	49A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1300 pf @ 10 V	-	6.5W（TA），39.5W（TC）
IRFR420	-	RFQ	7345	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR420	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIB441EDK-T1-GE3	0.4600	RFQ	8356	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB441	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	9A（TC）	1.5V，4.5V	25.5MOHM @ 4A，4.5V	900mv @ 250µA	33 NC @ 8 V	±8V	1180 pf @ 6 V	-	2.4W（TA），13W（tc）
SI1029X-T1-E3	-	RFQ	3438	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1029	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		60V	305mA，190mA		1.4OHM @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	0.75nc @ 4.5V		30pf @ 25V	逻辑级别门
SIHG32N50D-E3	3.2990	RFQ	1527年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG32	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	30A（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±30V	2550 pf @ 100 V	-	390W（TC）
SI7923DN-T1-GE3	1.5800	RFQ	34	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7923	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	4.3a		47MOHM @ 6.4a，10V	3V @ 250µA	21NC @ 10V		-	逻辑级别门
SIB912DK-T1-GE3	0.5100	RFQ	75	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-75-6L双重	SIB912	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	POWERPAK®SC-75-6L双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1.5a		216MOHM @ 1.8A，4.5V	1V @ 250µA	3NC @ 8V		95pf @ 10V	逻辑级别门
SI3424CDV-T1-BE3	0.5400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SI3424CDV-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	7.2A（ta），8a tc（8a tc）	4.5V，10V	26mohm @ 7.2a，10v	2.5V @ 250µA	12.5 NC @ 10 V	±20V	405 pf @ 15 V	-	2W（TA），3.6W（TC）
SI4894BDY-T1-GE3	1.2900	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4894	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	8.9a（ta）	4.5V，10V	11mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1580 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²