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![]() | IRFD9210pbf | 1.7000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) | IRFD9210 | MOSFET (金属 o化物) | 4-HVMDIP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 200 v | 400mA(TA) | 10V | 3ohm @ 240mA,10v | 4V @ 250µA | 8.9 NC @ 10 V | ±20V | 170 pf @ 25 V | - | 1W(ta) | |||||
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![]() | SI1079X-T1-GE3 | 0.4700 | ![]() | 6010 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | SI1079 | MOSFET (金属 o化物) | SC-89-6 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 1.44A(TA) | 2.5V,4.5V | 100mohm @ 1.4a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±12V | 750 pf @ 15 V | - | 330MW(TA) | |||||
![]() | SI4972DY-T1-GE3 | - | ![]() | 6328 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4972 | MOSFET (金属 o化物) | 3.1W,2.5W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 10.8a,7.2a | 14.5MOHM @ 6A,10V | 3V @ 250µA | 28nc @ 10V | 1080pf @ 15V | - | ||||||
IRF9Z24 | - | ![]() | 1992 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF9 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRF9Z24 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P通道 | 60 V | 11A(TC) | 10V | 280MOHM @ 6.6a,10V | 4V @ 250µA | 19 nc @ 10 V | ±20V | 570 pf @ 25 V | - | 60W(TC) | ||||
![]() | SI5486DU-T1-E3 | - | ![]() | 9141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Chipfet™ | SI5486 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®Chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 12A(TC) | 1.8V,4.5V | 15mohm @ 7.7a,4.5V | 1V @ 250µA | 54 NC @ 8 V | ±8V | 2100 PF @ 10 V | - | 3.1W(TA),31W(((((( | ||||
![]() | IRF530STRRPBF | 1.7300 | ![]() | 728 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF530 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 100 v | 14A(TC) | 10V | 160MOHM @ 8.4a,10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±20V | 670 pf @ 25 V | - | 3.7W(TA),88W(TC) | |||||
![]() | IRFP264 | - | ![]() | 1336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFP264 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFP264 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 250 v | 38A(TC) | 10V | 75MOHM @ 23A,10V | 4V @ 250µA | 210 NC @ 10 V | ±20V | 5400 PF @ 25 V | - | 280W(TC) | |||
![]() | SI7160DP-T1-E3 | - | ![]() | 7774 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SI7160 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 20A(TC) | 4.5V,10V | 8.7MOHM @ 15A,10V | 2.5V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ±16V | 2970 pf @ 15 V | - | 5W(5W),27.7W(TC) | ||||
![]() | irli630g | - | ![]() | 7310 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | IRLI630 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *irli630g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 200 v | 6.2A(TC) | 4V,5V | 400MOHM @ 3.7A,5V | 2V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±10V | 1100 PF @ 25 V | - | 35W(TC) | |||
irfz20pbf | 1.9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRFZ20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 50 V | 15A(TC) | 10V | 100mohm @ 10a,10v | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 850 pf @ 25 V | - | 40W(TC) | ||||||
![]() | SIA427DJ-T1-GE3 | 0.5700 | ![]() | 505 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Sc-70-6 | SIA427 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®Sc-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 8 V | 12A(TC) | 1.2V,4.5V | 16mohm @ 8.2a,4.5V | 800MV @ 250µA | 50 NC @ 5 V | ±5V | 2300 PF @ 4 V | - | 3.5W(TA),19W(tc) | |||||
![]() | IRFI614GPBF | 1.5500 | ![]() | 9983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | IRFI614 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRFI614GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 250 v | 2.1A(TC) | 10V | 2ohm @ 1.3A,10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ±20V | 140 pf @ 25 V | - | 23W(TC) | ||||
![]() | SI6413DQ-T1-GE3 | - | ![]() | 3197 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | SI6413 | MOSFET (金属 o化物) | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 7.2A(ta) | 1.8V,4.5V | 10mohm @ 8.8a,4.5V | 800mv @ 400µA | 105 NC @ 5 V | ±8V | - | 1.05W(TA) | |||||
![]() | SI7818DN-T1-E3 | 1.6600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | SI7818 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 150 v | 2.2A(ta) | 6V,10V | 135mohm @ 3.4a,10v | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.5W(TA) | ||||||
![]() | IRF720STRR | - | ![]() | 5118 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF720 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 400 v | 3.3A(TC) | 10V | 1.8Ohm @ 2a,10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 410 pf @ 25 V | - | 3.1W(ta),50W(TC) | ||||
![]() | SIHB24N65EFT1-GE3 | 6.0100 | ![]() | 385 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D²Pak) | 下载 | (1 (无限) | 742-SIHB24N65EFT1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 650 v | 24A(TC) | 10V | 156mohm @ 12a,10v | 4V @ 250µA | 122 NC @ 10 V | ±30V | 2774 PF @ 100 V | - | 250W(TC) | ||||||
![]() | IRFR210TRR | - | ![]() | 2954 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR210 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 200 v | 2.6A(TC) | 10V | 1.5OHM @ 1.6A,10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ±20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W(25W),25W(tc) | ||||
![]() | SI3948DV-T1-GE3 | - | ![]() | 1883年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3948 | MOSFET (金属 o化物) | 1.15W | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | - | 105mohm @ 2.5a,10v | 1V @ 250µA(250µA) | 3.2nc @ 5V | - | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | IRFR9220TRRPBF | 1.0490 | ![]() | 6008 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 200 v | 3.6A(TC) | 10V | 1.5OHM @ 2.2a,10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | |||||
![]() | SQJ886EP-T1_GE3 | 1.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | SQJ886 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 60a(TC) | 4.5V,10V | 4.5mohm @ 15.3a,10v | 2.5V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ±20V | 2922 PF @ 20 V | - | 55W(TC) | |||||
![]() | SIS903DN-T1-GE3 | 0.9800 | ![]() | 2476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®GenIII | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SIS903 | MOSFET (金属 o化物) | 2.6W(23w),23W(tc) | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 6A(TC) | 20.1MOHM @ 5A,4.5V | 1V @ 250µA | 42NC @ 10V | 2565pf @ 10V | - | |||||||
![]() | SI5480DU-T1-GE3 | - | ![]() | 7563 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®Chipfet™ | SI5480 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®Chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 12A(TC) | 4.5V,10V | 16mohm @ 7.2a,10v | 3V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ±20V | 1230 pf @ 15 V | - | 3.1W(TA),31W(((((( | ||||
![]() | IRLR120 | - | ![]() | 5058 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRLR120 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | *IRLR120 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 7.7A(TC) | 4V,5V | 270MOHM @ 4.6A,5V | 2V @ 250µA | 12 nc @ 5 V | ±10V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | ||||
![]() | IRLZ24S | - | ![]() | 5840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRLZ24 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRLZ24S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 17a(TC) | 4V,5V | 100mohm @ 10a,5v | 2V @ 250µA | 18 nc @ 5 V | ±10V | 870 pf @ 25 V | - | 3.7W(TA),60W(TC) | |||
![]() | IRFR9220Tr | - | ![]() | 1214 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P通道 | 200 v | 3.6A(TC) | 10V | 1.5OHM @ 2.2a,10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),42W(TC) | ||||
![]() | IRL630SPBF | 2.6300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRL630 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | *IRL630SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 200 v | 9A(TC) | 4V,5V | 400MOHM @ 5.4A,5V | 2V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±10V | 1100 PF @ 25 V | - | 3.1W(ta),74W(tc) | ||||
IRFBC20PBF-BE3 | 1.4000 | ![]() | 977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRFBC20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 742-IRFBC20PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 2.2A(TC) | 10V | 4.4OHM @ 1.3A,10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±20V | 350 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||
![]() | SIHJ8N60E-T1-GE3 | 2.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | sihj8 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 8A(TC) | 10V | 520MOHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ±30V | 754 PF @ 100 V | - | 89W(TC) | |||||
![]() | IRF9620STRLPBF | 2.6600 | ![]() | 796 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF9620 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 200 v | 3.5A(TC) | 10V | 1.5OHM @ 1.5A,10V | 4V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 350 pf @ 25 V | - | (3W)(40W)(40W)TC) |
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