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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQ2318BES-T1_GE3	0.5500	RFQ	5484	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2318	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	8A（TC）	4.5V，10V	26.3MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 250µA	9.4 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	3W（TC）
SIJ800DP-T1-GE3	-	RFQ	5049	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sij800	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	20A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 20 V	-	4.2W（TA），35.7W（tc）
SUD50N024-09P-E3	-	RFQ	2897	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	22 v	49A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1300 pf @ 10 V	-	6.5W（TA），39.5W（TC）
SI2393DS-T1-GE3	0.5000	RFQ	8975	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2393	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	742-SI2393DS-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6.1a（ta），7.5a tc）	4.5V，10V	22.7MOHM @ 5A，10V	2.2V @ 250µA	25.2 NC @ 10 V	+16V，-20V	980 pf @ 15 V	-	1.3W（ta），2.5W（tc）
SI4386DY-T1-GE3	1.3500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4386	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	7mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±20V		-	1.47W（TA）
IRF634STRLPBF	0.7541	RFQ	2731	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF634			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800				8.1A（TC）
IRFD9210pbf	1.7000	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9210	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	200 v	400mA（TA）	10V	3ohm @ 240mA，10v	4V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SUG90090E-GE3	4.3900	RFQ	3066	Vishay Siliconix	Thunderfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SUG90090	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	200 v	100A（TC）	7.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	129 NC @ 10 V	±20V	5220 PF @ 100 V	-	395W（TC）
SQJB60EP-T1_GE3	1.3100	RFQ	8867	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB60	MOSFET （金属 o化物）	48W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	30A（TC）		12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V		1600pf @ 25V	-
SIR165DP-T1-GE3	1.6400	RFQ	764	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir165	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	4930 PF @ 15 V	-	69.4W（TC）
SQD50N06-09L_GE3	5.0200	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	3065 pf @ 25 V	-	136W（TC）
SI1079X-T1-GE3	0.4700	RFQ	6010	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1079	MOSFET （金属 o化物）		SC-89-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	1.44A（TA）	2.5V，4.5V	100mohm @ 1.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±12V	750 pf @ 15 V	-	330MW（TA）
SI4972DY-T1-GE3	-	RFQ	6328	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4972	MOSFET （金属 o化物）	3.1W，2.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	10.8a，7.2a		14.5MOHM @ 6A，10V	3V @ 250µA	28nc @ 10V		1080pf @ 15V	-
IRFR420	-	RFQ	7345	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR420	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIUD406ED-T1-GE3	0.4500	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®0806	SIUD406	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®0806	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	500mA（ta）	1.8V，4.5V	1.46OHM @ 200mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±8V	17 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
SI1480BDH-T1-GE3	0.4200	RFQ	4979	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1480	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	100 v	1.8A（ta），2.38a tc）	4.5V，10V	212MOHM @ 2A，10V	3V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±20V	206 PF @ 50 V	-	1.5W（TA），2.6W（TC）
IRFBF20STRRPBF	1.4682	RFQ	1875年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBF20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	900 v	1.7A（TC）	10V	8ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），54W（TC）
IRF640LPBF	-	RFQ	9590	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF640	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF640LPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
SI4210DY-T1-GE3	-	RFQ	6502	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4210	MOSFET （金属 o化物）	2.7W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	6.5a		35.5MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	12nc @ 10V		445pf @ 15V	逻辑级别门
SI4401BDY-T1-E3	1.9500	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4401	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	8.7a（ta）	4.5V，10V	14mohm @ 10.5a，10v	3V @ 250µA	55 NC @ 5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI6410DQ-T1-GE3	-	RFQ	2942	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6410	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	7.8A（ta）	4.5V，10V	14mohm @ 7.8A，10V	1V @ 250µA（250µA）	33 NC @ 5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SUD50N04-05L-E3	-	RFQ	7499	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	115A（TC）	4.5V，10V	5.4mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IRFL110TR	-	RFQ	7659	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.5A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRF9640STRRPBF	3.4500	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI7450DP-T1-E3	2.9000	RFQ	475	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7450	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	3.2A（ta）	6V，10V	80mohm @ 4A，10V	4.5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
IRC540pbf	-	RFQ	5017	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRC540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*irc540pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	电流感应	150W（TC）
SI7862ADP-T1-E3	2.2903	RFQ	9686	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7862	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	16 V	18A（18A）	2.5V，4.5V	3mohm @ 29a，4.5V	2V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±8V	7340 pf @ 8 V	-	1.9W（TA）
IRFI740G	-	RFQ	5416	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	5.4A（TC）	10V	550MOHM @ 3.2A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	1370 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SUM90N08-4M8P-E3	-	RFQ	4336	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum90	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	75 v	90A（TC）		4.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V		6460 pf @ 40 V	-
IRFBC40L	-	RFQ	9931	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC40L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²