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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRCZ34PBF	-	RFQ	5175	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRCZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*ircz34pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	电流感应	88W（TC）
SI5936DU-T1-GE3	0.6700	RFQ	89	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5936	MOSFET （金属 o化物）	10.4W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	6a		30mohm @ 5a，10v	2.2V @ 250µA	11NC @ 10V		320pf @ 15V	逻辑级别门
SIHB22N60S-E3	-	RFQ	7326	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB22	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	22a（TC）	10V	190mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2810 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IRFS9N60ATRL	-	RFQ	2136	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	9.2A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SIR474DP-T1-RE3	0.3517	RFQ	5084	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir474	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	985 pf @ 15 V	-	29.8W（TC）
SIA438EDJ-T1-GE3	-	RFQ	7516	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA438	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6A（TC）	2.5V，4.5V	46mohm @ 3.9a，4.5V	1.4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±12V	350 pf @ 10 V	-	2.4W（ta），11.4W（TC）
SI2337DS-T1-BE3	1.0100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2337DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	80 V	1.2A（ta），2.2a（2a）TC）	6V，10V	270MOHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 40 V	-	（760MW）（TA），2.5W（tc）
IRLD110	-	RFQ	2265	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRLD110	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLD110	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1A（1A）	4V，5V	540MOHM @ 600mA，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
IRF9610pbf	1.6700	RFQ	12	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9610	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9610PBF	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	20W（TC）
IRFZ48STRR	-	RFQ	3451	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ48	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	50A（TC）	10V	18mohm @ 43a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.7W（190W）（TC）
SIJ438DP-T1-GE3	1.7300	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sij438	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	80A（TC）	4.5V，10V	1.35MOHM @ 20A，10V	2.4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	+20V，-16V	9400 PF @ 20 V	-	69.4W（TC）
SI3805DV-T1-E3	-	RFQ	3285	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3805	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.3A（TC）	2.5V，10V	84mohm @ 3a，10v	1.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±12V	330 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.1W（1.1W），1.4W（TC）
SI4435BDY-T1-E3	-	RFQ	8069	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4435	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	7a（ta）	4.5V，10V	20mohm @ 9.1a，10v	3V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SIS184LDN-T1-GE3	1.6100	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	18.7a（ta），69.4a （TC）	4.5V，10V	5.4mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 30 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI3590DV-T1-GE3	0.9100	RFQ	196	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3590	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		30V	2.5a，1.7a		77MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 250µA	4.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF840STRLPBF	2.8500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SQ3427EEV-T1-GE3	-	RFQ	3290	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3427	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	5.5A（TC）	4.5V，10V	82MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1125 PF @ 30 V	-	5W（TC）
IRL510	-	RFQ	8733	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL510	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL510	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	5.6A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 3.4A，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	43W（TC）
IRF540S	-	RFQ	4807	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF540	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF540S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
IRFBC30PBF-BE3	1.7300	RFQ	938	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFBC30PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SI1026X-T1-GE3	0.5100	RFQ	340	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1026	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	305mA		1.4OHM @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V		30pf @ 25V	逻辑级别门
IRF614STRR	-	RFQ	4962	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF614	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	2.7A（TC）	10V	2ohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
SQS414CENW-T1_GE3	0.6800	RFQ	3013	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8W		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	18A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 2.4a，10v	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 25 V	-	33W（TC）
SI9424BDY-T1-GE3	-	RFQ	1114	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9424	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	5.6a（ta）	2.5V，4.5V	25mohm @ 7.1a，4.5V	850mv @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±9V		-	1.25W（TA）
SI5445BDC-T1-GE3	-	RFQ	1786年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5445	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5.2a（ta）	1.8V，4.5V	33MOHM @ 5.2A，4.5V	1V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
SIB437EDKT-T1-GE3	-	RFQ	3477	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®TSC-75-6	SIB437	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®TSC75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	9A（TC）	1.2V，4.5V	34mohm @ 3A，4.5V	700MV @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±5V		-	2.4W（TA），13W（tc）
IRFPS40N50LPBF	-	RFQ	7861	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS40	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPS40N50LPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	46A（TC）	10V	100mohm @ 28a，10v	5V @ 250µA	380 NC @ 10 V	±30V	8110 PF @ 25 V	-	540W（TC）
SI4904DY-T1-E3	2.2300	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4904	MOSFET （金属 o化物）	3.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	8a		16mohm @ 5A，10V	2V @ 250µA	85nc @ 10V		2390pf @ 20V	-
IRFP150pbf	4.2600	RFQ	6142	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP150	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP150pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	100 v	41A（TC）	10V	55mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRFR9110	-	RFQ	8679	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR9110	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²