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![]() | SI5509DC-T1-GE3 | - | ![]() | 3837 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | SI5509 | MOSFET (金属 o化物) | 4.5W | 1206-8 chipfet™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 6.1a,4.8a | 52MOHM @ 5A,4.5V | 2V @ 250µA | 6.6nc @ 5V | 455pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | SI4501ADY-T1-GE3 | - | ![]() | 7897 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4501 | MOSFET (金属 o化物) | 1.3W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道,普通排水 | 30V,8V | 6.3a,4.1a | 18mohm @ 8.8a,10v | 1.8V @ 250µA | 20nc @ 5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | IRF510L | - | ![]() | 1280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IRF510 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262-3 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRF510L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 5.6A(TC) | 540MOHM @ 3.4A,10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | 180 pf @ 25 V | - | - | |||||
![]() | IRFI9Z14G | - | ![]() | 8886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | IRFI9 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFI9Z14G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P通道 | 60 V | 5.3A(TC) | 10V | 500mohm @ 3.2a,10v | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 270 pf @ 25 V | - | 27W(TC) | |||
![]() | IRFP9240 | - | ![]() | 8659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRFP9240 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFP9240 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P通道 | 200 v | 12A(TC) | 10V | 500MOHM @ 7.2A,10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 25 V | - | 150W(TC) | |||
![]() | IRLZ44STRL | - | ![]() | 5204 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRLZ44 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 60 V | 50A(TC) | 4V,5V | 28mohm @ 31a,5v | 2V @ 250µA | 66 NC @ 5 V | ±10V | 3300 PF @ 25 V | - | 3.7W(TA),150W(tc) | ||||
![]() | IRFI520G | - | ![]() | 4610 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | IRFI520 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRFI520G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 7.2A(TC) | 10V | 270MOHM @ 4.3A,10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 360 pf @ 25 V | - | 37W(TC) | |||
![]() | SIZ200DT-T1-GE3 | 1.0300 | ![]() | 8725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet®Geniv | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | SIZ200 | MOSFET (金属 o化物) | 4.3W(TA),33W(tc) | 8-Powerpair®(3.3x3.3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 22a(22a),61a(tc(61a),22a(ta(60a ta),60a (TC) | 5.5MOHM @ 10a,10v,5.8Mohm @ 10a,10v | 2.4V @ 250µA | 28nc @ 10v,30nc @ 10V | 1510pf @ 15V,1600pf @ 15V | - | |||||||
SQJ968EP-T1_GE3 | 1.1000 | ![]() | 1792年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TA) | 表面安装 | POWERPAK®SO-8 | SQJ968 | MOSFET (金属 o化物) | 42W(TC) | POWERPAK®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 23.5A(TC) | 33.6mohm @ 4.8A,10V | 2.5V @ 250µA | 18.5nc @ 10V | 714pf @ 30V | - | ||||||||
![]() | SI4214DY-T1-GE3 | - | ![]() | 7433 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4214 | MOSFET (金属 o化物) | 3.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 8.5a | 23.5MOHM @ 7A,10V | 2.5V @ 250µA | 23nc @ 10V | 785pf @ 15V | - | |||||||
![]() | SISH106DN-T1-GE3 | 1.7200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8SH | SISH106 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®1212-8SH | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 12.5A(TA) | 2.5V,4.5V | 6.2MOHM @ 19.5A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 27 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.5W(TA) | ||||||
![]() | SUD08P06-155L-GE3 | 1.0000 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SUD08 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P通道 | 60 V | 8.4A(TC) | 4.5V,10V | 155MOHM @ 5A,10V | 3V @ 250µA | 19 nc @ 10 V | ±20V | 450 pf @ 25 V | - | 1.7W(TA),20.8W(tc) | |||||
![]() | SIR460DP-T1-GE3 | 1.1800 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®SO-8 | Sir460 | MOSFET (金属 o化物) | PowerPak®SO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 40a(TC) | 4.5V,10V | 4.7mohm @ 15a,10v | 2.4V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ±20V | 2071 PF @ 15 V | - | 5W(5W),48W((((( | |||||
![]() | SI9933CDY-T1-GE3 | 0.6300 | ![]() | 7707 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI9933 | MOSFET (金属 o化物) | 3.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 20V | 4a | 58MOHM @ 4.8A,4.5V | 1.4V @ 250µA | 26NC @ 10V | 665pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||
![]() | SQ4946AEY-T1_BE3 | - | ![]() | 7279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车,AEC-Q101,Trenchfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SQ4946 | MOSFET (金属 o化物) | 4W(TC) | 8-SOIC | - | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 60V | 7A(TC) | 40mohm @ 4.5A,10V | 2.5V @ 250µA | 18NC @ 10V | 750pf @ 25V | - | |||||||||
![]() | IRF520pbf-be3 | 1.1700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRF520 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 742-irf520pbf-be3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 9.2A(TC) | 10V | 270MOHM @ 5.5A,10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 360 pf @ 25 V | - | 60W(TC) |
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