晶体管(5716)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
SUD50P10-43L-GE3	2.6500	询价	5	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	活跃	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	50苏丹元	MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道	100伏	37.1A（温度）	4.5V、10V	43毫欧@9.2A，10V	3V@250μA	160nC@10V	±20V	50V时为4600pF	-	8.3W（Ta）、136W（Tc）
SI1304BDL-T1-GE3	-	询价	3164	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SI1304	MOSFET（金属O化物）		SC-70-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	900mA（温度）	2.5V、4.5V	270毫欧@900mA，4.5V	1.3V@250μA	2.7nC@4.5V	±12V	100pF@15V	-	340mW（Ta）、370mW（Tc）
SI4686DY-T1-GE3	1.5600	询价	3	威世硅科	TrenchFET®、WFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4686	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	18.2A（温度）	4.5V、10V	9.5毫欧@13.8A，10V	3V@250μA	26nC@10V	±20V	1220pF@15V	-	3W（Ta）、5.2W（Tc）
SI7102DN-T1-E3	-	询价	5767	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7102	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	12V	35A（温度）	2.5V、4.5V	3.8毫欧@15A，4.5V	1V@250μA	8V时为110nC	±8V	3720pF@6V	-	3.8W（Ta）、52W（Tc）
SIRA64DP-T1-RE3	0.9200	询价	6	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	西拉64	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	60A（温度）	4.5V、10V	2.1毫欧@10A、10V	2.2V@250μA	65nC@10V	+20V，-16V	15V时为3420pF	-	27.8W（温度）
2N6660-E3	-	询价	7399	威世硅科	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AD、TO-39-3金属罐	2N6660	MOSFET（金属O化物）		TO-205AD (TO-39)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100		N沟道	60V	990mA（温度）	5V、10V	3欧姆@1A，10V	2V@1mA		±20V	50pF@25V	-	725mW（Ta），6.25W（Tc）
SI4916DY-T1-E3	-	询价	8390	威世硅科	小脚丫®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4916	MOSFET（金属O化物）	3.3W、3.5W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人	2个N沟道（半桥）		30V	10A、10.5A		18毫欧@10A，10V	3V@250μA	10nC@4.5V		-	逻辑电平门
SI3454ADV-T1-GE3	-	询价	2403	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3454	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	3.4A（塔）	4.5V、10V	60毫欧@4.5A，10V	3V@250μA	15nC@10V	±20V		-	1.14W（塔）
SI1021R-T1-GE3	0.5500	询价	43	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	SI1021	MOSFET（金属O化物）		SC-75A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	60V	190毫安（塔）	4.5V、10V	4欧姆@500mA，10V	3V@250μA	1.7nC@15V	±20V	23pF@25V	-	250毫W（塔）
SI7392ADP-T1-GE3	-	询价	3398	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7392	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	30A（温度）	4.5V、10V	7.5毫欧@12.5A，10V	2.5V@250μA	38nC@10V	±20V	1465pF@15V	-	5W（Ta）、27.5W（Tc）
2N7002K-T1-E3	0.2900	询价	986	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2N7002	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	60V	300mA（塔）	4.5V、10V	2欧姆@500mA，10V	2.5V@250μA	0.6nC@4.5V	±20V	30pF@25V	-	350毫W（塔）
SI4226DY-T1-E3	-	询价	2590	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4226	MOSFET（金属O化物）	3.2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		25V	8A		19.5毫欧@7A，4.5V	2V@250μA	36nC@10V		1255pF@15V	-
IRFPS38N60L	-	询价	1105	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-274AA	红外FPS38	MOSFET（金属O化物）		SUPER-247™ (TO-274AA)	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	600伏	38A（温度）	10V	150mOhm@23A，10V	5V@250μA	320nC@10V	±30V	7990pF@25V	-	540W（温度）
SUD50N02-06P-GE3	-	询价	2065	威世硅科	*	卷带式 (TR)	的积极				50苏丹元				-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000
SIDR390DP-T1-GE3	2.4900	询价	6	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIDR390	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8DC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	69.9A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	0.8毫欧@20A，10V	2V@250μA	153nC@10V	+20V，-16V	10180pF@15V	-	6.25W（Ta）、125W（Tc）
SI1406DH-T1-E3	-	询价	1704	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SI1406	MOSFET（金属O化物）		SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	3.1A（塔）	1.8V、4.5V	65毫欧@3.9A，4.5V	1.2V@250μA	7.5nC@4.5V	±8V		-	1W（塔）
SI9407BDY-T1-GE3	1.1200	询价	28	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI9407	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	60V	4.7A（温度）	4.5V、10V	120毫欧@3.2A，10V	3V@250μA	22nC@10V	±20V	600pF@30V	-	2.4W（Ta）、5W（Tc）
SQJA76EP-T1_BE3	1.3300	询价	3	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	75A（温度）	10V	2.4毫欧@10A、10V	3.5V@250μA	100nC@10V	±20V	5250pF@25V	-	68W（温度）
SI7450DP-T1-GE3	2.9000	询价	第480章	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7450	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	200V	3.2A（塔）	6V、10V	80毫欧@4A，10V	4.5V@250μA	42nC@10V	±20V		-	1.9W（塔）
IRFR320TRLPBF	1.7700	询价	5583	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	红外FR320	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	400V	3.1A（温度）	10V	1.8欧姆@1.9A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	350pF@25V	-	42W（温度）
IRFB13N50A	-	询价	4485	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRFB13	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFB13N50A	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	500V	14A（温度）	10V	450mOhm@8.4A，10V	4V@250μA	81nC@10V	±30V	1910pF@25V	-	250W（温度）
IRF710STRLPBF	1.6700	询价	15	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF710	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	400V	2A（温度）	10V	3.6欧姆@1.2A，10V	4V@250μA	17nC@10V	±20V	170pF@25V	-	3.1W（Ta）、36W（Tc）
V30368-T1-E3	-	询价	1524	威世硅科	*	卷带式 (TR)	过时的				V30368				-	符合ROHS3标准	1（无限制）			过时的	0000.00.0000	2,500人
SI4442DY-T1-E3	3.1400	询价	4	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4442	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	15A（塔）	2.5V、10V	4.5毫欧@22A，10V	1.5V@250μA	50nC@4.5V	±12V		-	1.6W（塔）
SIHB24N80AE-GE3	3.5600	询价	4	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SIHB24	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）		742-SIHB24N80AE-GE3	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	800V	21A（温度）		184mOhm@10A，10V	4V@250μA	89nC@10V	±30V	1836pF@100V	-	208W（温度）
SI5473DC-T1-GE3	-	询价	9797	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	SI5473	MOSFET（金属O化物）		1206-8 ChipFET™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	12V	5.9A（塔）	1.8V、4.5V	27毫欧@5.9A，4.5V	1V@250μA	32nC@4.5V	±8V		-	1.3W（塔）
3N164	-	询价	4665	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-206AF、TO-72-4金属罐	-	MOSFET（金属O化物）		TO-72	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	200		P沟道	30V	50mA（塔）	20V	300欧姆@100μA，20V	5V@10μA		±30V	15V时为3.5pF	-	375毫W（塔）
TP0610K-T1-E3	0.5000	询价	第830章	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	活跃	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TP0610	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	60V	185mA（塔）	4.5V、10V	6欧姆@500mA，10V	3V@250μA	1.7nC@15V	±20V	23pF@25V	-	350毫W（塔）
SUM110N04-03P-E3	-	询价	8268	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	总和110	MOSFET（金属O化物）		TO-263 (D²Pak)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	40V	110A（温度）	10V	3.1毫欧@30A，10V	4V@250μA	150nC@10V	±20V	6500pF@25V	-	3.75W（Ta）、375W（Tc）
SI7135DP-T1-GE3	2.2300	询价	3236	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7135	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	60A（温度）	4.5V、10V	3.9毫欧@20A，10V	3V@250μA	250nC@10V	±20V	15V时为8650pF	-	6.25W（Ta）、104W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²