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晶体管（（5716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
VQ2001P	-	RFQ	5621	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）		-	VQ2001	MOSFET （金属 o化物）	2W	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	4个p通道		30V	600mA		2ohm @ 1a，12v	4.5V @ 1mA	-		150pf @ 15V	-
irfr220pbf	0.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR220	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	200 v	4.8A（TC）	10V	800MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI5935CDC-T1-E3	0.5500	RFQ	4958	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5935	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4a		100mohm @ 3.1a，4.5V	1V @ 250µA	11NC @ 5V		455pf @ 10V	-
SI7946ADP-T1-GE3	1.0322	RFQ	7895	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7946	MOSFET （金属 o化物）	19.8W	POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		150V	7.7A（TC）		186mohm @ 3a，10v	3.5V @ 250µA	6.5NC @ 7.5V		230pf @ 75V	-
SI7136DP-T1-GE3	-	RFQ	9959	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7136	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	30A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	3380 pf @ 10 V	-	5W（5W），39W（tc）
SI7117DN-T1-E3	1.3200	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7117	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	2.17A（TC）	6V，10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），12.5W（tc）
SUD50P10-43L-E3	2.6500	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	100 v	37.1A（TC）	4.5V，10V	43mohm @ 9.2a，10V	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 50 V	-	8.3W（ta），136W（tc）
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SI7635DP-T1-GE3	-	RFQ	8467	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7635	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	40a（TC）	4.5V，10V	4.9mohm @ 26a，10v	2.2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±16V	4595 pf @ 10 V	-	5W（5W），54W（tc）（TC）
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SUM10250E-GE3	2.8900	RFQ	5321	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum10250	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	63.5A（TC）	7.5V，10V	31mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	3002 PF @ 125 V	-	375W（TC）
SI4362BDY-T1-E3	-	RFQ	3090	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4362	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	29A（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 19.8a，10v	2V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±12V	4800 PF @ 15 V	-	（3W（ta），6.6W（TC）
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IRF640STRRPBF	3.0900	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
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IRF840LC	-	RFQ	7570	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF840LC	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
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SIRB40DP-T1-GE3	1.4000	RFQ	2477	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SIRB40	MOSFET （金属 o化物）	46.2W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	40a（TC）		3.25mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	45nc @ 4.5V		4290pf @ 20V	-
SQ4410EY-T1_GE3	1.5200	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4410	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	15A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2385 pf @ 25 V	-	5W（TC）
IRF9520STRR	-	RFQ	5832	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	6.8A（TC）	10V	600MOHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SI7392ADP-T1-GE3	-	RFQ	3398	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7392	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 12.5A，10V	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 15 V	-	5W（5W），27.5W（TC）
SIR870ADP-T1-RE3	2.2600	RFQ	3982	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir870	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	60a（TC）	4.5V，10V	6.6mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	2866 PF @ 50 V	-	104W（TC）
SI5913DC-T1-GE3	-	RFQ	5112	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5913	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4A（TC）	2.5V，10V	84MOHM @ 3.7A，10V	1.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±12V	330 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.7W（TA），3.1W（TC）
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SI4833BDY-T1-GE3	-	RFQ	1830年	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4833	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	4.6A（TC）	4.5V，10V	68mohm @ 3.6A，10V	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	2.75W（TC）
SI4430BDY-T1-E3	1.8500	RFQ	889	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4430	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	14A（TA）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.6W（TA）
SQJQ906E-T1_GE3	2.6800	RFQ	3221	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ906	MOSFET （金属 o化物）	50W	PowerPak®8x8二元	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）		40V	95A（TC）		3.3MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	42NC @ 10V		3600pf @ 20V	-
IRFR1N60ATRPBF	1.5500	RFQ	985	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	1.4A（TC）	10V	7ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	229 pf @ 25 V	-	36W（TC）
SI4618DY-T1-GE3	-	RFQ	1471	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4618	MOSFET （金属 o化物）	1.98W，4.16W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	8a，15.2a		17mohm @ 8a，10v	2.5V @ 1mA	44NC @ 10V		1535pf @ 15V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（5716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²