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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXTP42N15T	2.6752	RFQ	7740	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp42		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		150 v	42A（TC）	10V	45mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	1880 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IXGH41N60	-	RFQ	6968	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH41	标准		200 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，41a，10ohm，15V												-	600 v	76 a	152 a	1.6V @ 15V，41a	8MJ（（）	120 NC	30NS/600NS
IXGH20N140C3H1	-	RFQ	4108	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH20	标准		250 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		700V，20A，5OHM，15V											70 ns	pt	1400 v	42 a	108 a	5V @ 15V，20A	1.35MJ（在）上，440µJ off）	88 NC	19NS/110NS
IXTA180N10T7	5.2764	RFQ	7566	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta180		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7（IXTA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		100 v	180a（TC）	10V	6.4mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	151 NC @ 10 V	±30V	6900 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXTN46N50L	59.1600	RFQ	8444	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn46		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道		500 v	46A（TC）	20V	160MOHM @ 500mA，20V	6V @ 250µA	260 NC @ 15 V	±30V	7000 PF @ 25 V	-	700W（TC）
IXTF250N075T	-	RFQ	7151	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	IXTF250		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS I4-PAC™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		75 v	140a（TC）	10V	4.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IXFH16N60P3	-	RFQ	4009	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH16		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfh16n60p3	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		600 v	16A（TC）	10V	470MOHM @ 500mA，10V	5V @ 1.5mA	36 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	347W（TC）
IXGK35N120B	-	RFQ	1153	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK35	标准		350 w	TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		960V，35A，5OHM，15V												pt	1200 v	70 a	140 a	3.3V @ 15V，35a	3.8MJ（（）	170 NC	50NS/180NS
IXFH44N50Q3	21.2700	RFQ	349	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH44		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		500 v	44A（TC）	10V	140mohm @ 22a，10v	6.5V @ 4mA	93 NC @ 10 V	±30V	4800 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXTA02N250HV-TRL	8.6140	RFQ	6494	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta02		MOSFET （金属 o化物）		TO-263HV	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta02n250hv-trltr	Ear99	8541.29.0095	800	n通道		2500 v	200ma（tc）	10V	450OHM @ 50mA，10V	4.5V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±20V	116 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IXFQ120N25X3	12.5900	RFQ	25	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ120		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		250 v	120A（TC）	10V	12mohm @ 60a，10v	4.5V @ 4mA	122 NC @ 10 V	±20V	7870 pf @ 25 V	-	520W（TC）
IXTT170N10P	12.3100	RFQ	8956	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT170		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		100 v	170a（TC）	10V	9mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	198 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	715W（TC）
IXFH96N15P	6.7303	RFQ	6821	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH96		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		150 v	96A（TC）	10V	24mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	110 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXTY2N100P	3.4700	RFQ	3471	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty2		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70	n通道		1000 v	2A（TC）	10V	7.5OHM @ 500mA，10v	4.5V @ 100µA	24.3 NC @ 10 V	±20V	655 pf @ 25 V	-	86W（TC）
IXFX200N10P	15.0393	RFQ	2712	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX200		MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		100 v	200a（TC）	10V	7.5MOHM @ 100A，10V	5V @ 8mA	235 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXFT30N50	-	RFQ	5749	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft30		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		500 v	30A（TC）	10V	160mohm @ 15a，10v	4V @ 4mA	300 NC @ 10 V	±20V	5700 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXFH110N15T2	7.2910	RFQ	7489	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH110		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		150 v	110A（TC）	10V	13mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXTH48N20	-	RFQ	8106	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth48		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		200 v	48A（TC）	10V	50mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	275W（TC）
IXTP44N10T	1.9800	RFQ	3	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp44		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		100 v	44A（TC）	10V	30mohm @ 22a，10v	4.5V @ 25µA	33 NC @ 10 V	±30V	1262 PF @ 25 V	-	130W（TC）
IXFK170N25X3	21.6400	RFQ	9	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK170		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		250 v	170a（TC）	10V	7.4mohm @ 85a，10v	4.5V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	13500 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXFK98N60X3	17.5500	RFQ	325	ixys	*	管子	积极的				IXFK98					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfk98n60x3	Ear99	8541.29.0095	25
IXTH96P085T	8.1900	RFQ	2	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth96		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	P通道		85 v	96A（TC）	10V	13mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±15V	13100 PF @ 25 V	-	298W（TC）
ixtp1r4n120p	5.6300	RFQ	90	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp1		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		1200 v	1.4A（TC）	10V	13ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 100µA	24.8 NC @ 10 V	±20V	666 pf @ 25 V	-	86W（TC）
IXGH36N60B3	6.7100	RFQ	452	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH36	标准		250 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixgh36n60b3	Ear99	8541.29.0095	30		400V，30a，5ohm，15V												pt	600 v	92 a	200 a	1.8V @ 15V，30a	540µJ（在）上，800µJ（（）	80 NC	19NS/125NS
IXTP05N100M	4.1400	RFQ	500	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp05		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		1000 v	700mA（TC）	10V	17ohm @ 375mA，10v	4.5V @ 25µA	7.8 NC @ 10 V	±30V	260 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IXFM10N90	-	RFQ	1431	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	IXFM10		MOSFET （金属 o化物）		to-204aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	n通道		900 v	10A（TC）	10V	1.1OHM @ 5A，10V	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFP18N65X3	5.0984	RFQ	7812	ixys	-	管子	积极的				IXFP18					-				238-ixfp18n65x3			50
IXTH2N150L	14.5800	RFQ	286	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth2		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		1500 v	2A（TC）	20V	15ohm @ 1A，20V	8.5V @ 250µA	72 NC @ 20 V	±30V	1470 pf @ 25 V	-	290W（TC）
IXTN170P10P	38.8500	RFQ	188	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN170		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7850284	Ear99	8541.29.0095	10	P通道		100 v	170a（TC）	10V	12mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	240 NC @ 10 V	±20V	12600 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXFK220N17T2	14.5100	RFQ	464	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK220		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		170 v	220A（TC）	10V	6.3mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	500 NC @ 10 V	±20V	31000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²