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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTH52N65X	10.0070	RFQ	6997	ixys	Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth52		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	52A（TC）	10V	68mohm @ 26a，10v	5V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±30V	4350 pf @ 25 V	-	660W（TC）
IXFT50N30Q3	15.3200	RFQ	5766	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft50		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft50n30q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	50A（TC）	10V	80Mohm @ 25a，10v	6.5V @ 4mA	65 NC @ 10 V	±20V	3165 PF @ 25 V	-	690W（TC）
IXFK24N100Q3	28.9700	RFQ	60	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK24		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	24A（TC）	10V	440MOHM @ 12A，10V	6.5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
IXFX120N65X2	24.8600	RFQ	243	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX120		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	120A（TC）	10V	24mohm @ 60a，10v	5.5V @ 8mA	225 NC @ 10 V	±30V	15500 pf @ 25 V	-	1250W（TC）
ixta4n65x2	3.0400	RFQ	35	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta4		MOSFET （金属 o化物）			TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	4A（TC）	10V	850MOHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±30V	455 pf @ 25 V	-	80W（TC）
IXTY4N65X2	2.7700	RFQ	50	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty4		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixty4N65x2	Ear99	8541.29.0095	70		n通道		650 v	4A（TC）	10V	850MOHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±30V	455 pf @ 25 V	-	80W（TC）
IXXH30N60B3	5.0815	RFQ	8055	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH30	标准		270 w		TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，24a，10ohm，15V												pt	600 v	60 a	115 a	1.85V @ 15V，24a	（550µJ）（在500µJ）上（500µJ）	39 NC	23ns/97ns
FID60-06D	-	RFQ	3498	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FID60	标准		200 w		ISOPLUS I4-PAC™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			300V，30a，22ohm，15V											70 ns	npt	600 v	65 a		2V @ 15V，30a	1MJ（在）上，1.4MJ（OFF）	120 NC	-
IXBF40N160	25.4324	RFQ	7810	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF40	标准		250 w		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			960V，25a，22ohm，15V												-	1600 v	28 a		7.1V @ 15V，20A	-	130 NC	-
IXBF9N160G	-	RFQ	1153	ixys	Bimosfet™	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF9N160	标准		70 W		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			960V，5A，27OHM，10V												-	1600 v	7 a		7V @ 15V，5A	-	34 NC	-
IXBH14N250	-	RFQ	4112	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXBH14	标准				TO-247AD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	2500 v			-	-		-
IXBH9N160G	-	RFQ	3459	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXBH9N160	标准		100 W		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，5A，27OHM，10V												-	1600 v	9 a	10 a	7V @ 15V，5A	-	34 NC	-
IXBN42N170A	41.0930	RFQ	6585	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXBN42			312 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	1700 v	42 a		6V @ 15V，21a				50 µA	不	3.5 nf @ 25 V
IXDR30N120D1	12.9400	RFQ	8336	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixdr30	标准		200 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，30a，47ohm，15V											40 ns	npt	1200 v	50 a	60 a	2.9V @ 15V，30a	4.6mj（在）上，3.4MJ off）	120 NC	-
IXEL40N400	134.1500	RFQ	167	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	ixel40	标准		380 w		isoplusi5-pak™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q6074758	Ear99	8541.29.0095	25			2800V，40a，33ohm，15V												-	4000 v	90 a	400 a	3.2V @ 15V，40a	（55MJ）（165MJ）（OFF）	275 NC	160NS/630NS
IXFA3N80	-	RFQ	1743年	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixfa3		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	3.6A（TC）	10V	3.6ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±20V	685 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IXFB60N80P	29.5100	RFQ	3158	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB60		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		800 v	60a（TC）	10V	140mohm @ 30a，10v	5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	±30V	18000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXTQ69N30P	11.4600	RFQ	201	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ69		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	69A（TC）	10V	49mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4960 pf @ 25 V	-	500W（TC）
MUBW50-12E8	-	RFQ	6024	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	mubw			350 w	三相桥梁整流器	E3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器														-	1200 v	90 a		2.4V @ 15V，50a				800 µA	是的	3.8 nf @ 25 V
MWI100-12E8	-	RFQ	5567	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	MWI100			640 w	标准	E3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														npt	1200 v	165 a		2.5V @ 15V，100a				1.4 MA	不	7.4 nf @ 25 V
MWI30-06A7	-	RFQ	5043	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI30			140 w	标准	E2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器														npt	600 v	45 a		2.4V @ 15V，30a				600 µA	不	1.6 nf @ 25 V
MDI200-12A4	-	RFQ	4030	ixys	-	盒子	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	Y3-DCB	MDI200			1130 w	标准	Y3-DCB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的														npt	1200 v	270 a		2.7V @ 15V，150a				10 MA	不	11 nf @ 25 V
MDI550-12A4	-	RFQ	8737	ixys	-	盒子	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	Y3-DCB	MDI550			2750 w	标准	Y3-DCB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的														npt	1200 v	670 a		2.8V @ 15V，400A				21 ma	不	26 NF @ 25 V
MDI75-12A3	-	RFQ	4213	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Y4-M5	MDI75			370 w	标准	Y4-M5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	单身的														npt	1200 v	90 a		2.7V @ 15V，50a				4 mA	不	3.3 NF @ 25 V
75-12A3中期	-	RFQ	2784	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Y4-M5	75年中期			370 w	标准	Y4-M5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	单身的														npt	1200 v	90 a		2.7V @ 15V，50a				4 mA	不	3.3 NF @ 25 V
MII150-12A4	-	RFQ	4306	ixys	-	盒子	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	Y3-DCB	MII150			760 w	标准	Y3-DCB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	半桥														npt	1200 v	180 a		2.7V @ 15V，100a				7.5 ma	不	6.6 NF @ 25 V
IXFT69N30P	11.3667	RFQ	3671	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft69		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	69A（TC）	10V	49mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4960 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXFV96N20P	-	RFQ	9245	ixys	Polarht™HiperFet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFV96		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	96A（TC）	10V	24mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	145 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXFX26N90	18.8423	RFQ	8647	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX26		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	26a（TC）	10V	300MOHM @ 13A，10V	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	±20V	10800 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXGA7N60CD1	-	RFQ	5048	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixga7	标准		75 w		TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			480V，7a，18ohm，15V											35 ns	-	600 v	14 a	30 a	2.5V @ 15V，7a	120µJ（离）	25 NC	10NS/65NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²