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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻
IXFL34N100	30.8628	RFQ	7917	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixfl34		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	30A（TC）	10V	280mohm @ 30a，10v	5V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	550W（TC）
IXFH170N10P	12.5700	RFQ	9613	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH170		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	170a（TC）	10V	9mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	198 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	715W（TC）
IXTP180N055T	-	RFQ	1440	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	IXTP180		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	180a（TC）		-	4V @ 1mA				-	-
IXFD26N50Q-72	-	RFQ	8396	ixys	Hiperfet™	大部分	过时的	-	-	死	IXFD26N50Q		MOSFET （金属 o化物）			死	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	-	-	-	-		-		-	-
ixtp2r4n120p	6.7000	RFQ	30	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp2		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1200 v	2.4A（TC）	10V	7.5OHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1207 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IXGR32N60CD1	-	RFQ	4777	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgr32	标准		140 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，32a，4.7Ohm，15V											25 ns	-	600 v	45 a	120 a	2.7V @ 15V，32a	320µJ（离）	110 NC	25NS/85NS
IXTY8N65X2	2.9800	RFQ	20	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty8		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1402-ixty8n65x2	Ear99	8541.29.0095	70		n通道		650 v	8A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXGP12N120A3	4.3200	RFQ	4916	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP12	标准		100 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			-												pt	1200 v	22 a	60 a	3V @ 15V，12A	-	20.4 NC	-
IXXH140N65B4	16.5613	RFQ	9957	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH140	标准		1200 w		TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixxh140n65b4	Ear99	8541.29.0095	30			400V，100A，4.7OHM，15V											105 ns	pt	650 v	340 a	840 a	1.9V @ 15V，120a	5.75mj（在）上，2.67mj off）	250 NC	54NS/270NS
IXYN300N65A3	62.2420	RFQ	9157	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn300	标准		1500 w		SOT-227B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyn300N65A3	Ear99	8541.29.0095	10			400V，100A，1OHM，15V											125 ns	pt	650 v	470 a	1600 a	1.6V @ 15V，100a	7.8MJ（在）上，4.7MJ off）	565 NC	42NS/190NS
IXTA94N20X4	12.8000	RFQ	1	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta94		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta94n20x4	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	94A（TC）	10V	10.6MOHM @ 47A，10V	4.5V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	5050 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXTA100N15X4	10.6400	RFQ	8348	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta100		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	100A（TC）	10V	11.5MOHM @ 50a，10V	4.5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	3970 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IXFH170N25X3	21.3100	RFQ	70	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH170		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	170a（TC）	10V	7.4mohm @ 85a，10v	4.5V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	13500 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXFT74N20Q	-	RFQ	4283	ixys	-	管子	过时的				ixft74						下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30					-
IXFX360N10T	13.8500	RFQ	7057	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX360		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	360a（TC）	10V	2.9MOHM @ 100A，10V	5V @ 3mA	525 NC @ 10 V	±20V	33000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXBF32N300	81.7300	RFQ	25	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF32	标准		160 w		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-											1.5 µs	-	3000 v	40 a	250 a	3.2V @ 15V，32a	-	142 NC	-
MIXA60WH1200TEH	126.5860	RFQ	5196	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	E3	Mixa60			290 w	三相桥梁整流器	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器														-	1200 v	85 a		2.1V @ 15V，55a				500 µA	是的
IXTT64N25P	7.2430	RFQ	1501	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt64		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	64A（TC）	10V	49mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	400W（TC）
IXFP36N20X3	4.6800	RFQ	387	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixfp36		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	36a（TC）	10V	45mohm @ 18a，10v	4.5V @ 500µA	21 NC @ 10 V	±20V	1425 PF @ 25 V	-	176W（TC）
IXTP140N12T2	6.5700	RFQ	42	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP140		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		120 v	140a（TC）	10V	10mohm @ 70a，10v	4.5V @ 250µA	174 NC @ 10 V	±20V	9700 PF @ 25 V	-	577W（TC）
IXTN8N150L	53.8500	RFQ	160	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn8		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1500 v	7.5A（TC）	20V	3.6OHM @ 4A，20V	8V @ 250µA	250 NC @ 15 V	±30V	8000 PF @ 25 V	-	545W（TC）
IXGA30N120B3-TRL	5.3818	RFQ	8634	ixys	Genx3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA30	标准		300 w		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixga30n120b3-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			960V，30a，5ohm，15V											37 ns	pt	1200 v	60 a	150 a	3.5V @ 15V，30a	3.47MJ（在）上，2.16MJ off）	87 NC	16NS/127NS
IXFX140N60X3	1893年2月25日	RFQ	5279	ixys	-	管子	积极的				IXFX140						-				238-ixfx140n60x3			30
IXFN26N90	29.2860	RFQ	5958	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN26		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN26N90-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		900 v	26a（TC）	10V	300MOHM @ 13A，10V	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	±20V	10800 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXTC130N15T	-	RFQ	1645年	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	ISOPLUS220™	IXTC130		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	-		-	-				-	-
ixtq22n50p	6.3000	RFQ	209	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq22		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	22a（TC）	10V	270MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	2630 PF @ 25 V	-	350W（TC）
IXFP26N65x3	6.2394	RFQ	4428	ixys	-	管子	积极的				IXFP26						-				238-ixfp26n65x3			50
IXBX25N250	44.2800	RFQ	9462	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXBX25	标准		300 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	621487	Ear99	8541.29.0095	30			-											1.6 µs	-	2500 v	55 a	180 a	3.3V @ 15V，25a	-	103 NC	-
MIXG120W1200PTEH	154.9675	RFQ	6401	ixys	-	盒子	积极的	-	-	-	Mixg120				-	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXG120W1200PTEH			24	-														-				-
IXFX60N55Q2	-	RFQ	6535	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX60		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		550 v	60a（TC）	10V	88mohm @ 30a，10v	4.5V @ 8mA	200 NC @ 10 V	±30V	6900 PF @ 25 V	-	735W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²