RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXYH30N65C3H1	8.1991	RFQ	2429	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh30	标准		270 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											120 ns	pt	650 v	60 a	118 a	2.7V @ 15V，30a	1MJ（在）上，270µJ（OFF））	44 NC	21NS/75NS
IXYH50N65C3	5.5177	RFQ	6319	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH50	标准		600 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixyh50n65c3	Ear99	8541.29.0095	30			400V，36a，5ohm，15V												pt	650 v	130 a	250 a	2.1V @ 15V，36a	1.3mj（在）上，370µJ off）	80 NC	22NS/80NS
ixta10p50p-trl	6.8800	RFQ	2896	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta10		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		500 v	10A（TC）	10V	1欧姆 @ 5A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXYP50N65C3	8.0100	RFQ	2	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXYP50	标准		600 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，36a，5ohm，15V												pt	650 v	130 a	250 a	2.1V @ 15V，36a	1.3mj（在）上，370µJ off）	80 NC	22NS/80NS
IXYH75N65C3H1	17.6000	RFQ	24	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh75	标准		750 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，60a，3ohm，15V											150 ns	pt	650 v	170 a	360 a	2.3V @ 15V，60a	2.8MJ（在）上，1MJ（1MJ）	123 NC	27NS/93NS
IXYH40N65C3	-	RFQ	6118	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH40	标准		300 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V												pt	650 v	80 a	180 a	2.2V @ 15V，40a	（860µJ）（在400µJ上）	70 NC	26NS/106NS
IXBF50N360	110.4140	RFQ	8557	ixys	Bimosfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF50	标准		290 w		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			960V，50a，5ohm，15V											1.7 µs	-	3600 v	70 a	420 a	2.9V @ 15V，50a	-	210 NC	46NS/205NS
IXBX50N360HV	70.6200	RFQ	113	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXBX50	标准		660 w		to-247plus-hv	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，50a，5ohm，15V											1.7 µs	-	3600 v	125 a	420 a	2.9V @ 15V，50a	-	210 NC	46NS/205NS
IXYN80N90C3H1	43.1400	RFQ	10	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn80			500 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	900 v	115 a		2.7V @ 15V，80a				25 µA	不	4.55 NF @ 25 V
IXTH1N200P3	-	RFQ	2971	ixys	Polar P3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth1		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		2000 v	1A（TC）	10V	40ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	23.5 NC @ 10 V	±20V	646 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IXBH20N360HV	131.8200	RFQ	1	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXBH20	标准		430 w		TO-247HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1500V，20a，10ohm，15V											1.7 µs	-	3600 v	70 a	220 a	3.4V @ 15V，20A	15.5MJ（在）上，4.3MJ OFF）	110 NC	18NS/238NS
IXBT20N360HV	76.3097	RFQ	8421	ixys	Bimosfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXBT20	标准		430 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1500V，20a，10ohm，15V											1.7 µs	-	3600 v	70 a	220 a	3.4V @ 15V，20A	15.5MJ（在）上，4.3MJ OFF）	110 NC	18NS/238NS
IXTH20N65X	10.4900	RFQ	300	ixys	Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth20		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	20A（TC）	10V	210mohm @ 10a，10v	5.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1390 pf @ 25 V	-	320W（TC）
IXTA20N65X	7.9482	RFQ	9945	ixys	Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta20		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	20A（TC）	10V	210mohm @ 10a，10v	5.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1390 pf @ 25 V	-	320W（TC）
IXTH52N65X	10.0070	RFQ	6997	ixys	Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth52		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	52A（TC）	10V	68mohm @ 26a，10v	5V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±30V	4350 pf @ 25 V	-	660W（TC）
IXFQ60N503	10.5200	RFQ	24	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ60		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	60a（TC）	10V	100mohm @ 30a，10v	5V @ 4mA	96 NC @ 10 V	±30V	6250 pf @ 25 V	-	1040W（TC）
IXFK78NNNN03	22.5100	RFQ	187	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK78		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	78A（TC）	10V	68mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	147 NC @ 10 V	±30V	9900 PF @ 25 V	-	1130W（TC）
IXFH22N60P3	6.4600	RFQ	3957	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH22		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	22a（TC）	10V	360mohm @ 11a，10v	5V @ 1.5mA	38 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFP22N60P3	5.6300	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP22		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	22a（TC）	10V	360mohm @ 11a，10v	5V @ 1.5mA	38 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFQ22N60P3	9.8600	RFQ	9385	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ22		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfq22n60p3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	22a（TC）	10V	360mohm @ 11a，10v	5V @ 1.5mA	38 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFT70N20Q3	15.3200	RFQ	25	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT70		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft70n20q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	70A（TC）	10V	40mohm @ 35a，10v	6.5V @ 4mA	67 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 25 V	-	690W（TC）
IXFT50N30Q3	15.3200	RFQ	5766	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft50		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft50n30q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	50A（TC）	10V	80Mohm @ 25a，10v	6.5V @ 4mA	65 NC @ 10 V	±20V	3165 PF @ 25 V	-	690W（TC）
IXFT70N30Q3	21.6000	RFQ	18	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT70		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft70n30q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	70A（TC）	10V	54mohm @ 35a，10v	6.5V @ 4mA	98 NC @ 10 V	±20V	4735 pf @ 25 V	-	830W（TC）
IXFH30N50Q3	13.7000	RFQ	288	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH30		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfh30n50q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	6.5V @ 4mA	62 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	690W（TC）
IXFT30N50Q3	15.3200	RFQ	8724	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft30		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft30n50q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	6.5V @ 4mA	62 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	690W（TC）
IXFT44N50Q3	19.0290	RFQ	1803年	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT44		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	44A（TC）	10V	140mohm @ 22a，10v	6.5V @ 4mA	93 NC @ 10 V	±30V	4800 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXFR64N50Q3	32.5900	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR64		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfr64n50q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	45A（TC）	10V	95mohm @ 32a，10v	6.5V @ 4mA	145 NC @ 10 V	±30V	6950 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXFR80N50Q3	37.0100	RFQ	2	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR80		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	50A（TC）	10V	72MOHM @ 40a，10V	6.5V @ 8mA	200 NC @ 10 V	±30V	10000 PF @ 25 V	-	570W（TC）
IXFN80N50Q3	54.4800	RFQ	10	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN80		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfn80n50q3	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	63A（TC）	10V	65mohm @ 40a，10v	6.5V @ 8mA	200 NC @ 10 V	±30V	10000 PF @ 25 V	-	780W（TC）
IXFK64N50Q3	28.9700	RFQ	25	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK64		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfk64n50q3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	64A（TC）	10V	85mohm @ 32a，10v	6.5V @ 4mA	145 NC @ 10 V	±30V	6950 pf @ 25 V	-	1000W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²