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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTH270N04T4	5.0653	RFQ	5744	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH270		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		40 V	270a（TC）	10V	2.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	±15V	9140 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IXBH42N250	38.3700	RFQ	683	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXBH42	标准		500 w		TO-247AD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixbh42n250	Ear99	8541.29.0095	30			1250V，42A，20欧姆，15V											1.7 µs	-	2500 v	104 a	400 a	3V @ 15V，42a	-	200 NC	72NS/445NS
IXTQ180N085T	-	RFQ	9735	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ180		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		85 v	180a（TC）	10V	5.5MOHM @ 25A，10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	430W（TC）
IXTA340N04T4-7	5.0654	RFQ	8533	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta340		MOSFET （金属 o化物）			TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	340a（TC）	10V	1.7MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	256 NC @ 10 V	±15V	13000 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFH15N100P	12.3900	RFQ	48	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH15		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	15A（TC）	10V	760MOHM @ 500mA，10V	6.5V @ 1mA	97 NC @ 10 V	±30V	5140 pf @ 25 V	-	543W（TC）
IXGT15N120CD1	-	RFQ	3338	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT15	标准		150 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，15a，10ohm，15V											40 ns	-	1200 v	30 a	60 a	3.8V @ 15V，15a	1.05MJ（）	69 NC	25NS/150NS
IXTY64N055T	-	RFQ	1132	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty64		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		55 v	64A（TC）	10V	13mohm @ 500mA，10v	4V @ 25µA	37 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 25 V	-	130W（TC）
IXGK72N60A3H1	-	RFQ	7802	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK72	标准		540 w		TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			480V，50a，3ohm，15v											140 ns	pt	600 v	75 a	400 a	1.35V @ 15V，60a	1.4MJ（在）上，3.5MJ off）	230 NC	31ns/320ns
IXGK120N120B3	32.5688	RFQ	3599	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK120	标准		830 w		TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			600V，100a，2ohm，15V												pt	1200 v	200 a	370 a	3V @ 15V，100a	5.5MJ（在）上，5.8MJ（5.8MJ）	470 NC	36NS/275NS
IXTH110N10L2	20.1900	RFQ	6908	ixys	线性l2™	大部分	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXTH110		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	110A（TC）	10V	18mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXYH40N120C3D1	15.0000	RFQ	3	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH40	标准		480 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，40a，10ohm，15V											195 ns	-	1200 v	64 a	105 a	4V @ 15V，40a	3.9mj（在）上，660µJ降低）	85 NC	24NS/125NS
IXGX120N60A3	21.1800	RFQ	26	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXGX120	标准		780 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixgx120n60a3	Ear99	8541.29.0095	30			480V，100A，1.5OHM，15V												pt	600 v	200 a	600 a	1.35V @ 15V，100A	2.7MJ（在）上，6.6MJ off）	450 NC	39NS/295NS
IXFX80N50Q3	33.6900	RFQ	30	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX80		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfx80n50q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	80A（TC）	10V	65mohm @ 40a，10v	6.5V @ 8mA	200 NC @ 10 V	±30V	10000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXGP2N100A	-	RFQ	8395	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP2N100	标准		25 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			800V，2a，150ohm，15V												-	1000 v	4 a	8 a	3.5V @ 15V，2a	260µJ（离）	7.8 NC	15NS/300NS
ixta36p15p-trl	6.8800	RFQ	5	ixys	Polarp™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta36		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		150 v	36a（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	4.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXYN82N120C3H1	50.3700	RFQ	560	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn82			500 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	1200 v	105 a		3.2V @ 15V，82a				50 µA	不	4.06 NF @ 25 V
IXTX20N150	30.7800	RFQ	4334	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx20		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtx20N150	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1500 v	20A（TC）	10V	1ohm @ 10a，10v	4.5V @ 1mA	215 NC @ 10 V	±30V	7800 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXTK200N10P	16.0200	RFQ	9175	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk200		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		100 v	200a（TC）	10V	7.5MOHM @ 100A，10V	5V @ 500µA	240 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	800W（TC）
IXTT60N10	-	RFQ	2543	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT60		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	60a（TC）	10V	20mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTH88N30P	12.5100	RFQ	94	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth88		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	88A（TC）	10V	40mohm @ 44a，10v	5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXXX300N60C3	31.4893	RFQ	7803	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXXX300	标准		2300 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，100A，1OHM，15V												pt	600 v	510 a	1075 a	2V @ 15V，100a	3.35mj（在）上，1.9MJ off）	438 NC	50NS/160NS
IXFT28N50Q	-	RFQ	2761	ixys	Hiperfet™，Q类	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft28		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	28a（TC）	10V	200mohm @ 14a，10v	4.5V @ 4mA	94 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IXYX120N120C3	35.5300	RFQ	320	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXYX120	标准		1500 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，100A，1OHM，15V												-	1200 v	240 a	700 a	3.2V @ 15V，120a	6.75mj（在）上，5.1MJ（（）	412 NC	35NS/176NS
IXBF15N300C	-	RFQ	8584	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF15	标准		300 w		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			1500V，15a，10ohm，15V											706 ns	-	3000 v	37 a	300 a	6V @ 15V，15a	（9.15mj）（在），1.4MJ off）	267 NC	40NS/455NS
IXGN200N60B	-	RFQ	2711	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXGN200			600 w	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	600 v	200 a		2.1V @ 15V，120a				200 µA	不	11 nf @ 25 V
IXGH24N170	22.0600	RFQ	15	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH24	标准		250 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1360v，50a，5ohm，15V												npt	1700 v	50 a	150 a	3.3V @ 15V，24a	8MJ（（）	106 NC	42NS/200NS
IXFK88N30P	15.9100	RFQ	197	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK88		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		300 v	88A（TC）	10V	40mohm @ 44a，10v	5V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
ixta130n10t7	4.3090	RFQ	4521	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta130		MOSFET （金属 o化物）			TO-263-7（IXTA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	130a（TC）	10V	9.1mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±20V	5080 pf @ 25 V	-	360W（TC）
MWI30-12E6K	-	RFQ	6328	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	MWI30			130 w	标准	E1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器														-	1200 v	29 a		2.9V @ 15V，20A				1 MA	是的	1.18 nf @ 25 V
IXTA160N075T7	-	RFQ	9825	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta160		MOSFET （金属 o化物）			TO-263-7（IXTA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	160a（TC）	10V	6mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±20V	4950 pf @ 25 V	-	360W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²