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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
VWI35-06P1	-	RFQ	3492	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	VWI35			100 W	标准	Eco-PAC2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	三相逆变器														npt	600 v	31 a		2.4V @ 15V，20A				600 µA	是的	1.1 NF @ 25 V
IXTP24N65X2	6.1300	RFQ	300	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp24		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	2060 pf @ 25 V	-	390W（TC）
IXA12IF1200HB	5.3500	RFQ	450	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXA12IF1200	标准		85 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，10a，100ohm，15V											350 ns	pt	1200 v	20 a		2.1V @ 15V，10a	1.1MJ（在）上，1.1MJ off）	27 NC	-
IXFH50N60P3	11.0100	RFQ	2	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH50		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	50A（TC）	10V	145mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	94 NC @ 10 V	±30V	6300 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
IXDN75N120	38.3600	RFQ	8471	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXDN75			660 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														npt	1200 v	150 a		2.7V @ 15V，75a				4 mA	不	5.5 nf @ 25 V
IXGA30N120B3	8.2600	RFQ	9624	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA30	标准		300 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			960V，30a，5ohm，15V												pt	1200 v	60 a	150 a	3.5V @ 15V，30a	3.47MJ（在）上，2.16MJ off）	87 NC	16NS/127NS
IXFH32N100X	22.4300	RFQ	30	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH32		MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	32A（TC）	10V	220MOHM @ 16A，10V	6V @ 4mA	130 NC @ 10 V	±30V	4075 PF @ 25 V	-	890W（TC）
MIXA20WB1200TED	70.8600	RFQ	3	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	Mixa20			100 W	三相桥梁整流器	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器														pt	1200 v	28 a		2.1V @ 15V，16a				1.5 ma	是的
IXFM11N80	-	RFQ	6690	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	IXFM11		MOSFET （金属 o化物）			to-204aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		800 v	11A（TC）	10V	950MOHM @ 5.5A，10V	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXGH40N60B2	-	RFQ	5054	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH40	标准		300 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，3.3ohm，15V												pt	600 v	75 a	200 a	1.7V @ 15V，30a	400µJ（离）	100 NC	18NS/130NS
ixa12if1200pb	4.4000	RFQ	9152	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXA12IF1200	标准		85 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			600V，10a，100ohm，15V											350 ns	pt	1200 v	20 a		2.1V @ 15V，10a	1.1MJ（在）上，1.1MJ off）	27 NC	-
IXFQ60N60X	13.6513	RFQ	5181	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ60		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	60a（TC）	10V	55mohm @ 30a，10v	4.5V @ 8mA	143 NC @ 10 V	±30V	5800 pf @ 25 V	-	890W（TC）
ixtk120n20p	11.6268	RFQ	5848	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXTK120		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	120A（TC）	10V	22mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	714W（TC）
IXTT8P50	9.3263	RFQ	3042	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt8		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		500 v	8A（TC）	10V	1.2OHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXFK20N80Q	-	RFQ	1684年	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK20		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道		800 v	20A（TC）	10V	420MOHM @ 10a，10v	4.5V @ 4mA	200 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXFN260N17T	-	RFQ	9963	ixys	Gigamos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN260		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		170 v	245a（TC）	10V	6.5MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	400 NC @ 10 V	±20V	24000 pf @ 25 V	-	1090W（TC）
ixtk128n15	-	RFQ	3016	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk128		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		150 v	128a（TC）	10V	15mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	540W（TC）
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ixta120p065t-trl	4.2408	RFQ	2266	ixys	Trechp™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta120		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta120p065t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		P通道		65 v	120A（TC）	10V	10mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±15V	13200 PF @ 25 V	-	298W（TC）
IXYH80N90C3	11.8000	RFQ	6761	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH80	标准		830 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7763666b	Ear99	8541.29.0095	30			450V，80a，2ohm，15V												-	900 v	165 a	360 a	2.7V @ 15V，80a	4.3mj（在）上，1.9MJ（（）	145 NC	34NS/90NS
IXGH32N90B2D1	-	RFQ	6314	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH32	标准		300 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			720v，32a，5ohm，15v											190 ns	pt	900 v	64 a	200 a	2.7V @ 15V，32a	2.2mj（（）	89 NC	20NS/260NS
IXFK120N60X3	20.9944	RFQ	9957	ixys	-	管子	积极的				IXFK120						-				238-ixfk120n60x3			25
IXYH40N65C3H1	8.7397	RFQ	4991	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXYH40	标准		300 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											120 ns	pt	650 v	80 a	180 a	2.2V @ 15V，40a	（860µJ）（在400µJ上）	70 NC	26NS/106NS
IXFA4N100P-TRL	2.6600	RFQ	9452	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA4N100		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa4n100p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1000 v	4A（TC）	10V	3.3ohm @ 2a，10v	6V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1456 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXDH35N60BD1	-	RFQ	7010	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXDH35	标准		250 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			300V，35A，10欧姆，15V											40 ns	npt	600 v	60 a	70 a	2.7V @ 15V，35a	1.6mj（在）上，800µJ（800µJ）	120 NC	-
IXTA200N075T7	-	RFQ	2236	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta200		MOSFET （金属 o化物）			TO-263-7（IXTA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	200a（TC）	10V	5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	430W（TC）
IXGQ50N60C4D1	-	RFQ	3622	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ50	标准		300 w		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，36a，10ohm，15V											25 ns	pt	600 v	90 a	220 a	2.3V @ 15V，36a	950µJ（在）（840µJ）上，OFF）	113 NC	40NS/270NS
IXTP200N055T2	4.0600	RFQ	122	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp200		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	200a（TC）	10V	4.2MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	109 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXGH35N120C	-	RFQ	1411	ixys	Lightspeed™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH35	标准		300 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，35A，5OHM，15V												-	1200 v	70 a	140 a	4V @ 15V，35a	3MJ（（）	170 NC	50NS/150NS
VMK90-02T2	-	RFQ	7703	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	VMK90		MOSFET （金属 o化物）	380W		TO-240AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	6	2 n 通道（双）			200V	83a		25mohm @ 500mA，10v	4V @ 3mA	450NC @ 10V		15000pf @ 25V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²