RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXFK80N60P3	18.5800	RFQ	7938	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK80			MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道					600 v	80A（TC）	10V	70MOHM @ 500mA，10V	5V @ 8mA	190 NC @ 10 V	±30V	13100 PF @ 25 V	-	1300W（TC）
IXDR35N60BD1	-	RFQ	8125	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixdr35	标准			125 w	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				300V，35A，10欧姆，15V														40 ns	npt	600 v	38 a	48 a	2.7V @ 15V，35a	1.6mj（在）上，800µJ（800µJ）	140 NC	-
IXFK140N60X3	26.1024	RFQ	2828	ixys	-	管子	积极的				IXFK140						-				238-ixfk140n60x3			25
IXGH50N60C4	-	RFQ	9524	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH50	标准			300 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，36a，10ohm，15V															pt	600 v	90 a	220 a	2.3V @ 15V，36a	950µJ（在）（840µJ）上，OFF）	113 NC	40NS/270NS
IXGA12N120A3	4.2728	RFQ	8148	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA12	标准			100 W	TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				-															pt	1200 v	22 a	60 a	3V @ 15V，12A	-	20.4 NC	-
IXFA110N15T2	5.8040	RFQ	6689	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA110			MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa110n15t2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					150 v	110A（TC）	10V	13mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
ixta26p20p-trl	6.8800	RFQ	3	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta26			MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta26p20p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		P通道					200 v	26a（TC）	10V	170MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2740 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFN210N20P	48.2300	RFQ	160	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN210			MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道					200 v	188a（TC）	10V	10.5MOHM @ 105A，10V	4.5V @ 8mA	255 NC @ 10 V	±20V	18600 PF @ 25 V	-	1070W（TC）
IXSH40N60B	-	RFQ	5406	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSH40	标准			280 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				480V，40a，2.7Ohm，15V															pt	600 v	75 a	150 a	2.2V @ 15V，40a	1.8MJ（（）	190 NC	50NS/110NS
ixta2r4n120p-trl	4.5555	RFQ	9835	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta2			MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta2r4n120p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					1200 v	2.4A（TC）	10V	7.5OHM @ 1.2A，10V	4.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±30V	1207 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IXGQ50N60C4D1	-	RFQ	3622	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ50	标准			300 w	to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，36a，10ohm，15V														25 ns	pt	600 v	90 a	220 a	2.3V @ 15V，36a	950µJ（在）（840µJ）上，OFF）	113 NC	40NS/270NS
IXTT140N075L2HV-TR	21.2177	RFQ	7043	ixys	Linearl2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA				MOSFET （金属 o化物）		TO-268HV（IXTT）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtt140n075l2hv-tr	Ear99	8541.29.0095	400		n通道					75 v	140a（TC）	10V	11mohm @ 70a，10v	4.5V @ 250µA	275 NC @ 10 V	±20V	9300 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXTP24N65X2	6.1300	RFQ	300	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp24			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	2060 pf @ 25 V	-	390W（TC）
ixta08n100d2hv-trl	2.3358	RFQ	9649	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta08			MOSFET （金属 o化物）		TO-263HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta08n100d2hv-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					1000 v	800mA（TJ）	0V	21ohm @ 400mA，0v	4V @ 25µA	14.6 NC @ 5 V	±20V	325 pf @ 25 V	耗尽模式	60W（TC）
ixtx660n04t4	13.5933	RFQ	4997	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3变体	ixtx660			-		加上247™-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtx660n04t4	Ear99	8541.29.0095	30		-						-	-	-	-		-		-	-
IXFK120N60X3	20.9944	RFQ	9957	ixys	-	管子	积极的				IXFK120						-				238-ixfk120n60x3			25
IXYH80N90C3	11.8000	RFQ	6761	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH80	标准			830 w	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7763666b	Ear99	8541.29.0095	30				450V，80a，2ohm，15V															-	900 v	165 a	360 a	2.7V @ 15V，80a	4.3mj（在）上，1.9MJ（（）	145 NC	34NS/90NS
IXYH40N65C3H1	8.7397	RFQ	4991	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXYH40	标准			300 w	TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，30a，10ohm，15V														120 ns	pt	650 v	80 a	180 a	2.2V @ 15V，40a	（860µJ）（在400µJ上）	70 NC	26NS/106NS
IXFP22N65x2	5.6300	RFQ	5026	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP22			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	22a（TC）	10V	160mohm @ 11a，10v	5.5V @ 1.5mA	38 NC @ 10 V	±30V	2310 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXTT8P50	9.3263	RFQ	3042	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt8			MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道					500 v	8A（TC）	10V	1.2OHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXFK20N80Q	-	RFQ	1684年	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK20			MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道					800 v	20A（TC）	10V	420MOHM @ 10a，10v	4.5V @ 4mA	200 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXFX32N48Q	-	RFQ	6378	ixys	-	管子	过时的				IXFX32						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	30								-
ixta120p065t-trl	4.2408	RFQ	2266	ixys	Trechp™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta120			MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta120p065t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		P通道					65 v	120A（TC）	10V	10mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±15V	13200 PF @ 25 V	-	298W（TC）
C-0010-375-501N21A	-	RFQ	1011	ixys	-	大部分	过时的			-	C-0010-375		-	-		-	-				238-C-0010-375-501N21A	过时的	0000.00.0000	1	-		-		-	-											-
IXGH35N120C	-	RFQ	1411	ixys	Lightspeed™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH35	标准			300 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				960V，35A，5OHM，15V															-	1200 v	70 a	140 a	4V @ 15V，35a	3MJ（（）	170 NC	50NS/150NS
VMK90-02T2	-	RFQ	7703	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	VMK90			MOSFET （金属 o化物）	380W	TO-240AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	6	2 n 通道（双）						200V	83a		25mohm @ 500mA，10v	4V @ 3mA	450NC @ 10V		15000pf @ 25V	-
IXFH60N60X	13.5933	RFQ	3925	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH60			MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	60a（TC）	10V	55mohm @ 30a，10v	4.5V @ 8mA	143 NC @ 10 V	±30V	5800 pf @ 25 V	-	890W（TC）
IXA33IF1200HB	10.4200	RFQ	216	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXA33IF1200	标准			250 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，25a，39ohm，15V														350 ns	pt	1200 v	58 a		2.1V @ 15V，25a	2.5mj（在）上，3MJ（3mj）	76 NC	-
IXTY44N10T	2.5800	RFQ	3964	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty44			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道					100 v	44A（TC）	10V	30mohm @ 22a，10v	4.5V @ 25µA	33 NC @ 10 V	±30V	1262 PF @ 25 V	-	130W（TC）
IXTH1N450HV	45.6100	RFQ	315	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixth1			MOSFET （金属 o化物）		TO-247HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixth1n450hv	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					4500 v	1A（TC）	10V	80ohm @ 50mA，10v	6V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	520W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²