RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXFA36N60X3	7.0700	RFQ	38	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA36		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfa36n60x3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	36a（TC）	10V	90MOHM @ 18A，10V	5V @ 2.5mA	29 NC @ 10 V	±20V	2030 pf @ 25 V	-	446W（TC）
IXYH40N120B4	15.9115	RFQ	3403	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		680 w	TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyh40n120b4	Ear99	8541.29.0095	30			960V，32A，5OHM，15V											53 ns	pt	1200 v	136 a	250 a	2.1V @ 15V，32a	5.9MJ（在）上，2.9MJ off）	94 NC	19NS/220NS
IXYP30N120B4	14.5226	RFQ	5510	ixys	-	管子	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP30N120B4	Ear99	8541.29.0095	50
IXBH32N300HV	72.6127	RFQ	7852	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXBH32	标准		400 w	TO-247HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixbh32n300hv	Ear99	8541.29.0095	30			-												-	3000 v	80 a	280 a	3.2V @ 15V，32a	-	142 NC	-
IXYT12N250CV1HV	51.4643	RFQ	8368	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA		标准		310 w	TO-268HV ixyt）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYT12N250CV1HV	Ear99	8541.29.0095	30			1250V，12a，10ohm，15V											16 ns	-	2500 v	28 a	80 a	4.5V @ 15V，12a	3.56mj（在）上，1.7MJ OFF）	56 NC	12NS/167NS
IXYP30N120C4	15.0810	RFQ	4449	ixys	-	管子	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP30N120C4	Ear99	8541.29.0095	50
IXXT100N75B4HV	25.6637	RFQ	8797	ixys	-	管子	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixxt100N75B4HV	Ear99	8541.29.0095	30
IXBH42N300HV	117.9213	RFQ	8987	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXBH42	标准		500 w	TO-247HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixbh42n300hv	Ear99	8541.29.0095	30			-											1.7 µs	-	3000 v	104 a	400 a	3V @ 15V，42a	-	200 NC	-
IXYH20N65B3	4.7479	RFQ	2829	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		230 w	TO-247AD	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyh20n65b3	Ear99	8541.29.0095	30			400V，20A，20欧姆，15V											25 ns	pt	650 v	58 a	108 a	2.1V @ 15V，20A	（500µJ）（在450µJ上）	29 NC	12NS/103NS
IXYP24N100A4	15.2094	RFQ	4185	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		375 w	TO-220（（IXYP）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP24N100A4	Ear99	8541.29.0095	50			800V，24A，10OHM，15V											47 ns	pt	1000 v	85 a	145 a	1.9V @ 15V，24a	3.5MJ（在）上，2.3MJ off）	44 NC	13NS/216NS
IXGT25N250HV	63.6757	RFQ	6252	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT25	标准		250 w	TO-268HV（IXGT）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixgt25n250hv	Ear99	8541.29.0095	30			-												-	2500 v	60 a	200 a	2.9V @ 15V，25a	-	75 NC	-
LGD8201TH	-	RFQ	8093	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		逻辑		125 w	DPAK	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-LGD8201THTR	Ear99	8541.29.0095	2,500			-												-	440 v	20 a	50 a	1.9V @ 4.5V，20A	-		-
IXXH30N60C3	4.1893	RFQ	8415	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		270 w	TO-247AD	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixxh30n60c3	Ear99	8541.29.0095	30			400V，24a，10ohm，15V											33 ns	-	600 v	60 a	110 a	2.4V @ 15V，24a	500µJ（在）上，270µJ（OFF）	37 NC	23ns/77ns
IXFA34N65X3	8.5300	RFQ	4526	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA34		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfa34n65x3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	34A（TC）	10V	100mohm @ 17a，10v	5.2V @ 2.5mA	29 NC @ 10 V	±20V	2025 PF @ 25 V	-	446W（TC）
IXBH14N300HV	62.9650	RFQ	8020	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXBH14	标准		200 w	TO-247HV（IXBH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixbh14n300hv	Ear99	8541.29.0095	30			-											1.4 µs	-	3000 v	38 a	120 a	2.7V @ 15V，14a	-	62 NC	-
LSIC1MO120T0160-TU	8.1853	RFQ	4102	ixys	-	管子	积极的	-	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	LSIC1MO120		SIC （硅碳化物交界晶体管）		TO-263-7	下载				238-LSIC1MO120T0160-TU	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		1200 v	22a（TC）	-	-	-		-		-	-
IXFX140N60X3	1893年2月25日	RFQ	5279	ixys	-	管子	积极的				IXFX140					-				238-ixfx140n60x3			30
IXFP13N60X3	3.4206	RFQ	1216	ixys	-	管子	积极的				IXFP13					-				238-ixfp13n60x3			50
IXFN110N65X3	33.9180	RFQ	2490	ixys	-	管子	积极的				IXFN110					-				238-ixfn110n65x3			10
IXYA20N120C4HV-TRL	3.0605	RFQ	2612	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				ixya20					-				238-ixya20N120C4HV-Trltr			800
MXB12R600DPHFC	-	RFQ	5426	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	isoplusi5-pak™	MXB12		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS I4-PAC™	-	rohs3符合条件			238-MXB12R600DPHFC			1		n通道		650 v	13A（TC）	-	-	-		-		-	-
IXA20I1200HB	-	RFQ	3887	ixys	-	管子	积极的				IXA20					-	rohs3符合条件	（1 （无限）		238-IXA20I1200HB			1
ixta1r6n100d2-trl	2.0243	RFQ	4868	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta1r6n100d2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1000 v	1.6A（TJ）	0V	10ohm @ 800mA，0v	4.5V @ 100µA	27 NC @ 5 V	±20V	645 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IXA4I1200UC-tub	1.8237	RFQ	9977	ixys	XPT™	管子	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXA4I1200	标准		45 W	TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixa4i1200uc-tub	Ear99	8541.29.0095	70			600V，3A，330OHM，15V												pt	1200 v	9 a		2.1V @ 15V，3A	（400µJ）（在300µJ上）	12 nc	70NS/250NS
IXFA12N65X2-TRL	2.7510	RFQ	7147	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA12		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa12n65x2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		650 v	12A（TC）	10V	310MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	18.5 NC @ 10 V	±30V	1134 PF @ 25 V	-	180W（TC）
ixta80n10t-trl	2.4137	RFQ	7279	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta80		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta80n10t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	80A（TC）	10V	14mohm @ 25a，10v	5V @ 100µA	60 NC @ 10 V	±20V	3040 pf @ 25 V	-	230W（TC）
MTI85W100GC-SMD	29.1277	RFQ	4814	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	MTI85W100		MOSFET （金属 o化物）	-	ISOPLUS-DIL™	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MTI85W100GC-SMD	Ear99	8541.29.0095	13	6 n通道（3相桥）			100V	120A（TC）		4mohm @ 80a，10v	3.5V @ 150µA	88nc @ 10V		-	-
IXYN120N65B3D1	-	RFQ	4394	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn120	标准		830 w	SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixyn120n65b3d1	Ear99	8541.29.0095	10			400V，50a，2ohm，15V											28 ns	pt	650 v	250 a	770 a	1.9V @ 15V，100a	1.34mj（在）上，1.5MJ OFF）	250 NC	30ns/168ns
IXXH140N65B4	16.5613	RFQ	9957	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH140	标准		1200 w	TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixxh140n65b4	Ear99	8541.29.0095	30			400V，100A，4.7OHM，15V											105 ns	pt	650 v	340 a	840 a	1.9V @ 15V，120a	5.75mj（在）上，2.67mj off）	250 NC	54NS/270NS
IXFA72N30x3-Trl	6.6640	RFQ	8017	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA72		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa72n30x3-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		300 v	72A（TC）	10V	19mohm @ 36a，10v	4.5V @ 1.5mA	82 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	390W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²