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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFH80N15Q	-	RFQ	2631	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH80		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	80A（TC）	10V	22.5mohm @ 40a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
MDI200-12A4	-	RFQ	4030	ixys	-	盒子	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	Y3-DCB	MDI200			1130 w	标准	Y3-DCB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的														npt	1200 v	270 a		2.7V @ 15V，150a				10 MA	不	11 nf @ 25 V
IXA40PG1200DHG-TUB	25.2370	RFQ	2275	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA40			230 w	标准	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥														pt	1200 v	63 a		2.15V @ 15V，35a				150 µA	不
MUBW50-12A8	152.1800	RFQ	1653	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	mubw50			350 w	三相桥梁整流器	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-mubw50-12a8	Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器														npt	1200 v	85 a		2.6V @ 15V，50a				3.7 MA	是的	3.3 NF @ 25 V
IXYH16N170CV1	14.2600	RFQ	30	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh16	标准		310 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			850V，16a，10ohm，15V											150 ns	-	1700 v	40 a	100 a	3.8V @ 15V，16a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	56 NC	11NS/140NS
IXTX400N15X4	44.1200	RFQ	1	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx400		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	400A（TC）	10V	3.1MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 1mA	430 NC @ 10 V	±20V	14500 PF @ 25 V	-	1500W（TC）
IXFQ60N503	10.5200	RFQ	24	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ60		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	60a（TC）	10V	100mohm @ 30a，10v	5V @ 4mA	96 NC @ 10 V	±30V	6250 pf @ 25 V	-	1040W（TC）
IXXA30N65C3HV	5.6612	RFQ	9253	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXXA30	标准		230 w		TO-263HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，24a，10ohm，15V											33 ns	-	650 v	52 a	113 a	2.2V @ 15V，24a	（500µJ）（在450µJ上）	37 NC	33NS/125NS
IXTP55N075T	-	RFQ	1625年	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp55		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	55A（TC）	10V	19.5MOHM @ 27.5A，10V	4V @ 25µA	33 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IXFP36N55X2	8.8776	RFQ	1281	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-	-	-	ixfp36		-			-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfp36n55x2	Ear99	8541.29.0095	50		-			-	-	-	-		-		-	-
IXFR90N20	-	RFQ	9038	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXFR90		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	90A（TC）		-	-				-	-
IXYA30N120A4HV	7.6136	RFQ	6009	ixys	Genx4™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixya30	标准		500 w		TO-263HV	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixya30n120a4hv	Ear99	8541.29.0095	50			960V，25a，5ohm，15V											42 ns	pt	1200 v	106 a	184 a	1.9V @ 15V，25a	4MJ（在）上，3.4MJ（3.4MJ）	57 NC	15NS/235NS
IXFH80N65X2-4	16.2800	RFQ	2016	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IXFH80		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	-ixfh80n65x2-4	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	80A（TC）	10V	38mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	8300 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXYP24N100A4	15.2094	RFQ	4185	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		375 w		TO-220（（IXYP）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP24N100A4	Ear99	8541.29.0095	50			800V，24A，10OHM，15V											47 ns	pt	1000 v	85 a	145 a	1.9V @ 15V，24a	3.5MJ（在）上，2.3MJ off）	44 NC	13NS/216NS
IXCP01N90E	-	RFQ	6347	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXCP01		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		900 v	250mA（tc）	10V	80ohm @ 50mA，10v	5V @ 25µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	133 pf @ 25 V	-	40W（TC）
MITB10WB1200TMH	-	RFQ	8659	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	MITB10W			70 W	三相桥梁整流器	Minipack2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	20	三期逆变器														沟	1200 v	17 a		2.2V @ 15V，10a				600 µA	是的	600 pf @ 25 V
ixta8n65x2	3.3100	RFQ	7966	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta8		MOSFET （金属 o化物）			TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	8A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	150W（TC）
ixtv22n50p	-	RFQ	1572年	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv22		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	22a（TC）	10V	270MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	2630 PF @ 25 V	-	350W（TC）
IXTH2N170D2	20.5500	RFQ	200	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth2		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1700 v	2A（TJ）	0V	6.5OHM @ 1A，0V	-	110 NC @ 5 V	±20V	3650 pf @ 10 V	耗尽模式	568W（TC）
IXXH30N60B3	5.0815	RFQ	8055	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH30	标准		270 w		TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，24a，10ohm，15V												pt	600 v	60 a	115 a	1.85V @ 15V，24a	（550µJ）（在500µJ）上（500µJ）	39 NC	23ns/97ns
IXTA75N10P	5.1900	RFQ	300	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta75		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	75A（TC）	10V	25mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	360W（TC）
ixtk33n50	-	RFQ	7564	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk33		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	33A（TC）	10V	170MOHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	4900 PF @ 25 V	-	416W（TC）
MWI200-06A8T	-	RFQ	6303	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	E3	MWI200			675 w	标准	E3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														npt	600 v	225 a		2.5V @ 15V，200a				1.8 ma	不	9 nf @ 25 V
IXFL44N80	-	RFQ	4461	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFL44		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS264™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		800 v	44A（TC）	10V	165mohm @ 22a，10v	4V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 25 V	-	550W（TC）
IXBH20N360HV	131.8200	RFQ	1	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXBH20	标准		430 w		TO-247HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1500V，20a，10ohm，15V											1.7 µs	-	3600 v	70 a	220 a	3.4V @ 15V，20A	15.5MJ（在）上，4.3MJ OFF）	110 NC	18NS/238NS
IXFL30N120P	-	RFQ	4330	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	IXFL30		MOSFET （金属 o化物）			isoplusi5-pak™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1200 v	18A（TC）	10V	380MOHM @ 15A，10V	6.5V @ 1mA	310 NC @ 10 V	±30V	19000 PF @ 25 V	-	357W（TC）
IXFN106N20	23.7740	RFQ	1351	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN106		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		200 v	106a（TC）	10V	20mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	521W（TC）
IXFX30N100Q2	-	RFQ	3635	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX30		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	30A（TC）	10V	400mohm @ 15a，10v	5V @ 8mA	186 NC @ 10 V	±30V	8200 PF @ 25 V	-	735W（TC）
IXTA230N04T4	3.5176	RFQ	4167	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta230		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	230a（TC）	10V	2.9MOHM @ 115A，10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±15V	7400 PF @ 25 V	-	340W（TC）
IXTR32P60P	20.5440	RFQ	8895	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixtr32		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		600 v	18A（TC）	10V	385MOHM @ 16a，10v	4V @ 1mA	196 NC @ 10 V	±20V	11100 PF @ 25 V	-	310W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²