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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXTP48N20T | 4.1800 | ![]() | 3242 | 0.00000000 | ixys | 沟 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | ixtp48 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 200 v | 48A(TC) | 10V | 50MOHM @ 24A,10V | 4.5V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±30V | 3000 pf @ 25 V | - | 250W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXTP90N075T2 | - | ![]() | 2941 | 0.00000000 | ixys | TRENCHT2™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | ixtp90 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 75 v | 90A(TC) | 10V | 10mohm @ 25a,10v | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ±20V | 3290 pf @ 25 V | - | 180W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXTQ102N15T | - | ![]() | 8216 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | IXTQ102 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 150 v | 102A(TC) | 10V | 18mohm @ 500mA,10v | 5V @ 1mA | 87 NC @ 10 V | ±20V | 5220 PF @ 25 V | - | 455W(TC) | ||||||||||||||
![]() | ixtq26p20p | 7.5500 | ![]() | 39 | 0.00000000 | ixys | Polarp™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | ixtq26 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | P通道 | 200 v | 26a(TC) | 10V | 170MOHM @ 13A,10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ±20V | 2740 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXTQ36P15P | 7.5500 | ![]() | 9984 | 0.00000000 | ixys | Polarp™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | ixtq36 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | P通道 | 150 v | 36a(TC) | 10V | 110MOHM @ 18A,10V | 4.5V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 3100 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXTQ44P15T | 7.1800 | ![]() | 46 | 0.00000000 | ixys | Trechp™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | ixtq44 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | P通道 | 150 v | 44A(TC) | 10V | 65mohm @ 500mA,10v | 4V @ 250µA | 175 NC @ 10 V | ±15V | 13400 PF @ 25 V | - | 298W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXTR170P10P | 23.5500 | ![]() | 830 | 0.00000000 | ixys | Polarp™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXTR170 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | P通道 | 100 v | 108a(TC) | 10V | 13mohm @ 85a,10v | 4V @ 1mA | 240 NC @ 10 V | ±20V | 12600 PF @ 25 V | - | 312W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXTR32P60P | 20.5440 | ![]() | 8895 | 0.00000000 | ixys | Polarp™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixtr32 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | P通道 | 600 v | 18A(TC) | 10V | 385MOHM @ 16a,10v | 4V @ 1mA | 196 NC @ 10 V | ±20V | 11100 PF @ 25 V | - | 310W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXTR48P20P | 14.3800 | ![]() | 3979 | 0.00000000 | ixys | Polarp™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixtr48 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | P通道 | 200 v | 30A(TC) | 10V | 93MOHM @ 24A,10V | 4.5V @ 250µA | 103 NC @ 10 V | ±20V | 5400 PF @ 25 V | - | 190w(TC) | |||||||||||||
![]() | ixtr90p20p | 20.5440 | ![]() | 7241 | 0.00000000 | ixys | Polarp™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixtr90 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | P通道 | 200 v | 53A(TC) | 10V | 48mohm @ 45a,10v | 4V @ 1mA | 205 NC @ 10 V | ±20V | 12000 PF @ 25 V | - | 312W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXTT20P50P | 13.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ixys | Polarp™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | ixtt20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-268AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | P通道 | 500 v | 20A(TC) | 10V | 450MOHM @ 10a,10v | 4V @ 250µA | 103 NC @ 10 V | ±20V | 5120 PF @ 25 V | - | 460W(TC) | |||||||||||||
![]() | ixtx32p60p | 21.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | Polarp™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3变体 | ixtx32 | MOSFET (金属 o化物) | 加上247™-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | P通道 | 600 v | 32A(TC) | 10V | 350MOHM @ 16A,10V | 4V @ 1mA | 196 NC @ 10 V | ±20V | 11100 PF @ 25 V | - | 890W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXTY12N06T | - | ![]() | 8698 | 0.00000000 | ixys | TRENCHMV™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | ixty12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | n通道 | 60 V | 12A(TC) | 10V | 85mohm @ 6a,10v | 4V @ 25µA | 3.4 NC @ 10 V | ±20V | 256 pf @ 25 V | - | 33W(TC) | ||||||||||||||
![]() | IXFK30N110P | - | ![]() | 3657 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXFK30 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264AA(IXFK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 1100 v | 30A(TC) | 10V | 360mohm @ 15a,10v | 6.5V @ 1mA | 235 NC @ 10 V | ±30V | 13600 PF @ 25 V | - | 960W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXFK32N100P | 24.8900 | ![]() | 204 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXFK32 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264AA(IXFK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 1000 v | 32A(TC) | 10V | 320MOHM @ 16a,10v | 6.5V @ 1mA | 225 NC @ 10 V | ±30V | 14200 PF @ 25 V | - | 960W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXFL30N120P | - | ![]() | 4330 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | isoplusi5-pak™ | IXFL30 | MOSFET (金属 o化物) | isoplusi5-pak™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 1200 v | 18A(TC) | 10V | 380MOHM @ 15A,10V | 6.5V @ 1mA | 310 NC @ 10 V | ±30V | 19000 PF @ 25 V | - | 357W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXFN26N100P | 54.3070 | ![]() | 1694年 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXFN26 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 1000 v | 23A(TC) | 10V | 390MOHM @ 13A,10V | 6.5V @ 1mA | 197 nc @ 10 V | ±30V | 11900 PF @ 25 V | - | 595W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXFN30N110P | - | ![]() | 4225 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXFN30 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 1100 v | 25A(TC) | 10V | 360mohm @ 15a,10v | 6.5V @ 1mA | 235 NC @ 10 V | ±30V | 13600 PF @ 25 V | - | 695W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXFN32N120P | 73.4200 | ![]() | 9402 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXFN32 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixfn32n120p | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 1200 v | 32A(TC) | 10V | 310MOHM @ 500mA,10V | 6.5V @ 1mA | 360 NC @ 10 V | ±30V | 21000 PF @ 25 V | - | 1000W(TC) | ||||||||||||
![]() | IXFN38N100P | 51.8300 | ![]() | 7586 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXFN38 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 1000 v | 38A(TC) | 10V | 210mohm @ 19a,10v | 6.5V @ 1mA | 350 NC @ 10 V | ±30V | 24000 pf @ 25 V | - | 1000W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXFN44N100P | 44.9200 | ![]() | 8476 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXFN44 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixfn44n100p | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 1000 v | 37A(TC) | 10V | 220MOHM @ 22a,10v | 6.5V @ 1mA | 305 NC @ 10 V | ±30V | 19000 PF @ 25 V | - | 890W(TC) | ||||||||||||
![]() | IXFR26N120P | 35.1193 | ![]() | 6209 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFR26 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1200 v | 15A(TC) | 10V | 500MOHM @ 13A,10V | 6.5V @ 1mA | 225 NC @ 10 V | ±30V | 14000 PF @ 25 V | - | 320W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXFT20N100P | 10.9044 | ![]() | 3038 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | ixft20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-268AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1000 v | 20A(TC) | 10V | 570MOHM @ 10A,10V | 6.5V @ 1mA | 126 NC @ 10 V | ±30V | 7300 PF @ 25 V | - | 660W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXFX20N120P | 27.7800 | ![]() | 126 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3变体 | IXFX20 | MOSFET (金属 o化物) | 加上247™-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1200 v | 20A(TC) | 10V | 570MOHM @ 10A,10V | 6.5V @ 1mA | 193 NC @ 10 V | ±30V | 11100 PF @ 25 V | - | 780W(TC) | |||||||||||||
![]() | IXGH100N30C3 | - | ![]() | 1507 | 0.00000000 | ixys | Genx3™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXGH100 | 标准 | 460 w | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 200V,50a,2ohm,15V | pt | 300 v | 75 a | 500 a | 1.85V @ 15V,100a | 230µJ(在)上,520µJ(OFF) | 162 NC | 23ns/105ns | ||||||||||||||
![]() | IXGH60N30C3 | - | ![]() | 5887 | 0.00000000 | ixys | Genx3™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXGH60 | 标准 | 300 w | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 200V,30a,5ohm,15v | - | 300 v | 75 a | 420 a | 1.8V @ 15V,60a | (150µJ)(在300µJ上) | 101 NC | 23ns/108ns | ||||||||||||||
![]() | IXGK120N60B | - | ![]() | 8622 | 0.00000000 | ixys | HiperFast™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXGK120 | 标准 | 660 w | TO-264(ixgk) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 480V,100A,2.4OHM,15V | pt | 600 v | 200 a | 300 a | 2.1V @ 15V,120a | 2.4MJ(在)上,5.5MJ off) | 350 NC | 60NS/200NS | |||||||||||||||
![]() | IXGR120N60B | - | ![]() | 4434 | 0.00000000 | ixys | HiperFast™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXGR120 | 标准 | 520 w | ISOPLUS247™ | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V,100A,2.4OHM,15V | pt | 600 v | 156 a | 300 a | 2.1V @ 15V,100a | 2.4MJ(在)上,5.5MJ off) | 350 NC | 60NS/200NS | |||||||||||||||
![]() | IXKH70N60C5 | 24.1700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | coolmos™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXKH70 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 70A(TC) | 10V | 45mohm @ 44a,10v | 3.5V @ 3mA | 190 NC @ 10 V | ±20V | 6800 PF @ 100 V | - | - | |||||||||||||
![]() | IXKP13N60C5M | - | ![]() | 5347 | 0.00000000 | ixys | coolmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | IXKP13 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220ABFP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 6.5A(TC) | 10V | 300MOHM @ 6.6a,10V | 3.5V @ 440µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 1100 PF @ 100 V | - | - |
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