SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C
IXTP48N20T IXYS IXTP48N20T 4.1800
RFQ
ECAD 3242 0.00000000 ixys 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ixtp48 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 48A(TC) 10V 50MOHM @ 24A,10V 4.5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 25 V - 250W(TC)
IXTP90N075T2 IXYS IXTP90N075T2 -
RFQ
ECAD 2941 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ixtp90 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 90A(TC) 10V 10mohm @ 25a,10v 4V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V 3290 pf @ 25 V - 180W(TC)
IXTQ102N15T IXYS IXTQ102N15T -
RFQ
ECAD 8216 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 IXTQ102 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 102A(TC) 10V 18mohm @ 500mA,10v 5V @ 1mA 87 NC @ 10 V ±20V 5220 PF @ 25 V - 455W(TC)
IXTQ26P20P IXYS ixtq26p20p 7.5500
RFQ
ECAD 39 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 ixtq26 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 200 v 26a(TC) 10V 170MOHM @ 13A,10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±20V 2740 pf @ 25 V - 300W(TC)
IXTQ36P15P IXYS IXTQ36P15P 7.5500
RFQ
ECAD 9984 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 ixtq36 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 150 v 36a(TC) 10V 110MOHM @ 18A,10V 4.5V @ 250µA 55 NC @ 10 V ±20V 3100 pf @ 25 V - 300W(TC)
IXTQ44P15T IXYS IXTQ44P15T 7.1800
RFQ
ECAD 46 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 ixtq44 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 150 v 44A(TC) 10V 65mohm @ 500mA,10v 4V @ 250µA 175 NC @ 10 V ±15V 13400 PF @ 25 V - 298W(TC)
IXTR170P10P IXYS IXTR170P10P 23.5500
RFQ
ECAD 830 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXTR170 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 100 v 108a(TC) 10V 13mohm @ 85a,10v 4V @ 1mA 240 NC @ 10 V ±20V 12600 PF @ 25 V - 312W(TC)
IXTR32P60P IXYS IXTR32P60P 20.5440
RFQ
ECAD 8895 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixtr32 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 600 v 18A(TC) 10V 385MOHM @ 16a,10v 4V @ 1mA 196 NC @ 10 V ±20V 11100 PF @ 25 V - 310W(TC)
IXTR48P20P IXYS IXTR48P20P 14.3800
RFQ
ECAD 3979 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixtr48 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 200 v 30A(TC) 10V 93MOHM @ 24A,10V 4.5V @ 250µA 103 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 25 V - 190w(TC)
IXTR90P20P IXYS ixtr90p20p 20.5440
RFQ
ECAD 7241 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixtr90 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 200 v 53A(TC) 10V 48mohm @ 45a,10v 4V @ 1mA 205 NC @ 10 V ±20V 12000 PF @ 25 V - 312W(TC)
IXTT20P50P IXYS IXTT20P50P 13.2600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixtt20 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 500 v 20A(TC) 10V 450MOHM @ 10a,10v 4V @ 250µA 103 NC @ 10 V ±20V 5120 PF @ 25 V - 460W(TC)
IXTX32P60P IXYS ixtx32p60p 21.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 ixtx32 MOSFET (金属 o化物) 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 600 v 32A(TC) 10V 350MOHM @ 16A,10V 4V @ 1mA 196 NC @ 10 V ±20V 11100 PF @ 25 V - 890W(TC)
IXTY12N06T IXYS IXTY12N06T -
RFQ
ECAD 8698 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ixty12 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 60 V 12A(TC) 10V 85mohm @ 6a,10v 4V @ 25µA 3.4 NC @ 10 V ±20V 256 pf @ 25 V - 33W(TC)
IXFK30N110P IXYS IXFK30N110P -
RFQ
ECAD 3657 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK30 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1100 v 30A(TC) 10V 360mohm @ 15a,10v 6.5V @ 1mA 235 NC @ 10 V ±30V 13600 PF @ 25 V - 960W(TC)
IXFK32N100P IXYS IXFK32N100P 24.8900
RFQ
ECAD 204 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK32 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 32A(TC) 10V 320MOHM @ 16a,10v 6.5V @ 1mA 225 NC @ 10 V ±30V 14200 PF @ 25 V - 960W(TC)
IXFL30N120P IXYS IXFL30N120P -
RFQ
ECAD 4330 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 isoplusi5-pak™ IXFL30 MOSFET (金属 o化物) isoplusi5-pak™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1200 v 18A(TC) 10V 380MOHM @ 15A,10V 6.5V @ 1mA 310 NC @ 10 V ±30V 19000 PF @ 25 V - 357W(TC)
IXFN26N100P IXYS IXFN26N100P 54.3070
RFQ
ECAD 1694年 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN26 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 23A(TC) 10V 390MOHM @ 13A,10V 6.5V @ 1mA 197 nc @ 10 V ±30V 11900 PF @ 25 V - 595W(TC)
IXFN30N110P IXYS IXFN30N110P -
RFQ
ECAD 4225 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN30 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1100 v 25A(TC) 10V 360mohm @ 15a,10v 6.5V @ 1mA 235 NC @ 10 V ±30V 13600 PF @ 25 V - 695W(TC)
IXFN32N120P IXYS IXFN32N120P 73.4200
RFQ
ECAD 9402 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN32 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixfn32n120p Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1200 v 32A(TC) 10V 310MOHM @ 500mA,10V 6.5V @ 1mA 360 NC @ 10 V ±30V 21000 PF @ 25 V - 1000W(TC)
IXFN38N100P IXYS IXFN38N100P 51.8300
RFQ
ECAD 7586 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN38 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 38A(TC) 10V 210mohm @ 19a,10v 6.5V @ 1mA 350 NC @ 10 V ±30V 24000 pf @ 25 V - 1000W(TC)
IXFN44N100P IXYS IXFN44N100P 44.9200
RFQ
ECAD 8476 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN44 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixfn44n100p Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 37A(TC) 10V 220MOHM @ 22a,10v 6.5V @ 1mA 305 NC @ 10 V ±30V 19000 PF @ 25 V - 890W(TC)
IXFR26N120P IXYS IXFR26N120P 35.1193
RFQ
ECAD 6209 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFR26 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 15A(TC) 10V 500MOHM @ 13A,10V 6.5V @ 1mA 225 NC @ 10 V ±30V 14000 PF @ 25 V - 320W(TC)
IXFT20N100P IXYS IXFT20N100P 10.9044
RFQ
ECAD 3038 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft20 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 20A(TC) 10V 570MOHM @ 10A,10V 6.5V @ 1mA 126 NC @ 10 V ±30V 7300 PF @ 25 V - 660W(TC)
IXFX20N120P IXYS IXFX20N120P 27.7800
RFQ
ECAD 126 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXFX20 MOSFET (金属 o化物) 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 20A(TC) 10V 570MOHM @ 10A,10V 6.5V @ 1mA 193 NC @ 10 V ±30V 11100 PF @ 25 V - 780W(TC)
IXGH100N30C3 IXYS IXGH100N30C3 -
RFQ
ECAD 1507 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGH100 标准 460 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 200V,50a,2ohm,15V pt 300 v 75 a 500 a 1.85V @ 15V,100a 230µJ(在)上,520µJ(OFF) 162 NC 23ns/105ns
IXGH60N30C3 IXYS IXGH60N30C3 -
RFQ
ECAD 5887 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGH60 标准 300 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 200V,30a,5ohm,15v - 300 v 75 a 420 a 1.8V @ 15V,60a (150µJ)(在300µJ上) 101 NC 23ns/108ns
IXGK120N60B IXYS IXGK120N60B -
RFQ
ECAD 8622 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXGK120 标准 660 w TO-264(ixgk) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 480V,100A,2.4OHM,15V pt 600 v 200 a 300 a 2.1V @ 15V,120a 2.4MJ(在)上,5.5MJ off) 350 NC 60NS/200NS
IXGR120N60B IXYS IXGR120N60B -
RFQ
ECAD 4434 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGR120 标准 520 w ISOPLUS247™ 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V,100A,2.4OHM,15V pt 600 v 156 a 300 a 2.1V @ 15V,100a 2.4MJ(在)上,5.5MJ off) 350 NC 60NS/200NS
IXKH70N60C5 IXYS IXKH70N60C5 24.1700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ixys coolmos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXKH70 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 70A(TC) 10V 45mohm @ 44a,10v 3.5V @ 3mA 190 NC @ 10 V ±20V 6800 PF @ 100 V - -
IXKP13N60C5M IXYS IXKP13N60C5M -
RFQ
ECAD 5347 0.00000000 ixys coolmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 IXKP13 MOSFET (金属 o化物) TO-220ABFP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 6.5A(TC) 10V 300MOHM @ 6.6a,10V 3.5V @ 440µA 30 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 100 V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库