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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXTP230N04T4M	2.8140	RFQ	4802	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IXTP230			MOSFET （金属 o化物）		TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	230a（TC）	10V	2.9MOHM @ 115A，10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±15V	7400 PF @ 25 V	-	40W（TC）
IXTK200N10L2	38.7700	RFQ	240	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk200			MOSFET （金属 o化物）		TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7017004	Ear99	8541.29.0095	25		n通道					100 v	200a（TC）	10V	11mohm @ 100a，10v	4.5V @ 3mA	540 NC @ 10 V	±20V	23000 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
IXFK140N30P	22.0900	RFQ	199	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK140			MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道					300 v	140a（TC）	10V	24mohm @ 70a，10v	5V @ 8mA	185 NC @ 10 V	±20V	14800 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
ixtx90n25l2	38.4700	RFQ	3053	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx90			MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					250 v	90A（TC）	10V	33mohm @ 45a，10v	4.5V @ 3mA	640 NC @ 10 V	±20V	23000 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXFT86N30T	9.4223	RFQ	7881	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft86			MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					300 v	86A（TC）	10V	43mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	11300 PF @ 25 V	-	860W（TC）
IXFP34N65X2M	7.5900	RFQ	200	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixfp34			MOSFET （金属 o化物）		TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp34n65x2m	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					650 v	34A（TC）	10V	100mohm @ 17a，10v	5V @ 1.5mA	56 NC @ 10 V	±30V	3230 PF @ 25 V	-	40W（TC）
IXTH48N15	-	RFQ	4222	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth48			MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					150 v	48A（TC）	10V	32mohm @ 500mA，10v	-	140 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXBH14N250A	-	RFQ	9458	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXBH14	标准				TO-247AD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				-															-	2500 v			-	-		-
IXA12IF1200TC-TUB	4.8564	RFQ	1165	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXA12	标准			85 w	TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，10a，100ohm，15V														350 ns	pt	1200 v	20 a		2.1V @ 15V，10a	1.1MJ（在）上，1.1MJ off）	27 NC	-
IXGH24N60C4	-	RFQ	2385	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH24	标准			190 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				360V，24a，10ohm，15V															pt	600 v	56 a	130 a	2.7V @ 15V，24a	（400µJ）（在300µJ上）	64 NC	21NS/143NS
IXTQ60N20T	5.3000	RFQ	9061	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ60			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtq60n20t	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					200 v	60a（TC）	10V	40mohm @ 30a，10v	5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	4530 PF @ 25 V	-	500W（TA）
C-0010-375-501N21A	-	RFQ	1011	ixys	-	大部分	过时的			-	C-0010-375		-	-		-	-				238-C-0010-375-501N21A	过时的	0000.00.0000	1	-		-		-	-											-
IXTH1N450HV	45.6100	RFQ	315	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixth1			MOSFET （金属 o化物）		TO-247HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixth1n450hv	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					4500 v	1A（TC）	10V	80ohm @ 50mA，10v	6V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXA33IF1200HB	10.4200	RFQ	216	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXA33IF1200	标准			250 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，25a，39ohm，15V														350 ns	pt	1200 v	58 a		2.1V @ 15V，25a	2.5mj（在）上，3MJ（3mj）	76 NC	-
IXFH60N60X	13.5933	RFQ	3925	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH60			MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	60a（TC）	10V	55mohm @ 30a，10v	4.5V @ 8mA	143 NC @ 10 V	±30V	5800 pf @ 25 V	-	890W（TC）
IXSH30N60AU1	-	RFQ	9472	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixsh30	标准			200 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				480V，30a，4.7Ohm，15V														50 ns	-	600 v	50 a	100 a	3V @ 15V，30a	2.5MJ（）	110 NC	60NS/400NS
IXGX50N60AU1	-	RFQ	6778	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGX50	标准			300 w	TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				480V，50a，2.7Ohm，15V														50 ns	-	600 v	75 a	200 a	2.7V @ 15V，50a	4.8MJ（）	200 NC	50NS/200NS
ixta90n20x3	7.2912	RFQ	5620	ixys	Ultra X3	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta90			MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta90n20x3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					200 v	90A（TC）	10V	12mohm @ 45a，10v	4.5V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	5420 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXGH15N120B	-	RFQ	6300	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH15	标准			180 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				960V，15a，10ohm，15V															pt	1200 v	30 a	60 a	3.2V @ 15V，15a	1.75MJ（）	69 NC	25NS/180NS
ixta16n50p-trl	3.0883	RFQ	4890	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta16			MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta16n50p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					500 v	16A（TC）	10V	400mohm @ 8a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXGH12N100	-	RFQ	9648	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH12	标准			100 W	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				800V，12a，120ohm，15V															-	1000 v	24 a	48 a	3.5V @ 15V，12A	2.5MJ（）	65 NC	100NS/850NS
IXGH30N120B3	54.6882	RFQ	3771	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准			300 w	TO-247AD	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixgh30n120b3	Ear99	8541.29.0095	30				960V，30a，5ohm，15V														37 ns	pt	1200 v	60 a	150 a	3.5V @ 15V，30a	3.47MJ（在）上，2.16MJ off）	87 NC	16NS/127NS
IXFK32N60	-	RFQ	2082	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK32			MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道					600 v	32A（TC）	10V	250mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 8mA	325 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXYL40N250CV1	87.6100	RFQ	1800	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	ixyl40	标准			577 w	isoplusi5-pak™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25				1250V，40a，1ohm，15V														210 ns	-	2500 v	70 a	400 a	4V @ 15V，40a	11.7MJ（在）上，6.9MJ（（）	270 NC	21NS/200NS
IXFX20N120	-	RFQ	6279	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX20			MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					1200 v	20A（TC）	10V	750MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 8mA	160 NC @ 10 V	±30V	7400 PF @ 25 V	-	780W（TC）
IXFX240N25X3	34.3400	RFQ	4253	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX240			MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					250 v	240a（TC）	10V	5mohm @ 120a，10v	4.5V @ 8mA	345 NC @ 10 V	±20V	23800 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXFK150N30P3	21.8100	RFQ	10	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK150			MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfk150n303	Ear99	8541.29.0095	25		n通道					300 v	150a（TC）	10V	19mohm @ 75a，10v	5V @ 8mA	197 nc @ 10 V	±20V	12100 PF @ 25 V	-	1300W（TC）
IXGH10N170	9.3800	RFQ	7611	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgh10	标准			110 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				-															npt	1700 v	20 a	70 a	4V @ 15V，10a	-	32 NC	-
IXGX50N60B2D1	-	RFQ	7310	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXGX50	标准			400 w	加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				480V，40a，5ohm，15V														35 ns	pt	600 v	75 a	200 a	2V @ 15V，40a	（550µJ）	140 NC	18NS/190NS
IXFN64N50PD3	-	RFQ	6915	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN64			MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道					500 v	50A（TC）	10V	85mohm @ 32a，10v	5V @ 8mA	186 NC @ 10 V	±30V	11000 PF @ 25 V	-	625W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²