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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFR80N10Q	-	RFQ	8664	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR80		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	76A（TC）	10V	15mohm @ 76a，10v	-	180 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	310W（TC）
IXFK180N10	15.8312	RFQ	8291	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK180		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFK180N10-NDR	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		100 v	180a（TC）	10V	8mohm @ 90a，10v	4V @ 8mA	390 NC @ 10 V	±20V	10900 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXFN150N10	32.0755	RFQ	8383	ixys	Hiperfet™	大部分	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN150		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		100 v	150a（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXTN90P20P	38.4800	RFQ	12	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn90		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		P通道		200 v	90A（TC）	10V	44mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	205 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 25 V	-	890W（TC）
MIXA30W1200TMH	-	RFQ	1478	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	Mixa30W			150 w	标准	Minipack2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	20	三期逆变器														pt	1200 v	43 a		2.1V @ 15V，25a				150 µA	是的
IXFR26N100P	33.9183	RFQ	4963	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR26		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	15A（TC）	10V	430MOHM @ 13A，10V	6.5V @ 1mA	197 nc @ 10 V	±30V	11900 PF @ 25 V	-	290W（TC）
IXYN100N120B3H1	41.2900	RFQ	8826	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn100			690 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	1200 v	165 a		2.6V @ 15V，100a				50 µA	不	6 nf @ 25 V
IXGK300N60B3	-	RFQ	3520	ixys	-	管子	积极的				IXGK300						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25
IXGH30N60B2	-	RFQ	5227	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准		190 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，24A，5OHM，15V												pt	600 v	70 a	150 a	1.8V @ 15V，24a	320µJ（离）	66 NC	13NS/110NS
IXFN44N50U2	-	RFQ	9487	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN44		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	44A（TC）	10V	120mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	270 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXFH32N48Q	-	RFQ	4215	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH32		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		480 v	32A（TC）	10V	130mohm @ 15a，10v	4V @ 4mA	300 NC @ 10 V	±20V	5200 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXTY01N100D-TRL	3.3100	RFQ	4465	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXTY01		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		1000 v	400mA（TC）	0V	80ohm @ 50mA，0v	4.5V @ 25µA	5.8 NC @ 5 V	±20V	100 pf @ 25 V	耗尽模式	1.1W（TA），25W（25W）TC）
IXGR50N60C2	-	RFQ	2044	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR50	标准		200 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，2ohm，15V												pt	600 v	75 a	300 a	2.7V @ 15V，40a	380µJ（OFF）	138 NC	18NS/115NS
IXGP24N60C	-	RFQ	9158	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP24	标准		150 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			480V，24a，10ohm，15V												-	600 v	48 a	96 a	2.5V @ 15V，24a	240µJ（离）	55 NC	15NS/75NS
IXTT30N60P	-	RFQ	4846	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT30		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	30A（TC）	10V	240mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±30V	5050 pf @ 25 V	-	540W（TC）
IXGH36N60B3D4	-	RFQ	3285	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH36	标准		250 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，5ohm，15V											60 ns	pt	600 v		200 a	1.8V @ 15V，30a	540µJ（在）上，800µJ（（）	80 NC	19NS/125NS
ixta3n120-trr	5.5008	RFQ	2623	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta3		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta3n120-trrtr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1200 v	3A（TC）	10V	4.5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IXFN82N60P	39.8600	RFQ	2707	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN82		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		600 v	72A（TC）	10V	75MOHM @ 41A，10V	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	±30V	23000 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
IXFK24N100F	-	RFQ	9544	ixys	Hiperrf™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK24		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	24A（TC）	10V	390MOHM @ 12A，10V	5.5V @ 8mA	195 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXGP50N60C4	-	RFQ	4271	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP50	标准		300 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，36a，10ohm，15V												pt	600 v	90 a	220 a	2.3V @ 15V，36a	950µJ（在）（840µJ）上，OFF）	113 NC	40NS/270NS
IXGT24N60C	-	RFQ	7102	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT24	标准		150 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，24a，10ohm，15V												-	600 v	48 a	96 a	2.5V @ 15V，24a	240µJ（离）	55 NC	15NS/75NS
IXGM20N60A	-	RFQ	7892	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	IXGM20	标准		150 w		TO-204AE	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			480V，20a，82ohm，15V											200 ns	-	600 v	40 a	80 a	3V @ 15V，20A	2MJ（在）上，2MJ（2MJ）（OFF）	120 NC	100NS/600NS
IXFN140N20P	28.9600	RFQ	103	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN140		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		200 v	115A（TC）	10V，15V	18mohm @ 70a，10v	5V @ 4mA	240 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	680W（TC）
IXFK170N20T	15.2300	RFQ	6	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK170		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	170a（TC）	10V	11mohm @ 60a，10v	5V @ 4mA	265 NC @ 10 V	±20V	19600 pf @ 25 V	-	1150W（TC）
IXFK220N15P	24.2300	RFQ	23	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK220		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		150 v	220A（TC）	10V	9mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 8mA	162 NC @ 10 V	±20V	15400 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXXN110N65C4H1	32.2200	RFQ	3986	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXXN110			750 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	650 v	210 a		2.35V @ 15V，110a				50 µA	不	3.69 NF @ 25 V
IXYH10N170CV1	13.8500	RFQ	1	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh10	标准		280 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			850V，10a，10ohm，15V											160 ns	-	1700 v	36 a	84 a	3.8V @ 15V，10a	1.4MJ（在）上，700µJ（OFF）	46 NC	14NS/130NS
IXTA110N12T2	-	RFQ	1877年	ixys	TRENCHT2™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta110		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		120 v	110A（TC）	10V	14mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	6570 pf @ 25 V	-	517W（TC）
IXFX360N15T2	31.8900	RFQ	33	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX360		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	360a（TC）	10V	4mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	715 NC @ 10 V	±20V	47500 PF @ 25 V	-	1670W（TC）
IXGK50N60AU1	-	RFQ	7977	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK50	标准		300 w		TO-264（ixgk）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			480V，50a，2.7Ohm，15V											50 ns	-	600 v	75 a	200 a	2.7V @ 15V，50a	4.8MJ（）	200 NC	50NS/200NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²