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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTE250N10	-	RFQ	9205	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixte250		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		100 v	250a		-	-				-	730W
ixtk180n15p	16.6000	RFQ	400	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk180		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		150 v	180a（TC）	10V	10mohm @ 90a，10v	5V @ 500µA	240 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	800W（TC）
IXYX25N250CV1HV	46.6600	RFQ	418	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYX25	标准		937 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1250V，25a，5ohm，15V											220 ns	-	2500 v	95 a	235 a	4V @ 15V，25a	8.3mj（在）上，7.3mj（7.3MJ）	147 NC	15NS/230NS
IXFK80N20	-	RFQ	3921	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK80		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	80A（TC）	10V	30mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	280 NC @ 10 V	±20V	5900 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXTP24N65X2M	4.8900	RFQ	300	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixtp24		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtp24n65x2m	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	2060 pf @ 25 V	-	37W（TC）
IXFN280N085	34.5470	RFQ	5184	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN280		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		85 v	280a（TC）	10V	4.4mohm @ 100a，10v	4V @ 8mA	580 NC @ 10 V	±20V	19000 PF @ 25 V	-	700W（TC）
IXGA7N60B	-	RFQ	1497	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixga7	标准		54 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			480V，7A，22OHM，15V												pt	600 v	14 a	30 a	2V @ 15V，7a	（70µJ）（在300µJ上）	25 NC	9NS/100NS
IXFN120N65X2	39.4900	RFQ	6	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN120		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		650 v	108a（TC）	10V	24mohm @ 54a，10v	5.5V @ 8mA	225 NC @ 10 V	±30V	15500 pf @ 25 V	-	890W（TC）
IXGK50N60BU1	-	RFQ	4626	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK50	标准		300 w		TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			480V，50a，2.7Ohm，15V											50 ns	-	600 v	75 a	200 a	2.5V @ 15V，50a	3MJ（（）	200 NC	50NS/110NS
IXGP28N120B	-	RFQ	1883年	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP28	标准		250 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			960V，28a，5ohm，15V												-	1200 v	50 a	150 a	3.5V @ 15V，28a	2MJ（（）	92 NC	30NS/180NS
IXBH40N160	-	RFQ	6715	ixys	Bimosfet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXBH40	标准		350 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXBH40N160-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			960V，20A，22OHM，15V												-	1600 v	33 a	40 a	7.1V @ 15V，20A	-	130 NC	-
IXFN36N100	69.8330	RFQ	4667	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN36		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN36N100-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1000 v	36a（TC）	10V	240mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	700W（TC）
IRFP460	-	RFQ	5748	ixys	Megamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP46		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	20A（TC）	10V	270MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	260W（TC）
IXFH21N50	7.5553	RFQ	4316	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH21		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Q963933	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	21a（TC）	10V	250mohm @ 10.5a，10v	4V @ 4mA	160 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFH10N100	12.3737	RFQ	1523年	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH10		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH10N100-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	10A（TC）	10V	1.2OHM @ 5A，10V	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFN200N07	-	RFQ	7838	ixys	Hiperfet™	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN200		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN200N07-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		70 v	200a（TC）	10V	6mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	480 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	520W（TC）
ixta3n120	8.4500	RFQ	9792	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta3		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1200 v	3A（TC）	10V	4.5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IXFK36N60	-	RFQ	4060	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK36		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	IXFK36N60-NDR	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	36a（TC）	10V	180mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 8mA	325 NC @ 25 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFX180N07	-	RFQ	7995	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX180		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		70 v	180a（TC）	10V	6mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	420 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	568W（TC）
VII75-06P1	-	RFQ	7911	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vii			208 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	半桥														npt	600 v	69 a		2.8V @ 15V，75a				800 µA	是的	2.8 nf @ 25 V
IXTA340N04T4	5.9700	RFQ	216	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta340		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	340a（TC）	10V	1.7MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	256 NC @ 10 V	±15V	13000 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXSH30N60B2D1	-	RFQ	1581年	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixsh30	标准		250 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXSH30N60B2D1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			400V，24A，5OHM，15V											30 ns	pt	600 v	48 a	90 a	2.5V @ 15V，24a	（550µJ）	50 NC	30NS/130NS
IXSK35N120AU1	-	RFQ	4735	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXSK35	标准		300 w		TO-264AA（IXSK）	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			960V，35A，2.7OHM，15V											60 ns	-	1200 v	70 a	140 a	4V @ 15V，35a	10MJ（（）	150 NC	80NS/400NS
MIAA20WE600TMH	-	RFQ	5529	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	MIAA20W			100 W	单相桥梁整流器	Minipack2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	20	三期逆变器														npt	600 v	29 a		2.7V @ 15V，20A				1.1 MA	是的	900 pf @ 25 V
IXSP10N60B2D1	-	RFQ	2841	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXSP10	标准		100 W		TO-220-3	下载		不适用	到达不受影响	IXSP10N60B2D1-NDR	Ear99	8541.29.0095	50			480V，10a，30ohm，15V											25 ns	pt	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V，10a	（430µJ））	17 NC	30NS/180NS
IXGH32N60C	-	RFQ	4159	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH32	标准		200 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXGH32N60C-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			480V，32a，4.7Ohm，15V												-	600 v	60 a	120 a	2.5V @ 15V，32a	320µJ（离）	110 NC	25NS/85NS
VMO650-01F	215.3600	RFQ	2	ixys	Hiperfet™	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Y3-DCB	VMO650		MOSFET （金属 o化物）			Y3-DCB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2		n通道		100 v	690a（TC）	10V	1.8mohm @ 500mA，10v	6V @ 130mA	2300 NC @ 10 V	±20V	59000 PF @ 25 V	-	2500W（TC）
IXFP56N30x3	8.6700	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP56		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	56A（TC）	10V	27mohm @ 28a，10v	4.5V @ 1.5mA	56 NC @ 10 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	320W（TC）
IXFC36N50P	-	RFQ	1655年	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC36N50		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	19a（tc）	10V	190mohm @ 18a，10v	5V @ 4mA	93 NC @ 10 V	±30V	5500 PF @ 25 V	-	156W（TC）
IXFN60N60	-	RFQ	4820	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN60		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		不适用	到达不受影响	IXFN60N60-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		600 v	60a（TC）	10V	75mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 25 V	-	700W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²